97
CY7C197
256Kx1静态RAM
特点
高速
= 12 ns的
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 880毫瓦
低待机功耗
- 220毫瓦
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
由低电平有效芯片使能（ CE）和三态driv- vided
ERS 。该CY7C197具有自动断电功能，
减小功耗75％，取消选择时。
写器件是造诣当芯片使能
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。上的数据
输入引脚（四
IN
）被写入到存储器位置指定上
地址引脚（A
0
至A
17
).
阅读该设备通过采取芯片使能实现
（ CE）低，而写使能（ WE）仍然很高。下
这些条件下的存储器位置的内容指定
上的地址引脚会出现在数据输出（D
OUT
）引脚。
输出引脚保持在高阻抗状态，当芯片
使能（CE ）为高电平或写使能（WE ）是低电压。
该CY7C197利用模涂，以保证阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C197是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
认列之为256K字1位。简单的内存扩展为亲
逻辑框图
DI
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ
顶视图
输入缓冲器
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
D
OUT
WE
GND
1
24
2
23
3
22
4
21
5
20
6 7C197 19
18
7
8
17
9
16
10
15
14
11
12
13
V
CC
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
D
IN
CE
C197-2
CE
LCC
顶视图
A2
A1
A0
V
CC
A 17
NC
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
D
OUT
NC
3 2 1 28 27
4
26 NC
5
25 A
16
6
24 A
15
7
23 A
14
8
7C197二条
13
9
21 A
12
10
20 A
11
11
19 A
10
12
18 NC
1314151617
WE
GND
CE
DIN
A9
C197-3
行解码器
1024 x 256
ARRAY
检测放大器
DO
COLUMN
解码器
动力
下
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
WE
C197-1
选购指南
7C197-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
12
150
30
7C197-15
15
140
30
7C197-20
20
135
30
7C197-25
25
95
30
7C197-35
35
95
30
30
7C197-45
45
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05049牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C197
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
.....................................65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源应用................................................ ..- 55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位
（引脚24至引脚12） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C197-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路
短路电流
[2]
V
CC
操作
电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
[3]
CE自动断电
目前， CMOS输入
[3]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值。
I
OL
= 12.0毫安
2.2
0.5
5
5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
300
150
30
10
2.2
0.5
5
5
马克斯。
7C197-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
300
140
30
10
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
注意事项：
1. V
（分）
=
2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
3.上拉电阻到V
CC
在CE输入必须保持在V取消设备
CC
电，否则我
SB
将超过给定值。
文件编号： 38-05049牧师**
第10 2
CY7C197
电气特性
在工作范围（续）
7C197-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路
短路电流
[2]
V
CC
操作
电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
[3]
CE自动断电
目前， CMOS输入
[3]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值。
I
OL
=12.0mA
2.2
0.5
5
5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
300
135
30
15
2.2
0.5
5
5
马克斯。
7C197-25, 35, 45
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
300
95
30
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
[5]
R1 329
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
5V
产量
R2
5 pF的
202
(255
MIL ），包括
夹具
范围
R2
255
(255
MIL ）
3.0V
10%
GND
＆ LT ;吨
r
＆ LT ;吨
r
C197-5
R1 329
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
(a)
(b)
C197-4
戴维南等效
125
产量
1.90V
广告
注意事项：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. t
r
= < 3纳秒为-12和-15速度。吨
r
= ＆ LT ; 5纳秒为-20和较慢的速度。
文件编号： 38-05049牧师**
第10 3
CY7C197
开关特性
在整个工作范围
[6]
7C197-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址
数据有效
从输出保持
地址变更
CE为低电平
数据有效
CE为低电平
低Z
[7]
CE为高电平
高Z
[7, 8]
CE为低电平
上电
CE为高电平
掉电
写周期时间
CE为低电平
写入结束
地址建立到
写入结束
从地址保持
写入结束
地址建立到
开始写
WE脉冲宽度
数据建立到
写入结束
从数据保持
写入结束
WE高到
低Z
[7]
WE低到
高Z
[7,8]
12
9
9
0
0
8
8
0
2
7
0
12
3
5
0
15
3
12
3
7
12
12
3
15
3
0
0
20
9
15
15
3
20
3
0
0
20
11
20
20
3
25
3
0
0
25
15
25
25
3
35
3
0
0
30
15
35
35
3
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C197-15
分钟。
马克斯。
7C197-20
分钟。
马克斯。
7C197-25
分钟。
马克斯。
7C197-35
分钟。
马克斯。
7C197-45
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
15
10
10
0
0
9
9
0
2
7
20
15
15
0
0
15
10
0
3
0
10
25
20
20
0
0
20
15
0
3
0
11
35
30
30
0
0
25
17
0
3
0
15
45
40
40
0
0
30
20
0
3
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
6.测试条件假设3 ns以下为-12和-15速度和5 ns以下为-20和较慢的速度信号的过渡时间，定时参考水平
指定我的1.5V ， 0输入脉冲电平为3.0V ，而输出负载
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZCE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的是在交流测试负载和波形（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05049牧师**
第10 4
97
CY7C197
256Kx1静态RAM
特点
高速
= 12 ns的
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 880毫瓦
低待机功耗
- 220毫瓦
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
由低电平有效芯片使能（ CE）和三态driv- vided
ERS 。该CY7C197具有自动断电功能，
减小功耗75％，取消选择时。
写器件是造诣当芯片使能
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。上的数据
输入引脚（四
IN
）被写入到存储器位置指定上
地址引脚（A
0
至A
17
).
阅读该设备通过采取芯片使能实现
（ CE）低，而写使能（ WE）仍然很高。下
这些条件下的存储器位置的内容指定
上的地址引脚会出现在数据输出（D
OUT
）引脚。
输出引脚保持在高阻抗状态，当芯片
使能（CE ）为高电平或写使能（WE ）是低电压。
该CY7C197利用模涂，以保证阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C197是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
认列之为256K字1位。简单的内存扩展为亲
逻辑框图
DI
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ
顶视图
输入缓冲器
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
D
OUT
WE
GND
1
24
2
23
3
22
4
21
5
20
6 7C197 19
18
7
8
17
9
16
10
15
14
11
12
13
V
CC
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
D
IN
CE
C197-2
CE
LCC
顶视图
A2
A1
A0
V
CC
A 17
NC
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
D
OUT
NC
3 2 1 28 27
4
26 NC
5
25 A
16
6
24 A
15
7
23 A
14
8
7C197二条
13
9
21 A
12
10
20 A
11
11
19 A
10
12
18 NC
1314151617
WE
GND
CE
DIN
A9
C197-3
行解码器
1024 x 256
ARRAY
检测放大器
DO
COLUMN
解码器
动力
下
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
WE
C197-1
选购指南
7C197-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
12
150
30
7C197-15
15
140
30
7C197-20
20
135
30
7C197-25
25
95
30
7C197-35
35
95
30
30
7C197-45
45
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05049牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C197
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
.....................................65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源应用................................................ ..- 55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位
（引脚24至引脚12） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C197-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路
短路电流
[2]
V
CC
操作
电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
[3]
CE自动断电
目前， CMOS输入
[3]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值。
I
OL
= 12.0毫安
2.2
0.5
5
5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
300
150
30
10
2.2
0.5
5
5
马克斯。
7C197-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
300
140
30
10
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
注意事项：
1. V
（分）
=
2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
3.上拉电阻到V
CC
在CE输入必须保持在V取消设备
CC
电，否则我
SB
将超过给定值。
文件编号： 38-05049牧师**
第10 2
CY7C197
电气特性
在工作范围（续）
7C197-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路
短路电流
[2]
V
CC
操作
电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
[3]
CE自动断电
目前， CMOS输入
[3]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值。
I
OL
=12.0mA
2.2
0.5
5
5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
300
135
30
15
2.2
0.5
5
5
马克斯。
7C197-25, 35, 45
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
300
95
30
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
[5]
R1 329
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
5V
产量
R2
5 pF的
202
(255
MIL ），包括
夹具
范围
R2
255
(255
MIL ）
3.0V
10%
GND
＆ LT ;吨
r
＆ LT ;吨
r
C197-5
R1 329
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
(a)
(b)
C197-4
戴维南等效
125
产量
1.90V
广告
注意事项：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. t
r
= < 3纳秒为-12和-15速度。吨
r
= ＆ LT ; 5纳秒为-20和较慢的速度。
文件编号： 38-05049牧师**
第10 3
CY7C197
开关特性
在整个工作范围
[6]
7C197-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址
数据有效
从输出保持
地址变更
CE为低电平
数据有效
CE为低电平
低Z
[7]
CE为高电平
高Z
[7, 8]
CE为低电平
上电
CE为高电平
掉电
写周期时间
CE为低电平
写入结束
地址建立到
写入结束
从地址保持
写入结束
地址建立到
开始写
WE脉冲宽度
数据建立到
写入结束
从数据保持
写入结束
WE高到
低Z
[7]
WE低到
高Z
[7,8]
12
9
9
0
0
8
8
0
2
7
0
12
3
5
0
15
3
12
3
7
12
12
3
15
3
0
0
20
9
15
15
3
20
3
0
0
20
11
20
20
3
25
3
0
0
25
15
25
25
3
35
3
0
0
30
15
35
35
3
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C197-15
分钟。
马克斯。
7C197-20
分钟。
马克斯。
7C197-25
分钟。
马克斯。
7C197-35
分钟。
马克斯。
7C197-45
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
15
10
10
0
0
9
9
0
2
7
20
15
15
0
0
15
10
0
3
0
10
25
20
20
0
0
20
15
0
3
0
11
35
30
30
0
0
25
17
0
3
0
15
45
40
40
0
0
30
20
0
3
0
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
6.测试条件假设3 ns以下为-12和-15速度和5 ns以下为-20和较慢的速度信号的过渡时间，定时参考水平
指定我的1.5V ， 0输入脉冲电平为3.0V ，而输出负载
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZCE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的是在交流测试负载和波形（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05049牧师**
第10 4
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