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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第165页 > CY7C199D-10ZXI
CY7C199D
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
■
功能说明
该CY7C199D是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 32,768字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE ） ，积极提供低
输出使能（OE ）和三态驱动器。此装置具有一
自动断电功能，从而降低功率消耗
取消的时候。的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
7
)
被置于高阻抗状态时，该设备是
取消选择（ CE HIGH ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作（CE低电平和WE为低电平） 。
通过采取芯片使能（ CE）和写使能写入设备
（ WE）输入低电平。在8 IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）是
然后写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
14
).
从设备读取采取芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。下
这些条件下，存储位置的指定内容
通过地址引脚上出现的IO引脚。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
温度范围
工业： -40 ° C至85°C
汽车-E ： -40°C至125°C
引脚和功能与CY7C199C兼容
高速
t
AA
■
■
= 10纳秒（工业）
= 80 mA的10纳秒
= 3毫安
■
低有功功率
I
CC
■
CMOS的低待机功耗
I
SB2
■
■
■
■
■
■
2.0V数据保留
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
可提供无铅28引脚300mil的全模压SOJ ， 28引脚
300密耳宽SOIC和28引脚TSOP封装我
逻辑框图
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE
WE
OE
IO0
IO1
行解码器
32K ×8
ARRAY
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
列解码器
动力
下
IO7
A10
A12
A13
A11
A14
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05471牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年7月28日
[+ ]反馈
CY7C199D
引脚配置
图1. 28引脚SOJ
（ TOP VIEW ）
图2. 28引脚SOIC
（ TOP VIEW ）
图3. 28引脚TSOP I
（ TOP VIEW ）
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
IO
0
IO
1
IO
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
IO
0
IO
1
IO
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
TSOP I
顶视图
（不按比例）
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
0
CE
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
GND
IO
2
IO
1
IO
0
A
14
A
13
A
12
选购指南
描述
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
-10 （工业）
10
80
3
-25 （汽车）
[1]
25
63
15
单位
ns
mA
mA
注意：
1.汽车产品信息是初步
文件编号： 38-05471牧师* E
第12页2
[+ ]反馈
CY7C199D
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
....- 0.5V至+ 6.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
............................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压......................................... > 2,001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
汽车-E
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
0.5V
5V
±
0.5V
速度
10纳秒
25纳秒
电气特性
在整个工作范围
7C199D-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
[2]
输入低电压
[2]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
f=0
测试条件
民
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
80
72
58
37
10
2.2
–0.5
–5
–5
最大
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+5
+5
–
–
–
63
50
最大
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
mA
mA
mA
7C199D-25
单位
I
SB2
3
15
mA
注意：
2. V
IL
（分钟） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05471牧师* E
第12页3
[+ ]反馈
CY7C199D
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V
最大
8
8
单位
pF
pF
热阻
[3]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
SOJ
59.16
40.84
TSOP I
54.65
21.49
SOIC
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[4]
Z = 50Ω
产量
50
Ω
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
上升时间：
≤
3纳秒
下降时间：
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
3.0V
30pF*
10%
GND
90%
90%
10%
(a)
高Z特点：
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIG与范围
R2
255Ω
R1 480Ω
(b)
(c)
注意事项：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
4. AC特性（高Z除外）都使用图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载显示所有速度
在图（ c）所示。
文件编号： 38-05471牧师* E
第12页4
[+ ]反馈
CY7C199D
开关特性
（在整个工作范围内）
[5]
7C199D-10
参数
读周期
t
电力[ 6 ]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE [7]
t
HZOE [ 7,8 ]
t
LZCE [7]
t
HZCE [ 7,8 ]
t
聚氨酯[9]
t
PD [9]
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE [7]
t
LZWE [ 7,8 ]
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
WE高到低Z
3
10
7
7
0
0
7
6
0
5
3
25
18
18
0
0
18
12
0
11
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE低到通电
CE高到掉电
0
10
3
5
0
25
0
5
3
11
3
10
5
0
11
100
10
10
3
25
10
100
25
25
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
民
最大
7C199D-25
单位
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少为所有速度信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的如在（b）部分
“交流测试负载和波形
[4]
”
第4页转换测量
±200
毫伏从稳态电压。
9.此参数由设计保证，未经测试。
10.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止写
通过去HIGH 。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05471牧师* E
第12页5
[+ ]反馈
CY7C199D
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C199C
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 80毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 3毫安
2.0V数据保留
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
提供无铅28引脚300mil的全模压SOJ和
28引脚TSOP封装我
功能说明
[1]
该CY7C199D是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 32,768字。易内存扩展
由一个低有效芯片使能（ CE）的活性提供
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。此设备具有
自动断电功能，降低功耗
食用时取消。的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
7
）被置于高阻抗状态时：
取消（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
当写操作被激活（CE低电平和WE为低电平）
通过采取芯片使能（ CE）写入设备和写入
使能（ WE）输入低电平。在8 IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
14
).
从设备读取采取芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
存储器位置的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定出现在IO引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE
WE
OE
IO0
IO1
行解码器
32K ×8
ARRAY
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
列解码器
动力
下
IO7
A10
A12
A13
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上可用
www.cypress.com 。
A11
A14
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05471牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年3月1日
[+ ]反馈
CY7C199D
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
IO
0
IO
1
IO
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
TSOP I
顶视图
（不按比例）
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
0
CE
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
GND
IO
2
IO
1
IO
0
A
14
A
13
A
12
选购指南
CY7C199D-10
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
10
80
3
单位
ns
mA
mA
文件编号： 38-05471牧师* D
第10 2
[+ ]反馈
CY7C199D
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
... –0.5V
直流输入电压
[2]
............................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ..... > 200毫安
至+ 6.0V
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
0.5V
速度
10纳秒
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
...................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
电气特性
（在整个工作范围内）
7C199D-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
[2]
输入低电压
[2]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
I
SB2
自动CE
掉电电流 - TTL输入
自动CE
掉电电流 - CMOS输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.5
–1
–1
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
80
72
58
37
10
3
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
注意：
2. V
IL
（分钟） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05471牧师* D
第10 3
[+ ]反馈
CY7C199D
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V
最大
8
8
单位
pF
pF
热阻
[3]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
SOJ
59.16
40.84
TSOP I
54.65
21.49
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[4]
Z = 50
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
上升时间：
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
3.0V
30pF*
GND
10%
90%
90%
10%
(a)
高阻抗特性：
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIG与范围
R2
255
(b)
下降时间：
≤
3纳秒
R1 480
(c)
注意事项：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
4. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05471牧师* D
第10 4
[+ ]反馈
CY7C199D
开关特性
（在整个工作范围内）
[5]
7C199D-10
参数
读周期
t
电力[ 6 ]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE [7]
t
HZOE [ 7,8 ]
t
LZCE [7]
t
HZCE [ 7,8 ]
t
聚氨酯[9]
t
PD [9]
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE [7]
t
LZWE [ 7,8 ]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
我们前高后低-Z
3
10
7
7
0
0
7
5
0
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
CE低到低Z
CE高来高-Z
CE为低电时
CE高到掉电
0
10
3
5
0
5
3
10
5
100
10
10
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
单位
注意事项：
5.测试条件假设3 ns以下的所有速度信号的转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V ，而输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的如在（b）部分
“交流测试负载和波形
[4]
“第4页。
转换测量
±200
毫伏从稳态电压。
9.此参数由设计保证，未经测试。
10.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号终止
由高去写。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05471牧师* D
第10个5
[+ ]反馈
CY7C199D
256 K（ 32千× 8 ）静态RAM
256 K（ 32千× 8 ）静态RAM
特点
■
功能说明
该CY7C199D是一种高性能的CMOS静态RAM
组织为32,768字×8位。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE ） ，积极提供低
输出使能（OE ）和三态驱动器。此装置具有一
自动关断功能，减少了功率消耗
取消的时候。的输入和输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
)
被置于高阻抗状态时，该设备是
取消选择（ CE HIGH ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作（CE低电平和WE为低电平） 。
通过采取芯片使能（ CE）和写使能写入设备
（ WE）输入低电平。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
)
将被写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
14
).
从设备读取采取芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。下
这些条件下，存储位置的指定内容
由地址引脚上出现I / O引脚。
温度范围
-40 ° C至85°C
引脚和功能与CY7C199C兼容
高速
t
AA
■
■
= 10纳秒
= 80 mA的10纳秒
= 3毫安
■
低有功功率
I
CC
■
CMOS的低待机功耗
I
SB2
■
■
■
2.0 V数据保留
取消时自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度/功耗
晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）兼容输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
可提供无铅28引脚300mil的全成型小外形
J形引脚封装（ SOJ ）和28引脚薄型小尺寸封装
（ TSOP ）我的包
■
■
■
逻辑框图
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05471牧师* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年6月2日
[+ ]反馈
CY7C199D
目录
引脚配置................................................ ............. 3
选型指南................................................ ................ 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
开关特性................................................ 6
数据保持特性....................................... 7
数据保存波形............................................... 7
开关波形................................................ ...... 7
真值表................................................ ........................ 9
订购信息................................................ ........ 9
订购代码定义........................................... 9
包图................................................ .......... 10
与缩略语................................................. ....................... 12
文档约定................................................ 12
计量单位............................................... ........ 12
文档历史记录页............................................... .. 13
销售，解决方案和法律信息...................... 14
全球销售和设计支持....................... 14
产品................................................. ................... 14
的PSoC解决方案................................................ ......... 14
文件编号： 38-05471牧师* I
第14页2
[+ ]反馈
CY7C199D
引脚配置
图1. 28引脚SOJ （顶视图）
图2. 28引脚TSOP I（顶视图）
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
TSOP I
顶视图
（不按比例）
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
选购指南
描述
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
-10 （工业）
10
80
3
单位
ns
mA
mA
文件编号： 38-05471牧师* I
第14页3
[+ ]反馈
CY7C199D
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度-65 ................................
C
+150
C
环境温度与
电源采用.......................................... -55
C
+125
C
电源电压上
V
CC
以相对GND
[1]
................................- 0.5 V至6.0 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
................................ -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
直流输入电压
[1]
............................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................ > 2001 V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ..... > 140毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
V
CC
速度
10纳秒
–40
C
+85
C
5 V
0.5 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
[1]
输入低电压
[1]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= V
CC（ MAX）的
,
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
电流 - TTL输入
CE自动断电
电流 - CMOS输入
V
CC
= V
CC（ MAX）的
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
V
CC
= V
CC（ MAX）的
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3 V或V
IN
< 0.3 V ， F = 0
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
测试条件
CY7C199D-10
民
2.4
–
2.2
–0.5
–1
–1
–
–
–
–
–
–
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
80
72
58
37
10
3
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
记
1. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V和V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 1 V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05471牧师* I
第14页4
[+ ]反馈
CY7C199D
电容
参数
[2]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
C,
F = 1MHz时， V
CC
= 5.0 V
最大
8
8
单位
pF
pF
热阻
参数
[2]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
28引脚SOJ
59.16
40.84
28引脚TSOP I组
54.65
21.49
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图3. AC测试负载和波形
[3]
Z = 50
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5 V
上升时间：
3
ns
所有的输入脉冲
3.0 V
30pF*
GND
10%
90%
90%
10%
(a)
高Z特点：
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIG与范围
R2
255
(b)
下降时间：
3
ns
R1 480
(c)
笔记
2.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
3. AC特性（高阻除外）均采用所示的负载条件下测试
科幻gure 3
（ a）中。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
所示
科幻gure 3
(c).
文件编号： 38-05471牧师* I
第14页5
[+ ]反馈
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