CY7C194BN
256 KB （ 64K ×4 ），静态RAM
特点
快速访问时间： 15 ns到25 ns的
宽电压范围： 5.0V ± 10 ％ （ 4.5V至5.5V ）
CMOS的最佳速度/功耗
TTL兼容的输入和输出
CY7C194BN是24 DIP ， 24 SOJ封装。
概述
[1]
该CY7C194BN是一个高性能的CMOS
异步SRAM组织为64K × 4位支持
异步存储器接口。该器件具有一个
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
见真值表本数据手册的完整
读写模式的描述。
该CY7C194BN可在24 DIP ， 24 SOJ封装（ S） 。
逻辑框图
输入缓冲器
行解码器
RAM阵列
检测放大器
I /牛
CE
列解码器
动力
下
电路
WE
OE
（仅7C195 ）
X
A
X
产品组合
-15
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
15
80
10
-25
25
80
10
单位
ns
mA
mA
注意事项：
1.对于最佳实践的建议，请参阅赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
在www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06446修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年2月1日
[+ ]反馈
CY7C194BN
引脚布局与规格
CY7C194BN 24 SOJ （8 ×15× 3.5毫米）的
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
CE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
CY7C194BN 24 DIP （ 6.6 × 31.8 × 3.5毫米）的
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
CE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
文件编号： 001-06446修订版**
第10 2
[+ ]反馈
CY7C194BN
引脚说明
CY7C194BN
针
A
X
CE
I / O
X
NC
V
CC
WE
输入
控制
输入或输出
–
供应
控制
TYPE
描述
地址输入。
芯片使能。
数据输入/输出。
无连接。
销不
内部连接到模具上。
电源（ 5.0V ） 。
写使能。
24 DIP
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10,
18, 19, 20, 21, 22, 23
11
14, 15, 16, 17
–
24
13
24 SOJ
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10,
18, 19, 20, 21, 22, 23
11
14, 15, 16, 17
–
24
13
CY7C194BN真值表
CE
H
L
L
WE
X
H
L
高Z
数据输出
DATA IN
I /牛
掉电
读
写
模式
动力
待机（我
SB
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
文件编号： 001-06446修订版**
第10 3
[+ ]反馈
CY7C194BN
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户的指引，没有测试。 ）
参数
T
英镑
T
AMB
V
CC
V
IN
, V
OUT
I
OUT
V
ESD
I
LU
储存温度
环境温度与功耗应用（如外壳温度）
内核电源电压相对于V
SS
直流电压应用到任何引脚相对于V
SS
输出短路电流
静电放电电压（符合MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流
描述
价值
-65到+150
-55到+125
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
＆ GT ; 2001年
＆ GT ; 200
单位
°C
°C
V
V
mA
V
mA
工作范围
范围
广告
环境温度（T
A
)
0 ° C至70℃
电压范围（Ⅴ
CC
)
5.0V ± 10%
DC电气特性
[3]
15纳秒
参数
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
CC
I
SB1
描述
输入高电压
输入低电压
输出高电压V
CC
=最小值，陆= -4.0马
输出低电压
V
CC
=最小值，洛尔= 8.0毫安
V
CC
工作电压V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
当前
f = F
最大
= 1 / t
RC
自动CE
掉电电流
TTL输入
自动CE
掉电电流
CMOS输入
输出漏
当前
输入负载电流
V
CC
=最大值， CE
≥
V
IH
, V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = F
最大
V
CC
=最大值， CE
≥
V
CC
- 0.3v,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3,
F = 0 ，商业
GND
≤
Vi
≤
V
CC
,
输出禁用
GND
≤
Vi
≤
V
CC
条件
分钟。
2.2
–0.3
2.4
–
–
–
马克斯。
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
80
30
分钟。
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
25纳秒
马克斯。
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
80
30
单位
V
V
V
V
mA
mA
I
SB2
–
–5
–5
10
+5
+5
–
–5
–5
10
+5
+5
mA
A
A
I
OZ
I
IX
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V
最大
7
10
单位
pF
热阻
[4]
CY7C194BN
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5
平方英寸， 2层
印刷电路板
24 DIP
75.69
33.80
24 SOJ
84.15
37.56
单位
° C / W
注意：
2.测试的任何设计或工艺变更后，可能会影响这些参数
3. V
IL
（分钟） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.测试条件假定为3ns以下的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V
文件编号： 001-06446修订版**
第10 4
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
