96
CY7C194
CY7C195
CY7C196
64K ×4静态RAM
特点
高速
= 12 ns的
输出使能（ OE ）功能（ 7C195和7C196 ）
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 880毫瓦
低待机功耗
- 220毫瓦
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
对CY7C194和CY7C195 ， CE能（ S） （ CE
1
，CE
2
对
CY7C196 ）和三态驱动器。它们有一个自动
省电特性，降低了功率消耗减少75 ％
取消的时候。
写入设备来完成，当芯片使能（多个）
（上CY7C194和CY7C195 ， CE CE
1
，CE
2
对
CY7C196 ）和写使能（ WE）的投入都很低。数据
在四个输入管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被写入到
内存位置，在地址引脚指定的（A
0
通过
A
15
).
阅读该设备通过采用芯片恩完成
对CY7C194和CY7C195 ， CE能（ S） （ CE
1
，CE
2
对
CY7C196 ）较低，而写使能（ WE）仍然很高。非
这些条件下，该存储器位置的内容
指定的地址引脚上会出现四个数据I / O的
销。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C194 ， CY7C195和CY7C196是高性
曼斯CMOS静态RAM， 4位组织为65,536。
易内存扩展是由活跃的低码片恩提供
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ
顶视图
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
I / O
3
检测放大器
I / O
2
I / O
1
I / O
0
CE
GND
1
2
3
4
5
6 7C194
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
NC
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
CE
1
OE
GND
DIP / SOJ
顶视图
1
2
3
4
5
6 7C195
7 7C196
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
C194-3
输入缓冲器
CE
2
(7C196)
NC
(7C195)
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
行解码器
1024 x 64 x 4
ARRAY
C194-2
COLUMN
解码器
动力
下
CE
2
（仅7C196 ）
CE
1
WE
（ OE）的
（ 7C195和
7C196 ONLY）
C194-1
A
0
A
11
A
12
A
13
A
14
选购指南
7C194-12
7C195-12
7C196-12
12
155
30
7C194-15
7C195-15
7C196-15
15
145
30
7C194-20
7C195-20
7C196-20
20
135
30
7C194-25
7C195-25
7C196-25
25
115
30
7C194-35
7C195-35
7C196-35
35
115
30
7C194-45
7C196-45
45
30
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05162牧师**
A
15
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年9月18日
CY7C194
CY7C195
CY7C196
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
]
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C194-12
7C195-12
7C196-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL[1]
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
[4]
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
[4]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f=f
最大
=1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
1,2
＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
，CE
1,2
＆ GT ; V
CC
- 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
0.5
5
5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
300
155
30
2.2
0.5
5
5
马克斯。
7C194-15
7C195-15
7C196-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
300
145
30
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
10
10
mA
注意事项：
1.最小电压等于-2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
4.上拉电阻到V
CC
在CE输入必须保持在V取消设备
CC
电，否则我
SB
将超过给定值。
文件编号： 38-05162牧师**
第12页2
CY7C194
CY7C195
CY7C196
)
电气特性
在工作范围（续）
7C194-20
7C195-20
7C196-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
[4]
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
[4]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f=f
最大
=1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
1,2
＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
，CE
1,2
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
–300
135
30
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C194-25, 35, 45
7C195-25, 35
7C196-25, 35, 45
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
–300
115
30
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
15
15
mA
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
[6]
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
C194-4
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
＆ LT ;吨
r
90%
90%
10%
＆ LT ;吨
r
C194-5
相当于：
该
EVENIN等效
167
产量
1.73V
注意事项：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6. t
r
= ＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。 T.
r
= ＆ LT ; 5纳秒为-20和较慢的速度。
文件编号： 38-05162牧师**
第12页3
CY7C194
CY7C195
CY7C196
:
开关特性
在整个工作范围
[7]
7C194-12
7C195-12
7C196-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
,
t
ACE2
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE1
,
t
LZCE2
t
HZCE1
,
t
HZCE2
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据
有效
从输出保持
地址变更
CE为低电平
数据有效
OE低到
数据有效
OE低到
低Z
OE为高电平
高Z
[8]
CE为低电平
低Z
[8]
CE为高电平
高Z
[8,8]
CE为低电平
上电
CE为高电平
掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立到
写入结束
从地址保持
写入结束
地址建立到
开始写
WE脉冲宽度
数据建立到
写入结束
从数据保持
写入结束
WE高到
低Z
[8]
WE低到
高Z
[8, 9]
12
9
9
0
0
8
8
0
3
7
0
12
7C195,
7C196
7C195,
7C196
7C195,
7C196
3
5
0
15
0
5
3
7
0
20
3
12
5
0
7
3
9
0
25
12
12
3
15
7
0
9
3
11
0
35
15
15
3
20
9
3
11
3
15
0
45
20
20
3
25
10
3
15
3
15
25
25
3
35
16
3
15
35
35
3
45
16
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C194-15
7C195-15
7C196-15
7C194-20
7C195-20
7C196-20
7C194-25
7C195-25
7C196-25
7C194-35
7C195-35
7C196-35
7C194-45
7C196-45
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
写周期
[10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
15
10
10
0
0
9
9
0
3
7
20
15
15
0
0
15
10
0
3
10
25
18
20
0
0
18
10
0
3
0
13
35
22
25
0
0
22
15
0
3
0
15
45
22
35
0
0
22
15
0
3
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
7.测试条件假设3 ns以下为-12和-15速度和5纳秒或更少的信号转换时间-20和较慢的速度，时序1.5V的参考电平，
0输入脉冲电平为3.0V ，而输出负载指定我的
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
低电平和WE为低电平。所有信号必须为低电平启动写任何信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05162牧师**
第12页4
CY7C194
CY7C195
CY7C196
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C194-8
读周期2号
CE
1
，CE
2
[11, 13]
t
RC
t
ACE
OE
（ 7C195和
7C196)
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
高
阻抗
数据输出
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
ICC
50%
ISB
C194-6
写周期第1号（ CE控制）
[10, 14, 15]
t
WC
地址
CE
1
CE
2
(7C196)
t
SCE
t
SA
t
AW
t
HA
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
C194-7
t
HD
注意事项：
11.我们是高读周期。
12.设备不断选择： CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IL
（ 7C196 ） ，和OE = V
IL
（ 7C195和7C196 ） 。
13.地址有效之前或重合与CE
1
和CE
2
变为低电平。
14.数据的I / O会，如果OE = V高阻
IH
（ 7C195和7C196 ） 。
15.如CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-05162牧师**
第12页5
QQ：2881677436 复制
