CY7C197N
256Kx1静态RAM
特点
高速
= 25纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 880毫瓦
低待机功耗
- 220毫瓦
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
功能说明
该CY7C197N是一个高性能的CMOS静态RAM
由1位组织为256K字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE）和三态提供
驱动程序。该CY7C197N具有自动断电
特性，降低了功率消耗减少75 ％时
取消选择。
写器件是造诣当芯片使能
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。上的数据
输入引脚（四
IN
）被写入到存储器位置指定上
地址引脚（A
0
至A
17
).
阅读该设备通过采取芯片使能实现
（ CE）低，而写使能（ WE）仍然很高。下
这些条件下的存储器位置的内容指定
上的地址引脚会出现在数据输出（D
OUT
）引脚。
输出引脚保持在高阻抗状态，当芯片
使能（CE ）为高电平或写使能（WE ）是低电压。
该CY7C197N利用模涂，以保证阿尔法免疫力。
逻辑框图
DI
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
输入缓冲器
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
行解码器
1024 x 256
ARRAY
检测放大器
DO
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
D
OUT
WE
GND
1
24
2
23
22
3
4
21
5
20
6 7C197 19
18
7
8
17
9
16
10
15
14
11
12
13
V
CC
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
D
IN
CE
COLUMN
解码器
动力
下
CE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
WE
选购指南
-25
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
25
95
30
30
-45
45
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06495修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年2月2日
[+ ]反馈
CY7C197N
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚24至引脚12） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
-25, -45
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路电流
[2]
V
CC
工作电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
[3]
CE自动断电
目前， CMOS输入
[3]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 12.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
-300
95
30
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意：
1. V
（分）
=
-
2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
3.上拉电阻到V
CC
在CE输入必须保持在V取消设备
CC
电，否则我
SB
将超过给定值。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. t
r
= < 5纳秒为-25和较慢的速度。
文件编号： 001-06495修订版**
第2 7
[+ ]反馈
CY7C197N
交流测试负载和波形
[5]
R1 329
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
5V
产量
R2
5 pF的
202
（ 255Ω MIL ），包括
夹具
范围
相当于：
R2
255
（ 255Ω MIL ）
3.0V
10%
GND
＆ LT ;吨
r
＆ LT ;吨
r
R1 329
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
(a)
(b)
戴维南等效
125
产量
1.90V
广告
开关特性
在整个工作范围
[8]
-25
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变更输出保持
CE低到数据有效
CE低到低Z
[9]
CE高到高阻
[9, 10]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[9]
WE低到高Z
[9, 10]
25
20
20
0
0
20
15
0
3
0
11
3
0
0
20
45
40
40
0
0
30
20
0
3
0
15
11
3
25
3
0
0
30
15
25
25
3
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-45
马克斯。
单位
写周期
[11]
注意：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
7. t
r
= < 5纳秒为-25和较慢的速度。
8.测试条件假设5 ns以下为-25和较慢的速度信号的转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V ，输出
装载指定I的
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10. t
HZCE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的是在交流测试负载和波形（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
11.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 001-06495修订版**
第3页7
[+ ]反馈
CY7C197N
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
读周期2号
[12]
CE
t
ACE
t
LZCE
数据输出
高阻抗
t
RC
t
HZCE
数据有效
t
PD
高
阻抗
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
ICC
50%
ISB
写周期号1 （我们控制）
[11]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
WE
t
SD
DATA IN
数据有效
t
HZWE
数据输出
数据中，未定义
t
LZWE
高阻抗
C197-8
t
AW
t
PWE
t
HA
t
HD
注意事项：
12.我们是高读周期。
13.设备不断选择， CE = V
IL
.
14.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 001-06495修订版**
第4 7
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
