CY7C199D
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
■
功能说明
该CY7C199D是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 32,768字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE ） ，积极提供低
输出使能（OE ）和三态驱动器。此装置具有一
自动断电功能，从而降低功率消耗
取消的时候。的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
7
)
被置于高阻抗状态时，该设备是
取消选择（ CE HIGH ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作（CE低电平和WE为低电平） 。
通过采取芯片使能（ CE）和写使能写入设备
（ WE）输入低电平。在8 IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）是
然后写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
14
).
从设备读取采取芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。下
这些条件下，存储位置的指定内容
通过地址引脚上出现的IO引脚。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
温度范围
工业： -40 ° C至85°C
汽车-E ： -40°C至125°C
引脚和功能与CY7C199C兼容
高速
t
AA
■
■
= 10纳秒（工业）
= 80 mA的10纳秒
= 3毫安
■
低有功功率
I
CC
■
CMOS的低待机功耗
I
SB2
■
■
■
■
■
■
2.0V数据保留
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
可提供无铅28引脚300mil的全模压SOJ ， 28引脚
300密耳宽SOIC和28引脚TSOP封装我
逻辑框图
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE
WE
OE
IO0
IO1
行解码器
32K ×8
ARRAY
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
列解码器
动力
下
IO7
A10
A12
A13
A11
A14
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05471牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年7月28日
[+ ]反馈
CY7C199D
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
....- 0.5V至+ 6.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
............................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压......................................... > 2,001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
汽车-E
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
0.5V
5V
±
0.5V
速度
10纳秒
25纳秒
电气特性
在整个工作范围
7C199D-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
[2]
输入低电压
[2]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
f=0
测试条件
民
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
80
72
58
37
10
2.2
–0.5
–5
–5
最大
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+5
+5
–
–
–
63
50
最大
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
mA
mA
mA
7C199D-25
单位
I
SB2
3
15
mA
注意：
2. V
IL
（分钟） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05471牧师* E
第12页3
[+ ]反馈
CY7C199D
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V
最大
8
8
单位
pF
pF
热阻
[3]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
SOJ
59.16
40.84
TSOP I
54.65
21.49
SOIC
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[4]
Z = 50Ω
产量
50
Ω
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
上升时间：
≤
3纳秒
下降时间：
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
3.0V
30pF*
10%
GND
90%
90%
10%
(a)
高Z特点：
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIG与范围
R2
255Ω
R1 480Ω
(b)
(c)
注意事项：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
4. AC特性（高Z除外）都使用图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载显示所有速度
在图（ c）所示。
文件编号： 38-05471牧师* E
第12页4
[+ ]反馈
CY7C199D
开关特性
（在整个工作范围内）
[5]
7C199D-10
参数
读周期
t
电力[ 6 ]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE [7]
t
HZOE [ 7,8 ]
t
LZCE [7]
t
HZCE [ 7,8 ]
t
聚氨酯[9]
t
PD [9]
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE [7]
t
LZWE [ 7,8 ]
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
WE高到低Z
3
10
7
7
0
0
7
6
0
5
3
25
18
18
0
0
18
12
0
11
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE低到通电
CE高到掉电
0
10
3
5
0
25
0
5
3
11
3
10
5
0
11
100
10
10
3
25
10
100
25
25
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
民
最大
7C199D-25
单位
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少为所有速度信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的如在（b）部分
“交流测试负载和波形
[4]
”
第4页转换测量
±200
毫伏从稳态电压。
9.此参数由设计保证，未经测试。
10.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止写
通过去HIGH 。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05471牧师* E
第12页5
[+ ]反馈
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