7c198: 10/25/89
修订： 1996年2月29日
特点
D
D
D
D
D
D
D
高速
15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
990毫瓦
低待机功耗
195毫瓦
易内存扩展CE和
OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动电源关闭时，
取消
该CY7C198是一种高性能
CMOS静态RAM组织为32,768
也就是说by8bits.Easymemoryexpansionis
由低电平有效芯片使能提供
（ CE ） andactiveLOWoutputenable （ OE ）
三态驱动器。此装置具有一
自动断电功能，降低
当去了80％的功率消耗
选择。该CY7C198是一个可
600密耳宽CERDIP和LCC封装
和32引脚TSOP封装。
一个低电平有效写使能信号（ WE）
控制的写入/读出操作
的存储器。当CE和WE输入
arebothLOW ， dataontheeightdatainput /
功能说明
输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入
intothememorylocationaddressedbythe
针对目前的地址引脚（A
0
至A
14
） 。阅读器是交流
complishedbyselectingthedeviceanden
abling输出， CE和OE活跃
低，虽然我们仍然处于非活动状态或
HIGH 。在这些条件下，在CON组
位置帐篷的讨论中
formationonaddresspinsispresentonthe
八个数据输入/输出管脚。
theinput的时候/ outputpinsremaininahigh IM
除非该芯片被选中pedance状态，
输出使能和写使能
（WE）为HIGH 。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
32K x 8静态RAM
CY7C198
逻辑框图
销刀豆网络gurations
CERDIP
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
I / O
0
A
11
A
12
I / O
1
A
13
A
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A7
A 12
A 14
V
CC
LCC
顶视图
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
WE
NC
A
13
C198 1
输入缓冲器
A
0
行解码器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
I / O
0
I / O
2
检测放大器
I / O
1
I / O
2
I / O
3
GND
14 15 16 17 1819 20
GND
I / O
1
I / O
2
NC
I / O
3
I / O
4
I / O
5
1024 x 32 x 8
ARRAY
C198 3
I / O
4
I / O
5
CE
WE
COLUMN
解码器
OE
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
C198 2
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）商业
军事
最大待机电流（mA ）
7C198-15 7C198-20 7C198-25 7C198-35 7C198-45
15
阴影区域中包含的初步信息。
赛普拉斯半导体公司
180
30
20
150
170
30
25
35
45
150
30
150
25
150
25
D
3901北一街
1
D
圣荷西
CA 95134
D
408-943-2600
1988年2月 - 修订1996年2月
D
7c198: 10/25/89
修订： 1996年2月29日
CY7C198
销刀豆网络gurations
（续）
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
NC
NC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP
顶视图
32
21
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
NC
NC
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
C198 4
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南，
未测试）。
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
_
C至+150
_
C
环境温度与
电源中的应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
_
C至+ 125
_
C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[15]
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
CC
+ 0.5V
DC输入
电压
[15]
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
注意事项：
15. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
16. T
A
是？即时on"外壳温度。
静电放电电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2001V
（每MIL STD 883 ，方法3015 ）
闩锁电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >200毫安
工作范围
范围
广告
军事
[16]
环境
温度
0
_
C至+70
_
C
-55
_
C至+ 125
_
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
2
7c198: 10/25/89
修订： 1996年2月29日
CY7C198
交流测试负载和波形
[20]
5V
产量
R1 481
W
5V
产量
R1 481
W
3.0V
GND
10%
＆ LT ; F
r
R2
R2
5 pF的
30 pF的
255
W
255
W
INCLUDING
INCLUDING
夹具
夹具
C198 5
范围
(b)
范围
(a)
相当于：
戴维南等效
167
W
产量
1.73V
开关特性
在整个工作范围
[17, 21]
7C198-15
参数
读周期
描述
分钟。
马克斯。
7C198-20
分钟。
马克斯。
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
＆ LT ;吨
r
C198 6
7C198-25
分钟。
马克斯。
7C198-35
分钟。
马克斯。
7C198-45
分钟。
马克斯。
单位
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[22]
OE高到高Z
[22, 23]
CE低到低Z
[22]
CE高到高阻
[22, 23]
CE低到通电
CE高到掉电
[24, 25]
15
3
0
3
0
15
10
10
0
0
9
9
0
3
15
15
7
7
7
15
20
3
0
3
0
20
15
15
0
0
15
10
0
3
20
20
9
9
9
20
25
3
3
3
0
25
20
20
0
0
20
15
0
3
25
25
10
11
11
20
35
3
3
3
0
35
22
30
0
0
22
15
0
3
35
35
16
15
15
20
45
3
3
3
0
45
22
40
0
0
22
15
0
3
45
45
16
15
15
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
阴影区域中包含的初步信息。
注意事项：
写周期时间
CE低到写结束
地址设置为写入结束
从写端地址保持
地址设置为写开始
WE脉冲宽度
数据设置为写入结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[23]
WE高到低Z
[22]
7
10
11
15
15
20 t
r
3纳秒为15 ns到20 ns的速度，T
r
5纳秒为20纳秒，并
较慢的速度。
21.测试条件假设为3纳秒或更小的信号过渡时间
12 ns的AND15纳秒的速度和5纳秒为20纳秒andslowerspeeds ，定时
referencelevelsof1.5V,inputpulselevelsof0to3.0V,andoutputload
ING指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
22.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于
t
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
23. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的如在（b）部分
交流测试负载。过渡测量± 500 mV的从稳态
电压。
24.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
低和WE低。这两个信号必须为低电平启动写和
两种信号可以通过去HIGH终止写入。数据输入集
upandholdtimingshouldbereferencedtotherisingedgeofthesignal
终止写入。
25.一种用于写周期＃ 3的最小写周期时间（WE控制，操作环境
低）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
4
7c198: 10/25/89
修订： 1996年2月29日
CY7C198
开关波形
读周期1号
[26, 27]
t
RC
地址
数据输出
读周期2号
[27, 28]
t
OHA
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C198 7
CE
OE
t
ACE
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
美国能源部
t
RC
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
数据输出
V
CC
供应
当前
高
阻抗
ICC
ISB
C198 8
写周期号1 （我们控制）
[24, 29, 30]
t
WC
地址
CE
WE
OE
数据I / O
t
HZOE
注意事项：
26.
27.
28.
设备被连续地选择。 OE ，CE = V
IL
.
WE为高的读周期。
.
地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
29.
30.
数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
如果行政长官同时变为高电平与WE高电平时，输出保持
在高阻抗状态。
t
SA
t
AW
t
PWE
t
HA
t
SD
数据
IN
有效
t
HD
C198 9
5
7c198: 10/25/89
修订： 1996年2月29日
特点
D
D
D
D
D
D
D
高速
15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
990毫瓦
低待机功耗
195毫瓦
易内存扩展CE和
OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动电源关闭时，
取消
该CY7C198是一种高性能
CMOS静态RAM组织为32,768
也就是说by8bits.Easymemoryexpansionis
由低电平有效芯片使能提供
（ CE ） andactiveLOWoutputenable （ OE ）
三态驱动器。此装置具有一
自动断电功能，降低
当去了80％的功率消耗
选择。该CY7C198是一个可
600密耳宽CERDIP和LCC封装
和32引脚TSOP封装。
一个低电平有效写使能信号（ WE）
控制的写入/读出操作
的存储器。当CE和WE输入
arebothLOW ， dataontheeightdatainput /
功能说明
输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入
intothememorylocationaddressedbythe
针对目前的地址引脚（A
0
至A
14
） 。阅读器是交流
complishedbyselectingthedeviceanden
abling输出， CE和OE活跃
低，虽然我们仍然处于非活动状态或
HIGH 。在这些条件下，在CON组
位置帐篷的讨论中
formationonaddresspinsispresentonthe
八个数据输入/输出管脚。
theinput的时候/ outputpinsremaininahigh IM
除非该芯片被选中pedance状态，
输出使能和写使能
（WE）为HIGH 。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
32K x 8静态RAM
CY7C198
逻辑框图
销刀豆网络gurations
CERDIP
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
I / O
0
A
11
A
12
I / O
1
A
13
A
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A7
A 12
A 14
V
CC
LCC
顶视图
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
WE
NC
A
13
C198 1
输入缓冲器
A
0
行解码器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
I / O
0
I / O
2
检测放大器
I / O
1
I / O
2
I / O
3
GND
14 15 16 17 1819 20
GND
I / O
1
I / O
2
NC
I / O
3
I / O
4
I / O
5
1024 x 32 x 8
ARRAY
C198 3
I / O
4
I / O
5
CE
WE
COLUMN
解码器
OE
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
C198 2
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）商业
军事
最大待机电流（mA ）
7C198-15 7C198-20 7C198-25 7C198-35 7C198-45
15
阴影区域中包含的初步信息。
赛普拉斯半导体公司
180
30
20
150
170
30
25
35
45
150
30
150
25
150
25
D
3901北一街
1
D
圣荷西
CA 95134
D
408-943-2600
1988年2月 - 修订1996年2月
D
7c198: 10/25/89
修订： 1996年2月29日
CY7C198
销刀豆网络gurations
（续）
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
NC
NC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP
顶视图
32
21
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
NC
NC
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
C198 4
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南，
未测试）。
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
_
C至+150
_
C
环境温度与
电源中的应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
_
C至+ 125
_
C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[15]
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
CC
+ 0.5V
DC输入
电压
[15]
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
注意事项：
15. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
16. T
A
是？即时on"外壳温度。
静电放电电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2001V
（每MIL STD 883 ，方法3015 ）
闩锁电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >200毫安
工作范围
范围
广告
军事
[16]
环境
温度
0
_
C至+70
_
C
-55
_
C至+ 125
_
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
2
7c198: 10/25/89
修订： 1996年2月29日
CY7C198
交流测试负载和波形
[20]
5V
产量
R1 481
W
5V
产量
R1 481
W
3.0V
GND
10%
＆ LT ; F
r
R2
R2
5 pF的
30 pF的
255
W
255
W
INCLUDING
INCLUDING
夹具
夹具
C198 5
范围
(b)
范围
(a)
相当于：
戴维南等效
167
W
产量
1.73V
开关特性
在整个工作范围
[17, 21]
7C198-15
参数
读周期
描述
分钟。
马克斯。
7C198-20
分钟。
马克斯。
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
＆ LT ;吨
r
C198 6
7C198-25
分钟。
马克斯。
7C198-35
分钟。
马克斯。
7C198-45
分钟。
马克斯。
单位
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[22]
OE高到高Z
[22, 23]
CE低到低Z
[22]
CE高到高阻
[22, 23]
CE低到通电
CE高到掉电
[24, 25]
15
3
0
3
0
15
10
10
0
0
9
9
0
3
15
15
7
7
7
15
20
3
0
3
0
20
15
15
0
0
15
10
0
3
20
20
9
9
9
20
25
3
3
3
0
25
20
20
0
0
20
15
0
3
25
25
10
11
11
20
35
3
3
3
0
35
22
30
0
0
22
15
0
3
35
35
16
15
15
20
45
3
3
3
0
45
22
40
0
0
22
15
0
3
45
45
16
15
15
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
阴影区域中包含的初步信息。
注意事项：
写周期时间
CE低到写结束
地址设置为写入结束
从写端地址保持
地址设置为写开始
WE脉冲宽度
数据设置为写入结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[23]
WE高到低Z
[22]
7
10
11
15
15
20 t
r
3纳秒为15 ns到20 ns的速度，T
r
5纳秒为20纳秒，并
较慢的速度。
21.测试条件假设为3纳秒或更小的信号过渡时间
12 ns的AND15纳秒的速度和5纳秒为20纳秒andslowerspeeds ，定时
referencelevelsof1.5V,inputpulselevelsof0to3.0V,andoutputload
ING指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
22.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于
t
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
23. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的如在（b）部分
交流测试负载。过渡测量± 500 mV的从稳态
电压。
24.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
低和WE低。这两个信号必须为低电平启动写和
两种信号可以通过去HIGH终止写入。数据输入集
upandholdtimingshouldbereferencedtotherisingedgeofthesignal
终止写入。
25.一种用于写周期＃ 3的最小写周期时间（WE控制，操作环境
低）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
4
7c198: 10/25/89
修订： 1996年2月29日
CY7C198
开关波形
读周期1号
[26, 27]
t
RC
地址
数据输出
读周期2号
[27, 28]
t
OHA
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C198 7
CE
OE
t
ACE
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
美国能源部
t
RC
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
数据输出
V
CC
供应
当前
高
阻抗
ICC
ISB
C198 8
写周期号1 （我们控制）
[24, 29, 30]
t
WC
地址
CE
WE
OE
数据I / O
t
HZOE
注意事项：
26.
27.
28.
设备被连续地选择。 OE ，CE = V
IL
.
WE为高的读周期。
.
地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
29.
30.
数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
如果行政长官同时变为高电平与WE高电平时，输出保持
在高阻抗状态。
t
SA
t
AW
t
PWE
t
HA
t
SD
数据
IN
有效
t
HD
C198 9
5
QQ：2881677436 复制
