CY7C194B
CY7C195B
256 KB （ 64K ×4 ），静态RAM
特点
快速存取时间： 12纳秒， 15纳秒，和25纳秒
宽电压范围： 5.0V ± 10 ％ （ 4.5V至5.5V ）
CMOS的最佳速度/功耗
TTL兼容的输入和输出
提供24 DIP ， 24 SOJ ， 28 DIP和28 SOJ
概述
1
该CY7C194B - CY7C195B是一个高性能的CMOS
异步SRAM组织为64K × 4位支持
异步存储器接口。该器件具有一个
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。输出使能（ OE ）是
只有在CY7C195B支持。
2
见真值表本数据手册的完整
读写模式的描述。
该CY7C194B - CY7C195B可在24 DIP ， 24 SOJ ， 28
DIP和28 SOJ封装（ S） 。
逻辑框图
输入缓冲器
行解码器
RAM阵列
检测放大器
I /牛
CE
列解码器
动力
下
电路
WE
OE
（仅7C195 ）
X
A
X
产品组合
12纳秒
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
注意事项：
1.对于最佳实践的建议，请参阅赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
在www.cypress.com 。
2.所有OE的特定说明和参数在此资料仅与CY7C195 。
15纳秒
15
80
10
25纳秒
25
80
10
单位
ns
mA
mA
12
90
10
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05409修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年9月17日
CY7C194B
CY7C195B
引脚布局与规格
CY7C195B 28 DIP （ 6.9 × 35.6 × 3.5毫米）的 - P21
NC
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
CE
OE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
CY7C195B 28 SOJ （ 8 × 18 × 3.5毫米）的 - V21
NC
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
CE
OE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
文件编号： 38-05409修订版**
分页： 13 2
CY7C194B
CY7C195B
引脚布局与规格
（续）
CY7C194B 24 SOJ （ 8 × 15 × 3.5毫米）的 - V13
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
CE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
CY7C194B 24 DIP （ 6.6 × 31.8 × 3.5毫米）的 - P13
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
CE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
文件编号： 38-05409修订版**
第13 3
CY7C194B
CY7C195B
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户的指引，没有测试。 ）
参数
T
英镑
T
AMB
V
CC
V
CC
I
OUT
V
ESD
I
LU
储存温度
环境温度与功耗应用（如外壳温度）
内核电源电压相对于V
SS
直流电压应用到任何引脚相对于V
SS
输出短路电流
静电放电电压（符合MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流
描述
价值
-65到+150
-55到+125
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+空
20
＆ GT ; 2001年
＆ GT ; 200
单位
°C
°C
V
V
mA
V
mA
工作范围
范围
广告
环境温度（T
A
)
0 ° C至70℃
电压范围（Ⅴ
CC
)
5.0V ± 10%
DC电气特性
3
12纳秒
参数
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
OZ
I
IX
描述
输入高电压
AGE
输入低电压
AGE
输出高电压V
CC
=最小值，陆= -4.0马
AGE
输出低电压V
CC
=最小值，洛尔= 8.0毫安
AGE
V
CC
操作
电源电流
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时， F =
F
最大
= 1 / t
RC
条件
民
2.2
–0.3
2.4
–
–
–
最大
V
CC
+
0.3
0.8
–
0.4
90
30
2.2
–0.3
2.4
–
–
–
15纳秒
民
最大
V
CC
+
0.3
0.8
–
0.4
80
30
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
25纳秒
民
最大
V
CC
+
0.3
0.8
–
0.4
80
30
单位
V
V
V
V
mA
mA
自动CE
V
CC
=最大值， CE
≥
V
IH
, V
IN
≥
V
IH
掉电电流或V
IN
≤
V
IL
, f = F
最大
租金TTL输入
自动CE
V
CC
=最大值， CE
≥
V
CC
- 0.3v,
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3,f
租金CMOS输入= 0商用
输出漏
当前
输入负载电流
租金
GND
≤
Vi
≤
V
CC
，显示输出
体健
GND
≤
Vi
≤
V
CC
–
10
–
10
–
10
mA
–5
–5
+5
+5
–5
–5
+5
+5
–5
–5
+5
+5
uA
uA
电容
4
最大
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25 ，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
ALL - 套餐
7
10
单位
pF
注意事项：
3. V
IL
（分钟） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.测试的任何设计或工艺变更可能会影响这些参数之后。
文件编号： 38-05409修订版**
第13个5
QQ：2881677436 复制
