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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第967页 > CY7C199C-15VIT
CY7C199C
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
快速存取时间： 12纳秒
宽电压范围： 5.0V ± 10 ％ （ 4.5V至5.5V ）
CMOS的最佳速度/功耗
TTL兼容的输入和输出
2.0V数据保留
CMOS低待机功耗
取消时自动断电
提供无铅和无无铅28引脚（ 300密耳）
模压SOJ ， 28引脚（ 300 mil）的DIP和28引脚TSOP I
套餐
概述
该CY7C199C是一个高性能的CMOS异步
SRAM的8位，它支持一个组织为32K
异步存储器接口。该器件具有一个
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
见真值表本数据手册的完整
读写模式介绍
逻辑框图
输入缓冲器
行解码器
RAM阵列
ARRAY
32K ×8
检测放大器
I /牛
CE
列解码器
动力
下
电路
WE
OE
A
X
X
产品组合
12纳秒
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流（ L）
12
85
15纳秒
15
80
500
20纳秒
20
75
单位
ns
mA
A
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参阅赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
在www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05408牧师* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日
[+ ]反馈
CY7C199C
引脚布局与规格
28 DIP （ 6.9× 35.6 ×3.5 MM）
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28 TSOP I（ 8× 13.4毫米）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
V
SS
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
28 SOJ
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
文件编号： 38-05408牧师* C
分页： 13 2
[+ ]反馈
CY7C199C
引脚说明
针
A
X
CE
I / O
X
OE
V
CC
V
SS
WE
TYPE
输入
控制
输入或
产量
控制
供应
供应
控制
描述
地址输入
芯片使能
数据
输入/输出
OUTPUT ENABLE
电源（ 5.0V ）
地
写使能
DIP
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10,
21, 23, 24, 25, 26
20
11, 12, 13, 15, 16, 17,
18, 19
22
28
14
27
SOJ
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10,
21, 23, 24, 25, 26
20
11, 12, 13, 15, 16, 17, 18,
19
22
28
14
27
TSOP I
2, 3, 4, 5, 8, 9, 10, 11, 12,
13, 14, 15, 16, 17, 28
27
18, 19, 20, 22, 23, 24, 25,
26
1
7
21
6
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户的指引，没有测试。 ）
参数
T
英镑
T
AMB
V
CC
V
IN
, V
OUT
I
OUT
V
ESD
I
LU
储存温度
环境温度与功耗应用（如外壳温度）
内核电源电压相对于V
SS
直流电压应用到任何引脚相对于V
SS
输出短路电流
静电放电电压（符合MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流
描述
价值
-65到+150
-55到+125
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
＆ GT ; 2001年
＆ GT ; 200
单位
°C
°C
V
V
mA
V
mA
工作范围
范围
广告
产业
环境温度（T
A
)
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
电压范围（Ⅴ
CC
)
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
DC电气特性
在整个工作范围
[2]
12纳秒
参数
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输入高电压
输入低电压
输出高电压V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，输出
残
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = F
最大
= 1/t
RC
L
10
L
–5
–5
条件
分钟。
2.2
–0.5
2.4
0.4
+5
+5
85
30
–5
–5
马克斯。
V
CC
+ 0.3
0.8
分钟。
2.2
–0.5
2.4
0.4
+5
+5
80
30
10
10
500
10
–5
–5
15纳秒
马克斯。
V
CC
+ 0.3
0.8
分钟。
2.2
–0.5
2.4
0.4
+5
+5
75
30
20纳秒
马克斯。
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
A
自动CE
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
, V
IN
≥
掉电电流V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = F
最大
TTL输入
自动CE
最大。 V
CC
，CE
≥
V
CC
– 0.3V,
掉电电流V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
CMOS输入
I
SB2
注意：
2. V
IL
（分钟） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05408牧师* C
第13 3
[+ ]反馈
CY7C199C
电容
[3]
马克斯。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
ALL - 套餐
8
8
单位
pF
热阻
[4]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5
平方英寸， 2层印刷
电路板
TSOP I
88.6
21.94
SOJ
79
41.42
DIP
69.33
31.62
单位
° C / W
交流测试负载和波形
V
CC
C1
INCLUDING
夹具
范围
R1
V
CC
R2
C2
INCLUDING
JIGAND
范围
R1
3.0V
R2
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
≤
1V/ns
≤
1V/ns
(a)
(b)
相当于：
产量
戴维南等效
R
th
V
T
输出负载
输出负载
t
HZOE ，
t
HZCE ，
t
HZWE
注意事项：
3.测试的任何设计或工艺变更可能会影响这些参数之后。
4.测试条件假设为3纳秒或更小的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V 。
文件编号： 38-05408牧师* C
第13 4
[+ ]反馈
CY7C199C
AC测试条件
参数
C1
C2
R1
R2
R
TH
V
TH
电容1
电容器2
电阻1
电阻器2
戴维南电阻
电压戴维南
描述
喃。
30
5
480
255
167
1.73
单位
pF
V
AC电气特性
[5, 6, 7]
12纳秒
参数
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
描述
读周期时间
地址到数据有效
从ADDRES变化数据保持
CE到数据有效
OE到数据有效
OE为低Z
OE为高Z
CE为低Z
CE为高Z
CE到电
CE掉电
写周期时间
CE撰写完
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
WE高到低Z
3
12
9
9
0
0
8
8
0
7
3
0
12
15
10
10
0
0
9
9
0
7
3
3
5
0
15
20
15
15
0
0
15
10
0
10
0
5
3
7
0
20
3
12
5
0
7
3
9
民
12
12
3
15
7
0
9
最大
民
15
15
3
20
9
15纳秒
最大
民
20
20
20纳秒
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
5.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
6.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须为低电平启动写操作，以及任何过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
7. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
在A / C测试负载（二）被指定为部分。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
文件编号： 38-05408牧师* C
第13个5
[+ ]反馈
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推荐型号
CDT100GK08
CD74HCT125M
CSR13B685K
CDC2351DW
CDRH10D48/ANP-180MC
CY7C130DV25
CY37256VP352-83BGXC
CK45-B3DD102KYNN
CG6462AM
CTA51BO156VDC1.6S
CF5074A-1
CO27VH05CE-02-10.000
CY2304SI-2
CY7C63411-PVC
CAT522PITE13
CRO2537A-LF
CY7C457-30JC
CL-L251-C6N
C192G102C5CK5CP
CM15-2025
供货商
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