25A
CY7C225A
512 ×8 PROM注册
特点
CMOS的最佳速度/功耗
高速
- 18 ns的地址建立
- 12 ns的时钟输出
低功耗
- 495毫瓦（商业）
- 660毫瓦（军事）
同步和异步输出使
片上沿触发的寄存器
缓冲常见预置和清除输入
EPROM技术， 100 ％可编程
斯利姆的300万， 24引脚塑料或密封DIP ， 28引脚LCC ，
或28引脚PLCC
5V
±10%
V
CC
，商业和军事
TTL兼容的I / O
直接替代双极PROM中
能够承受大于2001V的静电
放电
功能说明
该CY7C225A是8位高性能512字elec-
trically可编程只读封装在一个纤细存储器
300密耳胶或密封DIP ， 28引脚无引线芯片载体，
和28引脚PLCC 。存储器单元利用成熟的EPROM
浮栅技术和字节宽的智能编程
明算法。
该CY7C225A取代双极型器件，并提供了研华
更低的功耗，性能优越和高亲的产品关键词
编程的产量。在EPROM单元只需要12.5V的
超高压和低电流要求允许团伙亲
编程。在EPROM单元允许每个存储单元
要测试的100％ ，因为每个位置被写入，擦除和
之前封装反复行使。每个PROM是
还测试AC性能，以保证后定做
呃编程产品满足交流的技术指标。
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
COLUMN
地址
O
2
O
1
地址
解码器
8-BIT
边沿
引发
注册
ROW
地址
可编程
ARRAY
多路复用器
O
5
O
4
O
7
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
A
7
O
6
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
3
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
PS
E
CLR
E
S
CP
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
CLR
CP
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
E
S
E
4 3 2 1 28 27 26
25
5
24
6
23
7
22
8
21
9
20
10
19
11
12 13 141516 17 18
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
A5
A6
A7
NC
VCC
A8
PS
E
CLR
E
S
CP
NC
O
7
O
6
PS
S
R
CP
O
0
LCC / PLCC
顶视图
选购指南
7C225A-18
最小地址建立时间（纳秒）
最大时钟到输出（ NS ）
最大工作
电流（mA ）
广告
军事
18
12
90
7C225A-25
25
12
90
120
7C225A-30
30
15
90
120
120
7C225A-35
35
20
7C225A-40
40
25
90
120
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-04001牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年3月4日
CY7C225A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚24至引脚12） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
.....................................................0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
DC编程电压（引脚7 ， 18 ， 20 ） ............................ 13.0V
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
[1]
军事
[2]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
40
°
C至+ 85
°
C
55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
[3,4]
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
V
CD
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入漏电流
输入钳位二极管电压
输出漏电流
输出短路电流
电源电流
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最小值，我
OL
= 16毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
保证输入逻辑高电压
所有的输入
保证输入逻辑低电压所有
输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
注4
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
[5]
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
[6]
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大。
广告
军事
12
10
20
+10
90
90
120
13
50
3.0
0.4
V
mA
V
V
A
mA
mA
10
2.0
0.8
+10
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
V
PP
I
PP
V
国际水文计划
V
ILP
编程电压
编程电源电流
输入HIGH编程
电压
输入低电平编程
电压
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
=5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.联系赛普拉斯代表的工业级温度范围内。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4.见赛普拉斯数据手册中关于测试的一般信息“介绍CMOS PROM的”一节。
5.对于使用同步使能的设备，该设备必须施加这些电压来执行此测量后的时钟。
6.出于测试的目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短路测试持续时间不应超过30秒。
文件编号： 38-04001牧师**
第10 2
QQ：2881677436 复制
