CY7C199CN
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
快速存取时间： 12纳秒， 15纳秒， 20纳秒，和25纳秒
宽电压范围： 5.0V ± 10 ％ （ 4.5V至5.5V ）
CMOS的最佳速度和力量
TTL兼容的输入和输出
2.0V数据保留
CMOS的低待机功耗
取消的时候自动断电
可提供无铅28引脚TSOP I， 28引脚模压SOJ和
28引脚DIP封装
概述
[1]
该CY7C199CN是一种高性能的CMOS异步
SRAM的8位，它支持一个组织为32K
异步存储器接口。该器件具有一个
自动断电功能，可降低功耗
食用时取消。
见
“真值表”第3页
本数据表中的
读写模式，完整的描述。
该CY7C199CN提供无铅28引脚TSOP I， 28针
模压SOJ引脚和28引脚DIP封装（ S） 。
逻辑框图
输入缓冲器
行解码器
RAM阵列
检测放大器
I /牛
CE
列解码器
动力
下
电路
WE
OE
X
A
X
产品组合
–12
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
（低功耗）
12
85
500
–15
15
80
500
–20
20
75
500
–25
25
75
500
单位
ns
mA
A
记
1.为了达到最佳做法的建议，请参阅赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
on
www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06435修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年3月8日
[+ ]反馈
CY7C199CN
引脚说明
针
A
X
CE
IO
X
OE
V
CC
V
SS
WE
输入
控制
输入或输出
控制
供应
供应
控制
TYPE
描述
地址输入
芯片使能
DATA INPUT产出
OUTPUT ENABLE
电源（ 5.0V ）
地
写使能
DIP
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9,
10, 21, 23, 24, 25, 26
20
11, 12, 13, 15, 16, 17,
18, 19
22
28
14
27
SOJ
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9,
10, 21, 23, 24, 25, 26
20
11, 12, 13, 15, 16, 17,
18, 19
22
28
14
27
TSOP I
2, 3, 4, 5, 8, 9, 10, 11, 12,
13, 14, 15, 16, 17, 28
27
18, 19, 20, 22, 23, 24, 25,
26
1
7
21
6
真值表
CE
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
IOx扩展
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
模式
取消/省电
读
写
选择输出禁用
动力
由（我站在
SB
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
最大额定值
超出最大额定值可能会影响器件的使用寿命。这些用户指导未经测试。
参数
T
英镑
T
AMB
V
CC
V
IN
, V
OUT
I
OUT
V
ESD
I
LU
储存温度
环境温度与功耗的应用（也就是外壳温度）
内核电源电压相对于V
SS
直流电压应用到任何引脚相对于V
SS
输出短路电流
静电放电电压（符合MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流
描述
价值
-65到+150
-55到+125
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
＆ GT ; 2001年
＆ GT ; 200
单位
°C
°C
V
V
mA
V
mA
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
环境温度（T
A
)
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
电压范围（Ⅴ
CC
)
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
文件编号： 001-06435修订版* B
第14页3
[+ ]反馈
CY7C199CN
DC电气特性
在工作范围（ -12 ， -15 ）
[2]
参数
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
CC
I
SB1
描述
输入高电压
输入低电压
输出高电压V
CC
=最小，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小，我
OL
= 8.0毫安
V
CC
操作
电源电流
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = F
最大
= 1/t
RC
条件
动力
–
–
–
–
–
–
L
–
L
–
–
–12
民
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
–
–
–
–5
–5
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
85
30
10
10
500
+5
+5
民
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
–
–
–
–5
–5
–15
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
80
30
10
10
500
+5
+5
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
A
A
A
自动电源CE MAX V
CC
，CE
≥
V
IH
,
断电流TTL
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = F
最大
输入
自动电源CE MAX V
CC
，CE
≥
V
CC
– 0.3V,
断电流CMOS V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
输入
输出漏
当前
输入漏
当前
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，输出禁用
GND
≤
V
I
≤
V
CC
I
SB2
I
OZ
I
IX
DC电气特性
在工作范围（ -20 ， -25 ）
[2]
参数
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
CC
I
SB1
描述
输入高电压
输入低电压
输出高电压V
CC
=最小，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小，我
OL
= 8.0毫安
V
CC
操作
电源电流
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = F
最大
= 1/t
RC
条件
动力
–
–
–
–
–
–
L
–
L
–
–
–20
民
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
–
–
–
–5
–5
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
75
30
10
10
500
+5
+5
民
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
–
–
–
–5
–5
–25
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
75
30
10
10
500
+5
+5
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
A
A
A
自动电源CE MAX V
CC
，CE
≥
V
IH
,
断电流TTL
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = F
最大
输入
自动电源CE MAX V
CC
，CE
≥
V
CC
– 0.3V,
断电流CMOS V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
输入
输出漏
当前
输入漏
当前
GND
≤
Vi
≤
V
CC
，输出禁用
GND
≤
Vi
≤
V
CC
I
SB2
I
OZ
I
IX
记
2. V
IL
（分钟） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 001-06435修订版* B
第14页4
[+ ]反馈
CY7C199CN
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V
最大
8
8
单位
pF
热阻
[3]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5
平方英寸， 2层印刷
电路板
TSOP I
88.6
21.94
SOJ
79
41.42
DIP
69.33
31.62
单位
° C / W
AC测试负载
ü ü TP T L A D s
R1
V
C C
V
C C
ü TP ü吨
C1
R2
ü ü TP T L A D s
FO 吨
产地证电子
, t
权证
＆放大器;牛逼
宽E
R3
C2
R4
(A )*
(B )*
一ll在P ü吨P ü LS （E S）
90%
90%
牛逼 ê V简于E Q ü IV A了N吨
V
C C
ü TP ü吨
R
th
V
T
V
S S
10%
10%
r为（E T） IM ê
1 V / N s个
F A LL牛逼IM ê
1 V / N s个
*在C鲁D在gscopeand夹具CAPAC ITA NCE
AC测试条件
参数
C1
C2
R1
R2
R3
R4
R
TH
V
TH
电容1
电容器2
电阻1
电阻器2
电阻3
电阻4
戴维南电阻
电压戴维南
描述
喃
30
5
480
255
480
255
167
1.73
V
单位
pF
记
3.测试的任何设计或工艺变更可能会影响这些参数之后。
文件编号： 001-06435修订版* B
第14页5
[+ ]反馈
CY7C199CN
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
快速存取时间： 12纳秒， 15纳秒， 20纳秒，和25纳秒
宽电压范围： 5.0V ± 10 ％ （ 4.5V至5.5V ）
CMOS的最佳速度和力量
TTL兼容的输入和输出
2.0V数据保留
CMOS的低待机功耗
取消的时候自动断电
可提供无铅28引脚TSOP I， 28引脚模压SOJ和
28引脚DIP封装
概述
[1]
该CY7C199CN是一种高性能的CMOS异步
SRAM的8位，它支持一个组织为32K
异步存储器接口。该器件具有一个
自动断电功能，可降低功耗
食用时取消。
见
“真值表”第3页
本数据表中的
读写模式，完整的描述。
该CY7C199CN提供无铅28引脚TSOP I， 28针
模压SOJ引脚和28引脚DIP封装（ S） 。
逻辑框图
输入缓冲器
行解码器
RAM阵列
检测放大器
I /牛
CE
列解码器
动力
下
电路
WE
OE
X
A
X
产品组合
–12
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
（低功耗）
12
85
500
–15
15
80
500
–20
20
75
500
–25
25
75
500
单位
ns
mA
A
记
1.为了达到最佳做法的建议，请参阅赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
on
www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06435修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年3月8日
CY7C199CN
引脚说明
针
A
X
CE
IO
X
OE
V
CC
V
SS
WE
输入
控制
输入或输出
控制
供应
供应
控制
TYPE
描述
地址输入
芯片使能
DATA INPUT产出
OUTPUT ENABLE
电源（ 5.0V ）
地
写使能
DIP
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9,
10, 21, 23, 24, 25, 26
20
11, 12, 13, 15, 16, 17,
18, 19
22
28
14
27
SOJ
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9,
10, 21, 23, 24, 25, 26
20
11, 12, 13, 15, 16, 17,
18, 19
22
28
14
27
TSOP I
2, 3, 4, 5, 8, 9, 10, 11, 12,
13, 14, 15, 16, 17, 28
27
18, 19, 20, 22, 23, 24, 25,
26
1
7
21
6
真值表
CE
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
IOx扩展
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
模式
取消/省电
读
写
选择输出禁用
动力
由（我站在
SB
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
最大额定值
超出最大额定值可能会影响器件的使用寿命。这些用户指导未经测试。
参数
T
英镑
T
AMB
V
CC
V
IN
, V
OUT
I
OUT
V
ESD
I
LU
储存温度
环境温度与功耗的应用（也就是外壳温度）
内核电源电压相对于V
SS
直流电压应用到任何引脚相对于V
SS
输出短路电流
静电放电电压（符合MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流
描述
价值
-65到+150
-55到+125
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
＆ GT ; 2001年
＆ GT ; 200
单位
°C
°C
V
V
mA
V
mA
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
环境温度（T
A
)
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
电压范围（Ⅴ
CC
)
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
文件编号： 001-06435修订版* B
第14页3
CY7C199CN
DC电气特性
在工作范围（ -12 ， -15 ）
[2]
参数
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
CC
I
SB1
描述
输入高电压
输入低电压
输出高电压V
CC
=最小，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小，我
OL
= 8.0毫安
V
CC
操作
电源电流
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = F
最大
= 1/t
RC
条件
动力
–
–
–
–
–
–
L
–
L
–
–
–12
民
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
–
–
–
–5
–5
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
85
30
10
10
500
+5
+5
民
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
–
–
–
–5
–5
–15
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
80
30
10
10
500
+5
+5
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
A
A
A
自动电源CE MAX V
CC
，CE
≥
V
IH
,
断电流TTL
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = F
最大
输入
自动电源CE MAX V
CC
，CE
≥
V
CC
– 0.3V,
断电流CMOS V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
输入
输出漏
当前
输入漏
当前
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，输出禁用
GND
≤
V
I
≤
V
CC
I
SB2
I
OZ
I
IX
DC电气特性
在工作范围（ -20 ， -25 ）
[2]
参数
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
CC
I
SB1
描述
输入高电压
输入低电压
输出高电压V
CC
=最小，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小，我
OL
= 8.0毫安
V
CC
操作
电源电流
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = F
最大
= 1/t
RC
条件
动力
–
–
–
–
–
–
L
–
L
–
–
–20
民
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
–
–
–
–5
–5
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
75
30
10
10
500
+5
+5
民
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
–
–
–
–5
–5
–25
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
75
30
10
10
500
+5
+5
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
A
A
A
自动电源CE MAX V
CC
，CE
≥
V
IH
,
断电流TTL
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = F
最大
输入
自动电源CE MAX V
CC
，CE
≥
V
CC
– 0.3V,
断电流CMOS V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
输入
输出漏
当前
输入漏
当前
GND
≤
Vi
≤
V
CC
，输出禁用
GND
≤
Vi
≤
V
CC
I
SB2
I
OZ
I
IX
记
2. V
IL
（分钟） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 001-06435修订版* B
第14页4
CY7C199CN
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V
最大
8
8
单位
pF
热阻
[3]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5
平方英寸， 2层印刷
电路板
TSOP I
88.6
21.94
SOJ
79
41.42
DIP
69.33
31.62
单位
° C / W
AC测试负载
ü ü TP T L A D s
R1
V
C C
V
C C
ü TP ü吨
C1
R2
ü ü TP T L A D s
FO 吨
产地证电子
, t
权证
＆放大器;牛逼
宽E
R3
C2
R4
(A )*
(B )*
一ll在P ü吨P ü LS （E S）
90%
90%
牛逼 ê V简于E Q ü IV A了N吨
V
C C
ü TP ü吨
R
th
V
T
V
S S
10%
10%
r为（E T） IM ê
1 V / N s个
F A LL牛逼IM ê
1 V / N s个
*在C鲁D在gscopeand夹具CAPAC ITA NCE
AC测试条件
参数
C1
C2
R1
R2
R3
R4
R
TH
V
TH
电容1
电容器2
电阻1
电阻器2
电阻3
电阻4
戴维南电阻
电压戴维南
描述
喃
30
5
480
255
480
255
167
1.73
V
单位
pF
记
3.测试的任何设计或工艺变更可能会影响这些参数之后。
文件编号： 001-06435修订版* B
第14页5
QQ：2881677436 复制
