CY7C245A
2K ×8的可重复编程的PROM注册
特点
窗的可重编程
CMOS的最佳速度/功耗
高速
- 15 ns的地址建立
- 10 ns的时钟到输出
低功耗
- 330毫瓦（商业）为-25 NS
- 660毫瓦（军事）
可编程同步或异步输出
启用
片上沿触发的寄存器
可编程异步寄存器（ INIT ）
EPROM技术， 100 ％可编程
超薄机身， 300万， 24引脚塑料或密封DIP
5V
±10%
V
CC
，商业和军事
TTL兼容的I / O
直接替代双极PROM中
能够承受大于2001V的静电
放电
INIT
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
CP
E/E
S
CP
D
C
Q
可编程
多路复用器
COLUMN
地址
地址
解码器
可编程
初始化WORD
ROW
地址
可编程
ARRAY
多路复用器
O
7
功能说明
该CY7C245A是一个高性能， 2K ×8 ，电
封装在一个纤细300mil的可编程的只读存储器
塑料或密封DIP 。在陶瓷封装可以是
配备有一个擦除窗口;当暴露于UV光
PROM中被擦除，然后可以重新编程。该
存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术
和字节宽的智能编程算法。
该CY7C245A取代双极型器件，并提供了研华
低功耗，可重编程性，卓越的perfor-的产品关键词
曼斯和高产量的编程。在EPROM单元需要
只有12.5V的超高压和低电流要求的
让这帮编程。在EPROM单元允许每个
存储器位置被测试为100％，因为每个位置是
写入，擦除，并多次到encap-行使前
sulation 。每个PROM也测试了AC性能
保证后顾客编程产品将
满足交流的技术指标。
该CY7C245A具有异步初始化函数（ INIT ） 。
此功能可作为装入一个第二千〇四十九8位字
片内寄存器。它是用户可编程的与任何所需
字，或者可以用作在一个预置或清除功能
输出。 INIT是由一个低的水平，而不是上升沿触发。
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP顶视图
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
A
10
INIT
E/E
S
CP
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
O
6
O
8-BIT
边沿
引发
注册
O
O
3
5
4
O
O
O
0
2
1
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2 1 282726
25
5
24
6
23
7
22
8
21
9
20
10
19
11
18
121314151617
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
A5
A6
A7
NC
V
CC
A8
A9
LCC / PLCC （不透明只）顶视图
A
10
INIT
E/E
S
CP
NC
O
7
O
6
选购指南
7C245A-15
最小地址建立时间
最大时钟到输出
最大工作电流标准
广告
军事
15
10
120
7C245A-18
18
12
120
120
7C245A-25
25
12
90
120
7C245A-35
35
15
90
120
单位
ns
ns
mA
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-04007牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月17日
[+ ]反馈
CY7C245A
操作模式
该CY7C245A是CMOS电可编程读
只有存储器组织为2048字×8位，是一个
引脚对引脚替代双极TTL熔断PROM中。
该CY7C245A采用了D型，主从寄存器
在芯片上，从而减少流水线微处理器的成本和尺寸
编程系统和应用中，访问的PROM
数据暂时存储在一个寄存器中。额外的灵活性
（具有可编程同步é
S
）或
异步（ E）输出使能和异步初始
化（ INIT ） 。
上电时的输出状态将取决于
使能功能（E编程状态
S
或E ） 。如果
同步启用（E
S
）已编程，寄存器
将在设定的条件使所述输出端（O
0
–O
7
）是
在OFF或高阻抗状态。如果异步
启用（ E）被使用时，输出会在截止
或高阻抗状态，只有当启用（ E）输入为一个
高逻辑电平。数据是通过将存储单元读
在地址输入（A
0
–A
10
）和一个逻辑低电平，以使能
输入。所存储的数据被存取并加载到主
触发器中的数据寄存器中的地址的建立时间。在
时钟（ CP ）的下一个低到高的转变，是数据
传送给从机触发器，它驱动输出
缓冲剂，和所访问的数据将出现在输出端
(O
0
–O
7
).
如果异步使（E） - 正被使用时，输出可
在任何时候通过开关被禁止的使能以一个逻辑
高，并且可通过切换被返回到活动状态
使一个逻辑低电平。
如果同步启用（E
S
）被使用时，该输出将
时的下一个正转至OFF，或者高阻抗状态
同步使能输入后时钟沿被切换到
高电平。如果同步使能引脚被切换到
逻辑低时，随后的时钟上升沿将返回
输出到活动状态。以下的正时钟沿，在
地址和同步使能输入可以自由更换
因为将发生在输出没有变化，直到下一
低到高的时钟的转换。这种独特的功能允许
该CY7C245A解码器和读出放大器访问
而此前讨论过的数据的下一个位置保持稳定
上的输出。
系统定时被简化，所述片上边沿触发
寄存器允许PROM的时钟可以直接从所导出的
系统时钟不引入竞争条件。片上
寄存器的时序要求是相似的离散
在市场上可用的寄存器。
该CY7C245A具有异步初始化输入（ INIT ） 。
初始化函数是在上电和超时非常有用
序列，并且可以方便的实现其它sophis-
ticated功能，诸如内置的“跳跃启动”地址。当
激活时，初始化控制输入，使a的内容
用户编程第二千○四十九8位字被加载到
片内寄存器。每个位是可编程的，并且初始化
功能可以被用来加载1秒的任何期望的组合
和0到寄存器。在未编程状态，激活
init将生成一个寄存器清零（所有输出LOW ） 。如果所有的
初始化字的位进行编程，激活INIT
执行寄存器预设（所有输出高电平） 。
应用低到INIT输入将立即负荷
编程初始化字到主站和从站
触发器的寄存器，独立于所有其他投入，
包括时钟（CP） 。初始化的数据将出现在
通过使被允许的输出后输出的装置
异步启用（ E）低。
擦除特性
光的波长小于4000埃开始清除
在7C245A 。出于这个原因，不透明的标签应
放置在窗口如果PROM中暴露在阳光下或
荧光灯为延长的时期。
对擦除的推荐剂量是紫外光带
波长2537埃的最小剂量（紫外线
强度的25 WSEC /平方厘米乘以曝光时间）。对于
紫外线灯用12毫瓦/厘米2的额定功率的曝光
时间将是大约35分钟。在7C245A需求
为内擦除期间1英寸的灯的。永久
损坏可能会导致如PROM的暴露于高强度的
UV光下一段延长的时期。 7258 WSEC / cm2的是
推荐最大剂量。
编程信息
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息，包括软件的列表
包，请参阅PROM编程信息
设在此部分的端部。编程算法可以
从任何赛普拉斯销售代表索取。
位图数据
程序员地址
十进制
0
.
.
.
2047
2048
2049
（十六进制）
0
.
.
.
7FF
800
801
RAM中的数据
目录
数据
.
.
.
数据
初始化字节
控制字节
控制字节
00异步输出使能（默认状态）
01同步输出使能
文件编号： 38-04007牧师* E
分页： 13 2
[+ ]反馈
CY7C245A
最大额定值
[2]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚24至引脚12） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
.....................................................0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
DC编程电压（引脚7 ， 18 ， 20 ） ........................... 13.0V
紫外线擦除................................................ ... 7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
广告
军事
[3]
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
55°C
至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±10%
5V
±10%
5V ±10%
电气特性
在整个工作范围
[4,5]
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
V
PP
I
PP
V
国际水文计划
V
ILP
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入漏电流
输入钳位二极管电压
输出漏电流
输出短路电流
电源电流
编程电压
编程电源电流
输入高电压编程
输入低电压编程
3.0
0.4
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
产量
残
[6]
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
[7]
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
Com'l
米尔
12
13
50
3.0
0.4
12
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最小值，我
OL
= 16毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
保证输入逻辑
高压对所有输入
保证输入逻辑
低电压所有输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
10
10
20
2.0
7C245A-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
90
120
10
10
20
2.0
7C245A-18
7C245A-25
7C245A-35
7C245A-45
马克斯。
V
0.4
2.0
V
CC
0.8
10
10
20
+10
+10
90
90
120
12
3.0
0.4
13
50
V
mA
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
90
120
120
13
50
单位
最大。分钟。最大。分钟。
2.4
注5
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
笔记
2.在任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
3. T
A
是外壳温度的「即时」 。
该数据表A组分组测试信息4.见第3页。
5.请参阅赛普拉斯数据手册中关于测试的一般信息“简介到CMOS PROM的”一节。
6.对于使用同步启用的设备，该设备必须应用这些电压进行这种测量后，时钟源。
7.出于测试的目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-04007牧师* E
第13 4
[+ ]反馈
CY7C245A
2K ×8的可重复编程的PROM注册
特点
窗的可重编程
CMOS的最佳速度/功耗
高速
—
15 ns的地址建立
—
10 ns的时钟输出
低功耗
—
330毫瓦（商业）为-25 NS
—
660毫瓦（军事）
可编程同步或异步输出
启用
片上沿触发寄存器
可编程异步寄存器（ INIT ）
EPROM技术， 100 ％可编程
斯利姆， 300万， 24引脚塑料或密封DIP
5V
±10%
V
CC
，商业和军事
TTL兼容的I / O
直接替代双极PROM中
能够承受大于2001V的静电
放电
逻辑框图
INIT
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
CP
COLUMN
地址
地址
解码器
可编程
初始化WORD
ROW
地址
可编程
ARRAY
多路复用器
O
7
功能说明
该CY7C245A是一个高性能， 2K ×8 ，电
封装在一个纤细300mil的可编程的只读存储器
塑料或密封DIP 。在陶瓷封装可以是
配备有一个擦除窗口;当暴露于UV光
PROM中被擦除，然后可以重新编程。该
存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术
和字节宽的智能编程算法。
该CY7C245A取代双极型器件，并提供了研华
低功耗，可重编程性，卓越的perfor-的产品关键词
曼斯和高产量的编程。在EPROM单元需要
只有12.5V的超高压和低电流要求的
让这帮编程。在EPROM单元允许每个
存储器位置被测试为100％，因为每个位置是
写入，擦除，并多次到encap-行使前
sulation 。每个PROM也测试了AC性能
保证后顾客编程产品将
满足交流的技术指标。
该CY7C245A具有异步初始化函数（ INIT ） 。
此功能可作为装入一个第二千〇四十九8位字
片内寄存器。它是用户可编程的与任何所需
字，或者可以用作在一个预置或清除功能
输出。 INIT是由一个低的水平，而不是上升沿触发。
销刀豆网络gurations
DIP顶视图
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
A
10
INIT
E/E
S
CP
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
O
6
O
8-BIT
边沿
引发
注册
O
O
3
5
4
O
O
O
0
2
1
E/E
S
CP
D
C
Q
可编程
多路复用器
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2 1 282726
25
5
24
6
23
7
22
8
21
9
20
10
19
11
18
121314151617
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
A5
A6
A7
NC
V
CC
A8
A9
LCC / PLCC （不透明只）顶视图
A
10
INIT
E/E
S
CP
NC
O
7
O
6
选购指南
7C245A-15
最小地址建立时间
最大时钟到输出
最大工作电流标准
广告
军事
15
10
120
7C245A-18
18
12
120
120
7C245A-25
25
12
90
120
7C245A-35
35
15
90
120
单位
ns
ns
mA
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-04007牧师* D
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年11月4日
CY7C245A
操作模式
该CY7C245A是CMOS电可编程读
只有存储器组织为2048字×8位，是一个
引脚对引脚替代双极TTL熔断PROM中。
该CY7C245A采用了D型，主从寄存器
在芯片上，从而减少流水线微处理器的成本和尺寸
编程系统和应用中，访问的PROM
数据暂时存储在一个寄存器中。额外的灵活性
（具有可编程同步é
S
）或
异步（ E）输出使能和异步初始
化（ INIT ） 。
上电时的输出状态将取决于
使能功能（E编程状态
S
或E ） 。如果
同步启用（E
S
）已编程，寄存器
将在设定的条件使所述输出端（ O0 - O7 ）是
在OFF或高阻抗状态。如果异步
启用（ E）被使用时，输出会在截止
或高阻抗状态，只有当启用（ E）输入为一个
高逻辑电平。数据是通过将存储单元读
在地址输入（ A0 - A10）和低电平，使能
输入。所存储的数据被存取并加载到主
触发器中的数据寄存器中的地址的建立时间。在
时钟（ CP ）的下一个低到高的转变，是数据
传送给从机触发器，它驱动输出
缓冲剂，和所访问的数据将出现在输出端
(O0–O7).
如果异步使（E） - 正被使用时，输出可
在任何时候通过开关被禁止的使能以一个逻辑
高，并且可通过切换被返回到活动状态
使一个逻辑低电平。
如果同步启用（E
S
）被使用时，该输出将
时的下一个正转至OFF，或者高阻抗状态
同步使能输入后时钟沿被切换到
高电平。如果同步使能引脚被切换到
逻辑低时，随后的时钟上升沿将返回
输出到活动状态。以下的正时钟沿，在
地址和同步使能输入可以自由更换
因为将发生在输出没有变化，直到下一
低到高的时钟的转换。这种独特的功能允许
该CY7C245A解码器和读出放大器访问
而此前讨论过的数据的下一个位置保持稳定
上的输出。
系统定时被简化，所述片上边沿触发
寄存器允许PROM的时钟可以直接从所导出的
系统时钟不引入竞争条件。片上
寄存器的时序要求是相似的离散
在市场上可用的寄存器。
该CY7C245A具有异步初始化输入（ INIT ） 。
初始化函数是在上电和超时非常有用
序列，并且可以方便的实现其它sophis-
ticated功能，诸如内置的“跳跃启动”地址。当
激活时，初始化控制输入，使a的内容
用户编程第二千○四十九8位字被加载到
片内寄存器。每个位是可编程的，并且初始化
功能可以被用来加载1秒的任何期望的组合
和0到寄存器。在未编程状态，激活
init将生成一个寄存器清零（所有输出LOW ） 。如果所有的
初始化字的位进行编程，激活INIT
执行寄存器预设（所有输出高电平） 。
应用低到INIT输入将立即负荷
编程初始化字到主站和从站
触发器的寄存器，独立于所有其他投入，
包括时钟（CP） 。初始化的数据将出现在
通过使被允许的输出后输出的装置
异步启用（ E）低。
擦除特性
光的波长小于4000埃开始清除
在7C245A 。出于这个原因，不透明的标签应
放置在窗口如果PROM中暴露在阳光下或
荧光灯为延长的时期。
对擦除的推荐剂量是紫外光带
波长2537埃的最小剂量（紫外线
强度的25 WSEC /平方厘米乘以曝光时间）。对于
紫外线灯用12毫瓦/厘米2的额定功率的曝光
时间将是大约35分钟。在7C245A需求
为内擦除期间1英寸的灯的。永久
损坏可能会导致如PROM的暴露于高强度的
UV光下一段延长的时期。 7258 WSEC / cm2的是
推荐最大剂量。
编程信息
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息，包括软件的列表
包，请参阅PROM编程信息
设在此部分的端部。编程算法可以
从任何赛普拉斯销售代表索取。
位图数据
程序员地址
十进制
0
.
.
.
2047
2048
2049
（十六进制）
0
.
.
.
7FF
800
801
RAM中的数据
目录
数据
.
.
.
数据
初始化字节
控制字节
控制字节
00异步输出使能（默认状态）
01同步输出使能
文件编号： 38-04007牧师* D
第12页2
CY7C245A
最大额定值
[2]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚24至引脚12） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
.....................................................0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
DC编程电压（引脚7 ， 18 ， 20 ） ........................... 13.0V
紫外线擦除................................................ ... 7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
广告
军事
[3]
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
55°C
至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±10%
5V
±10%
5V ±10%
电气特性
在整个工作范围
[4,5]
7C245A-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
V
PP
I
PP
V
国际水文计划
V
ILP
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入漏电流
输入钳位二极管电压
输出漏电流
输出短路电流
电源电流
编程电压
编程电源电流
输入高电压编程
输入低电压编程
3.0
0.4
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
产量
残
[6]
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
[7]
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
Com'l
米尔
12
13
50
3.0
0.4
12
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最小值，我
OL
= 16毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
保证输入逻辑
高压对所有输入
保证输入逻辑
低电压所有输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
10
10
20
2.0
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
90
120
10
10
20
2.0
7C245A-18
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
90
120
120
13
50
3.0
0.4
12
10
10
20
2.0
7C245A-25
7C245A-35
7C245A-45
MAX 。 UNIT
V
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
90
90
120
13
50
V
mA
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
2.4
最大。分钟。最大。分钟。
注5
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
2.在任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
3. T
A
是外壳温度的「即时」 。
该数据表A组分组测试信息4.见第3页。
5.请参阅赛普拉斯数据手册中关于测试的一般信息“简介到CMOS PROM的”一节。
6.对于使用同步启用的设备，该设备必须应用这些电压进行这种测量后，时钟源。
7.出于测试的目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-04007牧师* D
第12页4
CY7C245A
2K ×8的可重复编程的PROM注册
特点
窗的可重编程
CMOS的最佳速度/功耗
高速
—
15 ns的地址建立
—
10 ns的时钟输出
低功耗
—
330毫瓦（商业）为-25 NS
—
660毫瓦（军事）
可编程同步或异步输出
启用
片上沿触发寄存器
可编程异步寄存器（ INIT ）
EPROM技术， 100 ％可编程
斯利姆， 300万， 24引脚塑料或密封DIP
5V
±10%
V
CC
，商业和军事
TTL兼容的I / O
直接替代双极PROM中
能够承受大于2001V的静电
放电
逻辑框图
INIT
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
CP
COLUMN
地址
地址
解码器
可编程
初始化WORD
ROW
地址
可编程
ARRAY
多路复用器
O
7
功能说明
该CY7C245A是一个高性能， 2K ×8 ，电
封装在一个纤细300mil的可编程的只读存储器
塑料或密封DIP 。在陶瓷封装可以是
配备有一个擦除窗口;当暴露于UV光
PROM中被擦除，然后可以重新编程。该
存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术
和字节宽的智能编程算法。
该CY7C245A取代双极型器件，并提供了研华
低功耗，可重编程性，卓越的perfor-的产品关键词
曼斯和高产量的编程。在EPROM单元需要
只有12.5V的超高压和低电流要求的
让这帮编程。在EPROM单元允许每个
存储器位置被测试为100％，因为每个位置是
写入，擦除，并多次到encap-行使前
sulation 。每个PROM也测试了AC性能
保证后顾客编程产品将
满足交流的技术指标。
该CY7C245A具有异步初始化函数（ INIT ） 。
此功能可作为装入一个第二千〇四十九8位字
片内寄存器。它是用户可编程的与任何所需
字，或者可以用作在一个预置或清除功能
输出。 INIT是由一个低的水平，而不是上升沿触发。
销刀豆网络gurations
DIP顶视图
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
A
10
INIT
E/E
S
CP
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
O
6
O
8-BIT
边沿
引发
注册
O
O
3
5
4
O
O
O
0
2
1
E/E
S
CP
D
C
Q
可编程
多路复用器
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2 1 282726
25
5
24
6
23
7
22
8
21
9
20
10
19
11
18
121314151617
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
A5
A6
A7
NC
V
CC
A8
A9
LCC / PLCC （不透明只）顶视图
A
10
INIT
E/E
S
CP
NC
O
7
O
6
选购指南
7C245A-15
最小地址建立时间
最大时钟到输出
最大工作电流标准
广告
军事
15
10
120
7C245A-18
18
12
120
120
7C245A-25
25
12
90
120
7C245A-35
35
15
90
120
单位
ns
ns
mA
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-04007牧师* D
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年11月4日
CY7C245A
操作模式
该CY7C245A是CMOS电可编程读
只有存储器组织为2048字×8位，是一个
引脚对引脚替代双极TTL熔断PROM中。
该CY7C245A采用了D型，主从寄存器
在芯片上，从而减少流水线微处理器的成本和尺寸
编程系统和应用中，访问的PROM
数据暂时存储在一个寄存器中。额外的灵活性
（具有可编程同步é
S
）或
异步（ E）输出使能和异步初始
化（ INIT ） 。
上电时的输出状态将取决于
使能功能（E编程状态
S
或E ） 。如果
同步启用（E
S
）已编程，寄存器
将在设定的条件使所述输出端（ O0 - O7 ）是
在OFF或高阻抗状态。如果异步
启用（ E）被使用时，输出会在截止
或高阻抗状态，只有当启用（ E）输入为一个
高逻辑电平。数据是通过将存储单元读
在地址输入（ A0 - A10）和低电平，使能
输入。所存储的数据被存取并加载到主
触发器中的数据寄存器中的地址的建立时间。在
时钟（ CP ）的下一个低到高的转变，是数据
传送给从机触发器，它驱动输出
缓冲剂，和所访问的数据将出现在输出端
(O0–O7).
如果异步使（E） - 正被使用时，输出可
在任何时候通过开关被禁止的使能以一个逻辑
高，并且可通过切换被返回到活动状态
使一个逻辑低电平。
如果同步启用（E
S
）被使用时，该输出将
时的下一个正转至OFF，或者高阻抗状态
同步使能输入后时钟沿被切换到
高电平。如果同步使能引脚被切换到
逻辑低时，随后的时钟上升沿将返回
输出到活动状态。以下的正时钟沿，在
地址和同步使能输入可以自由更换
因为将发生在输出没有变化，直到下一
低到高的时钟的转换。这种独特的功能允许
该CY7C245A解码器和读出放大器访问
而此前讨论过的数据的下一个位置保持稳定
上的输出。
系统定时被简化，所述片上边沿触发
寄存器允许PROM的时钟可以直接从所导出的
系统时钟不引入竞争条件。片上
寄存器的时序要求是相似的离散
在市场上可用的寄存器。
该CY7C245A具有异步初始化输入（ INIT ） 。
初始化函数是在上电和超时非常有用
序列，并且可以方便的实现其它sophis-
ticated功能，诸如内置的“跳跃启动”地址。当
激活时，初始化控制输入，使a的内容
用户编程第二千○四十九8位字被加载到
片内寄存器。每个位是可编程的，并且初始化
功能可以被用来加载1秒的任何期望的组合
和0到寄存器。在未编程状态，激活
init将生成一个寄存器清零（所有输出LOW ） 。如果所有的
初始化字的位进行编程，激活INIT
执行寄存器预设（所有输出高电平） 。
应用低到INIT输入将立即负荷
编程初始化字到主站和从站
触发器的寄存器，独立于所有其他投入，
包括时钟（CP） 。初始化的数据将出现在
通过使被允许的输出后输出的装置
异步启用（ E）低。
擦除特性
光的波长小于4000埃开始清除
在7C245A 。出于这个原因，不透明的标签应
放置在窗口如果PROM中暴露在阳光下或
荧光灯为延长的时期。
对擦除的推荐剂量是紫外光带
波长2537埃的最小剂量（紫外线
强度的25 WSEC /平方厘米乘以曝光时间）。对于
紫外线灯用12毫瓦/厘米2的额定功率的曝光
时间将是大约35分钟。在7C245A需求
为内擦除期间1英寸的灯的。永久
损坏可能会导致如PROM的暴露于高强度的
UV光下一段延长的时期。 7258 WSEC / cm2的是
推荐最大剂量。
编程信息
编程支持可从赛普拉斯以及
从许多第三方软件供应商。有关详细
编程信息，包括软件的列表
包，请参阅PROM编程信息
设在此部分的端部。编程算法可以
从任何赛普拉斯销售代表索取。
位图数据
程序员地址
十进制
0
.
.
.
2047
2048
2049
（十六进制）
0
.
.
.
7FF
800
801
RAM中的数据
目录
数据
.
.
.
数据
初始化字节
控制字节
控制字节
00异步输出使能（默认状态）
01同步输出使能
文件编号： 38-04007牧师* D
第12页2
CY7C245A
最大额定值
[2]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚24至引脚12） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
.....................................................0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
DC编程电压（引脚7 ， 18 ， 20 ） ........................... 13.0V
紫外线擦除................................................ ... 7258 WSEC /厘米
2
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
广告
军事
[3]
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
55°C
至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±10%
5V
±10%
5V ±10%
电气特性
在整个工作范围
[4,5]
7C245A-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
V
PP
I
PP
V
国际水文计划
V
ILP
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入漏电流
输入钳位二极管电压
输出漏电流
输出短路电流
电源电流
编程电压
编程电源电流
输入高电压编程
输入低电压编程
3.0
0.4
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
产量
残
[6]
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
[7]
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
Com'l
米尔
12
13
50
3.0
0.4
12
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最小值，我
OL
= 16毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
保证输入逻辑
高压对所有输入
保证输入逻辑
低电压所有输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
10
10
20
2.0
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
90
120
10
10
20
2.0
7C245A-18
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
90
120
120
13
50
3.0
0.4
12
10
10
20
2.0
7C245A-25
7C245A-35
7C245A-45
MAX 。 UNIT
V
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
90
90
120
13
50
V
mA
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
2.4
最大。分钟。最大。分钟。
注5
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
2.在任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
3. T
A
是外壳温度的「即时」 。
该数据表A组分组测试信息4.见第3页。
5.请参阅赛普拉斯数据手册中关于测试的一般信息“简介到CMOS PROM的”一节。
6.对于使用同步启用的设备，该设备必须应用这些电压进行这种测量后，时钟源。
7.出于测试的目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-04007牧师* D
第12页4
QQ：2880707522 复制
