【92CY7C19264K ×4静态RAM具有独立的I / O特点高速= 12 ns的 CMOS的最佳】,IC型号CY7C192,CY7C192 PDF资料,CY7C192经销商,ic,电子元器件-51电子网

92

CY7C192

64K ×4静态RAM

具有独立的I / O

特点

高速

= 12 ns的

CMOS的最佳速度/功耗

低有功功率

- 880毫瓦

低待机功耗

- 220毫瓦

TTL兼容的输入和输出

自动断电时取消

潘申由低电平有效芯片使能（ CE），并提供

三态驱动器。它具有自动断电功能，

减小功耗75％，取消选择时。

写器件是造诣当芯片使能

（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。

在四个输入引脚上的数据（我

0

通过I

3

）被写入到

在地址引脚指定的存储单元（A

0

通过

A

15

).

阅读该设备通过采用芯片使能实现

（ CE）低，而写使能（ WE）仍然很高。下

这些条件下的存储器位置的内容指定

上的地址引脚上会出现的四个数据输出管脚。

输出引脚保持在高阻抗状态时写恩

能（ WE）为低，或芯片使能（ CE ）为高。

模头涂布用于确保阿尔法免疫力。

功能说明

该CY7C192是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加

的发布为65,536 ×4位具有独立的I / O 。容易记忆EX-

逻辑框图

I

0

I

1

I

2

I

3

输入缓冲器

销刀豆网络gurations

DIP / SOJ

顶视图

A

6

A

7

A

8

A

9

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

I

0

I

1

CE

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

A

5

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

I

3

I

2

O

3

O

2

O

1

O

0

WE

C191–2

A

9

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

I

0

I

1

LCC

顶视图

A8

A7

A6

V

CC

A5

3 2 1 28 27

4

26

5

25

6

24

7

23

8

22

9

21

10

20

11

19

12

18

1314151617

CE

GND

WE

O0

O1

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

I

3

I

2

O

3

O

2

C191–3

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

A

6

A

7

A

8

A

9

行解码器

O

0

检测放大器

1024 x 64 x 4

ARRAY

O

1

O

2

O

3

COLUMN

解码器

动力

下

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

CE

7C192 ONLY

WE

C191–1

选购指南

最大访问时间（纳秒）

最大工作电流（mA ）

最大待机电流（mA ）

7C192-12

12

155

30

7C192-15

15

145

30

7C192-20

20

135

30

7C192-25

25

115

30

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05047牧师**

3901北一街

圣荷西

CA 95134 408-943-2600

修订后的2001年8月24日

CY7C192

最大额定值

（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -

线，没有测试。）

储存温度

..................................... 65°C

至+ 150°C

环境温度与

电源应用................................................ ..

55°C

至+ 125°C

电源电压对地电位

（引脚28至引脚14） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[1]

....................................... 0.5V

到V

CC

+

0.5V

直流输入电压

[1]

.................................... 0.5V

到V

CC

+ 0.5V

输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安

静电放电电压.......................................... >2001V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. ...... >200毫安

工作范围

范围

环境

温度

[2]

0

°

C至+70

°

C

V

CC

5V

±

10%

电气特性

在整个工作范围

7C192-12

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

OS

I

CC

I

SB1

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

[1]

输入负载电流

输出漏

当前

输出短路

短路电流

[3]

V

CC

操作

电源电流

自动CE电源 -

向下电流 -

TTL输入

自动CE电源 -

向下电流CMOS

输入

GND < V

I

＆ LT ; V

CC

GND < V

O

＆ LT ; V

CC

,

输出禁用

V

CC

=最大，V

OUT

= GND

V

CC

=最大。

,

I

OUT

= 0 mA时，女= F

最大

= 1/t

RC

最大。 V

CC

， CE＆ GT ; V

IH

, V

IN

＆ GT ; V

IH

or

V

IN

＆ LT ; V

IL

, f = f

最大

最大。 V

CC

， CE＆ GT ; V

CC

0.3V,

V

IN

＆ GT ; V

CC

0.3V或V

IN

＆ LT ; 0.3V ，

f=0

测试条件

V

CC

=最小值，我

OH

=

4.0

mA

V

CC

=最小值，我

OL

= 8.0毫安

2.2

0.5

5

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+0.3V

0.8

+5

300

155

30

2.2

0.5

5

马克斯。

7C192-15

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+0.3V

0.8

+5

300

145

30

马克斯。

单位

V

A

mA

I

SB2

10

mA

注意事项：

1.最小电压等于

2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。

2. T

A

是的情况下的温度。

3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。

文件编号： 38-05047牧师**

第10 2

CY7C192

电气特性

在整个工作范围

7C192-20

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

OS

I

CC

I

SB1

I

SB2

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

[1]

输入负载电流

输出漏电流

输出短路

当前

[3]

V

CC

工作电源

当前

CE自动断电

目前-TTL输入

CE自动断电

目前， CMOS输入

GND < V

I

＆ LT ; V

CC

GND < V

O

＆ LT ; V

CC

，输出禁用

V

CC

=最大，V

OUT

= GND

V

CC

=最大。

,

I

OUT

= 0 mA时，

f = f

最大

= 1/t

RC

最大。 V

CC

， CE＆ GT ; V

IH

, V

IN

＆ GT ; V

IH

or

V

IN

＆ LT ; V

IL

, f = f

最大

CE > V

CC

– 0.3V,

V

IN

≤

V

CC

- 0.3V或V

IN

＆ LT ; 0.3V ， F = 0

测试条件

V

CC

=最小值，我

OH

=

4.0

mA

V

CC

=最小值，我

OL

= 8.0毫安

2.2

0.5

5

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+0.3V

0.8

+5

300

135

30

15

2.2

3.0

5

马克斯。

7C192-25

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+0.3V

0.8

+5

300

115

30

15

马克斯。

单位

V

A

mA

电容

[4]

参数

C

IN

C

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

T

A

= 25 ° C，F = 1MHz时，

V

CC

= 5.0V

马克斯。

8

10

单位

pF

交流测试负载和波形

[5]

5V

产量

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

相当于：

R2

255

R1 481

5V

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

255

R1 481

所有的输入脉冲

3.0V

GND

10%

＆ LT ;吨

r

90%

10%

＆ LT ;吨

r

C191–5

(a)

(b)

C191–4

戴维南等效

167

产量

1.73V

注意事项：

4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

5. t

r

= ＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。 T.

r

= ＆ LT ; 5纳秒为-20和较慢的速度。

文件编号： 38-05047牧师**

第10 3

CY7C192

开关特性

在整个工作范围

[6]

7C192-12

参数

读周期

t

RC

t

AA

t

OHA

t

ACE

t

LZCE

t

HZCE

t

PU

t

PD

读周期时间

地址到数据有效

从输出保持

地址变更

CE为低电平

数据有效

CE为低电平

低Z

[7]

CE为高电平

高Z

[7,8]

CE为低电平

上电

CE为高电平

掉电

写周期时间

CE为低电平

写入结束

地址建立到

写入结束

从地址保持

写入结束

地址建立到

开始写

WE脉冲宽度

数据建立到

写入结束

从数据保持

写入结束

WE高到

低Z （ 7C192 ）

[7]

WE低到

高Z（ 7C192 ）

[7,8]

WE低到数据有效

(7C191)

数据有效到

输出有效（ 7C191 ）

CE低到数据有效

(7C191)

12

9

0

8

0

3

7

12

0

12

3

5

0

15

3

12

3

7

0

20

12

3

15

3

9

0

25

15

3

20

3

11

20

3

25

ns

描述

分钟。

马克斯。

7C192-15

分钟。

马克斯。

7C192-20

分钟。

马克斯。

7C192-25

分钟。

马克斯。

单位

写周期

[9]

t

WC

t

SCE

t

AW

t

HA

t

SA

t

PWE

t

SD

t

HD

t

LZWE

t

HZWE

t

DWE

t

ADV

t

DCE

15

10

0

9

0

3

7

15

20

15

0

15

10

0

3

10

20

25

18

20

0

18

10

0

3

11

25

20

25

ns

注意事项：

6.测试条件假设3 ns以下为-12和-15速度和5 ns以下为-20至-25的速度信号的过渡时间，定时参考水平

指定我的1.5V ， 0输入脉冲电平为3.0V ，而输出负载

OL

/I

OH

和30 pF负载电容。

7.在任何给定的温度和电压条件下，叔

HZCE

小于吨

LZCE

, t

HZWE

小于吨

LZWE

对于任何给定的设备。这些参数由担保

设计，而不是100 ％测试。

8. t

HZCE

和T

HZWE

用C指定

L

= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测

±

500毫伏的稳态电压。

9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号

通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。

文件编号： 38-05047牧师**

第10 4

CY7C192

开关波形

读周期1号

[10, 11]

t

RC

地址

t

OHA

数据输出

以前的数据有效

t

AA

数据有效

C191–6

读周期2号

[10, 12]

CE

t

RC

t

ACE

高阻抗

t

LZCE

V

CC

供应

当前

t

PU

50%

t

HZCE

数据有效

t

PD

高

阻抗

数据输出

ICC

50%

ISB

C191–7

写周期号1 （我们控制）

[9]

t

WC

地址

t

SCE

CE

t

SA

WE

t

SD

DATA IN

数据有效

t

HZWE

数据输出

数据中，未定义

t

LZWE

高阻抗

t

HD

t

AW

t

PWE

t

HA

C191–8

注意事项：

10.我们是高读周期。

11.设备不断选择， CE = V

IL

.

12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。

文件编号： 38-05047牧师**

第10个5

CY7C192

64K ×4的静态RAM ，具有独立的IO

特点

■

功能说明

该CY7C192是一种高性能的CMOS静态RAM

组织为65,536 ×4位独立的IO 。容易记忆

扩张是低电平有效芯片使能（ CE），并提供

三态驱动器。它具有自动断电功能，

取消时功耗降低75 ％。

写入设备是有成就的，当芯片使能（ CE ）

和写使能（ WE）的投入都很低。

在四个输入引脚上的数据（我

0

通过I

3

）被写入到

在地址引脚指定的存储单元（A

0

至A

15

).

阅读该设备通过采用芯片使能实现

（ CE）低，而写使能（ WE）仍然很高。下

这些条件下，存储位置的指定内容

上的地址引脚上出现的四个数据输出管脚。

输出引脚停留在高阻抗状态，当写使能

（ WE）低或芯片使能（ CE ）为高。

模涂，确保阿尔法免疫力。

高速

15纳秒

CMOS的最佳速度/功耗

低有功功率

860毫瓦

低待机功耗

55毫瓦

TTL兼容的输入和输出

取消的时候自动断电

可提供无铅和无无铅28引脚模压SOJ

包

■

逻辑框图

I

0

I

1

I

2

I

3

输入缓冲器

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

A

6

A

7

A

8

A

9

行解码器

O

0

检测放大器

64K ×4

ARRAY

O

1

O

2

O

3

COLUMN

解码器

动力

下

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

CE

WE

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05047牧师* D

198冠军苑

圣荷西

,

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2008年2月15日

[+ ]反馈

CY7C192

引脚配置

图1. 28引脚模压SOJ包装

顶视图

A

6

A

7

A

8

A

9

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

I

0

I

1

CE

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

A

5

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

I

3

I

2

O

3

O

2

O

1

O

0

WE

选购指南

描述

最大访问时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

-15

15

145

10

单位

ns

mA

文件编号： 38-05047牧师* D

第2 9

[+ ]反馈

CY7C192

最大额定值

超出最大额定值可能会缩短的使用寿命

装置。用户指导未经过测试

储存温度

..................................... 65°C

至+ 150°C

环境温度与

电源应用................................................ ..

55°C

至+ 125°C

电源电压对地电位

.................0.5V

至+ 7.0V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[1]

........................................ 0.5V

到V

CC

+

0.5V

直流输入电压

[1]

.................................... 0.5V

到V

CC

+ 0.5V

输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安

静电放电电压............................................. >900V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. ...... >200毫安

工作范围

范围

环境

温度

[2]

0

°

C至+70

°

C

V

CC

5V

±

10%

电气特性

在整个工作范围

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

CC

I

SB1

I

SB2

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

[1]

输入漏电流

输出漏电流

V

CC

操作

电源电流

CE自动断电

目前-TTL输入

CE自动断电

目前， CMOS输入

GND < V

I

＆ LT ; V

CC

GND < V

O

＆ LT ; V

CC

，输出禁用

V

CC

=最大。

,

I

OUT

= 0 mA时，

f = f

最大

= 1/t

RC

最大。 V

CC

， CE＆ GT ; V

IH

, V

IN

＆ GT ; V

IH

or

V

IN

＆ LT ; V

IL

, f = f

最大

最大。 V

CC

， CE＆ GT ; V

CC

0.3V,

V

IN

＆ GT ; V

CC

0.3V或V

IN

＆ LT ; 0.3V ， F = 0

测试条件

V

CC

=最小值，我

OH

=

4.0

mA

V

CC

=最小值，我

OL

= 8.0毫安

2.2

0.5

5

-15

民

2.4

0.4

V

CC

+ 0.3V

0.8

+5

145

30

10

最大

单位

V

μA

mA

电容

参数

C

在[3]

C

OUT [3]

描述

输入电容

输出电容

测试条件

T

A

= 25 ° C，F = 1MHz时，

V

CC

= 5.0V

最大

8

10

单位

pF

笔记

1.最小电压等于-2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。

2. T

A

是的情况下的温度。

3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 38-05047牧师* D

第3 9

[+ ]反馈

CY7C192

图2.交流测试负载和波形

5V

产量

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

255Ω

R1 481Ω

5V

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

255Ω

R1 481Ω

所有的输入脉冲

3.0V

GND

10%

90%

10%

＆ LT ; 3纳秒

(a)

(b)

相当于：

戴维南等效

167Ω

产量

1.73V

开关特性

在整个工作范围

[4]

-15

参数

读周期

t

RC

t

AA

t

OHA

t

ACE

t

LZCE

t

HZCE

t

PU

t

PD

写周期

[7]

t

WC

t

SCE

t

AW

t

HA

t

SA

t

PWE

t

SD

t

HD

t

LZWE

t

HZWE

写周期时间

CE低到写结束

地址设置写到底

从写端地址保持

地址设置为Write开始

WE脉冲宽度

数据建立到写结束

从写端数据保持

WE高到低Z

[5]

WE低到高Z

[5, 6]

15

10

0

9

0

3

7

ns

读周期时间

地址到数据有效

从地址变更输出保持

CE低到数据有效

CE低到低Z

[5]

CE高到高阻

[5,6]

CE低到通电

CE高到掉电

0

15

3

7

3

15

ns

描述

民

最大

单位

笔记

4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的I的输出负载

OL

/I

OH

和30 pF负载电容。

5.在任何温度和电压条件下，叔

HZCE

小于吨

LZCE

, t

HZW \\ E

小于吨

LZWE

对于任何给定的设备。这些参数由设计保证，

未经100％测试。

6. t

HZCE

和T

HZWE

用C指定

L

= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测

±500

毫伏从稳态电压。

7.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止

一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的上升沿。

文件编号： 38-05047牧师* D

第4页第9

[+ ]反馈

CY7C192

开关波形

图3.读周期号1

[8, 9]

t

RC

地址

t

OHA

数据输出

以前的数据有效

t

AA

数据有效

图4.读周期2号

[8, 10]

t

RC

CE

t

ACE

高阻抗

t

LZCE

V

CC

供应

当前

t

PU

50%

t

HZCE

数据有效

t

PD

高

阻抗

数据输出

ICC

50%

ISB

图5.写周期第1号（我们控制）

[7]

t

WC

地址

t

SCE

CE

t

SA

WE

t

SD

DATA IN

数据有效

t

HZWE

数据输出

数据中，未定义

t

LZWE

高阻抗

t

HD

t

AW

t

PWE

t

HA

笔记

8.WE为高的读周期。

9.Device不断选择， CE = V

IL

.

10.Address前有效或一致通过CE变为低电平。

文件编号： 38-05047牧师* D

第5 9

[+ ]反馈

92

CY7C192

64K ×4静态RAM

具有独立的I / O

特点

高速

= 12 ns的

CMOS的最佳速度/功耗

低有功功率

- 880毫瓦

低待机功耗

- 220毫瓦

TTL兼容的输入和输出

自动断电时取消

潘申由低电平有效芯片使能（ CE），并提供

三态驱动器。它具有自动断电功能，

减小功耗75％，取消选择时。

写器件是造诣当芯片使能

（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。

在四个输入引脚上的数据（我

0

通过I

3

）被写入到

在地址引脚指定的存储单元（A

0

通过

A

15

).

阅读该设备通过采用芯片使能实现

（ CE）低，而写使能（ WE）仍然很高。下

这些条件下的存储器位置的内容指定

上的地址引脚上会出现的四个数据输出管脚。

输出引脚保持在高阻抗状态时写恩

能（ WE）为低，或芯片使能（ CE ）为高。

模头涂布用于确保阿尔法免疫力。

功能说明

该CY7C192是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加

的发布为65,536 ×4位具有独立的I / O 。容易记忆EX-

逻辑框图

I

0

I

1

I

2

I

3

输入缓冲器

销刀豆网络gurations

DIP / SOJ

顶视图

A

6

A

7

A

8

A

9

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

I

0

I

1

CE

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

A

5

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

I

3

I

2

O

3

O

2

O

1

O

0

WE

C191–2

A

9

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

I

0

I

1

LCC

顶视图

A8

A7

A6

V

CC

A5

3 2 1 28 27

4

26

5

25

6

24

7

23

8

22

9

21

10

20

11

19

12

18

1314151617

CE

GND

WE

O0

O1

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

I

3

I

2

O

3

O

2

C191–3

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

A

6

A

7

A

8

A

9

行解码器

O

0

检测放大器

1024 x 64 x 4

ARRAY

O

1

O

2

O

3

COLUMN

解码器

动力

下

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

CE

7C192 ONLY

WE

C191–1

选购指南

最大访问时间（纳秒）

最大工作电流（mA ）

最大待机电流（mA ）

7C192-12

12

155

30

7C192-15

15

145

30

7C192-20

20

135

30

7C192-25

25

115

30

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05047牧师**

3901北一街

圣荷西

CA 95134 408-943-2600

修订后的2001年8月24日

CY7C192

最大额定值

（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -

线，没有测试。）

储存温度

..................................... 65°C

至+ 150°C

环境温度与

电源应用................................................ ..

55°C

至+ 125°C

电源电压对地电位

（引脚28至引脚14） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[1]

....................................... 0.5V

到V

CC

+

0.5V

直流输入电压

[1]

.................................... 0.5V

到V

CC

+ 0.5V

输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安

静电放电电压.......................................... >2001V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. ...... >200毫安

工作范围

范围

环境

温度

[2]

0

°

C至+70

°

C

V

CC

5V

±

10%

电气特性

在整个工作范围

7C192-12

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

OS

I

CC

I

SB1

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

[1]

输入负载电流

输出漏

当前

输出短路

短路电流

[3]

V

CC

操作

电源电流

自动CE电源 -

向下电流 -

TTL输入

自动CE电源 -

向下电流CMOS

输入

GND < V

I

＆ LT ; V

CC

GND < V

O

＆ LT ; V

CC

,

输出禁用

V

CC

=最大，V

OUT

= GND

V

CC

=最大。

,

I

OUT

= 0 mA时，女= F

最大

= 1/t

RC

最大。 V

CC

， CE＆ GT ; V

IH

, V

IN

＆ GT ; V

IH

or

V

IN

＆ LT ; V

IL

, f = f

最大

最大。 V

CC

， CE＆ GT ; V

CC

0.3V,

V

IN

＆ GT ; V

CC

0.3V或V

IN

＆ LT ; 0.3V ，

f=0

测试条件

V

CC

=最小值，我

OH

=

4.0

mA

V

CC

=最小值，我

OL

= 8.0毫安

2.2

0.5

5

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+0.3V

0.8

+5

300

155

30

2.2

0.5

5

马克斯。

7C192-15

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+0.3V

0.8

+5

300

145

30

马克斯。

单位

V

A

mA

I

SB2

10

mA

注意事项：

1.最小电压等于

2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。

2. T

A

是的情况下的温度。

3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。

文件编号： 38-05047牧师**

第10 2

CY7C192

电气特性

在整个工作范围

7C192-20

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

OS

I

CC

I

SB1

I

SB2

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

[1]

输入负载电流

输出漏电流

输出短路

当前

[3]

V

CC

工作电源

当前

CE自动断电

目前-TTL输入

CE自动断电

目前， CMOS输入

GND < V

I

＆ LT ; V

CC

GND < V

O

＆ LT ; V

CC

，输出禁用

V

CC

=最大，V

OUT

= GND

V

CC

=最大。

,

I

OUT

= 0 mA时，

f = f

最大

= 1/t

RC

最大。 V

CC

， CE＆ GT ; V

IH

, V

IN

＆ GT ; V

IH

or

V

IN

＆ LT ; V

IL

, f = f

最大

CE > V

CC

– 0.3V,

V

IN

≤

V

CC

- 0.3V或V

IN

＆ LT ; 0.3V ， F = 0

测试条件

V

CC

=最小值，我

OH

=

4.0

mA

V

CC

=最小值，我

OL

= 8.0毫安

2.2

0.5

5

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+0.3V

0.8

+5

300

135

30

15

2.2

3.0

5

马克斯。

7C192-25

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+0.3V

0.8

+5

300

115

30

15

马克斯。

单位

V

A

mA

电容

[4]

参数

C

IN

C

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

T

A

= 25 ° C，F = 1MHz时，

V

CC

= 5.0V

马克斯。

8

10

单位

pF

交流测试负载和波形

[5]

5V

产量

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

相当于：

R2

255

R1 481

5V

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

255

R1 481

所有的输入脉冲

3.0V

GND

10%

＆ LT ;吨

r

90%

10%

＆ LT ;吨

r

C191–5

(a)

(b)

C191–4

戴维南等效

167

产量

1.73V

注意事项：

4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

5. t

r

= ＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。 T.

r

= ＆ LT ; 5纳秒为-20和较慢的速度。

文件编号： 38-05047牧师**

第10 3

CY7C192

开关特性

在整个工作范围

[6]

7C192-12

参数

读周期

t

RC

t

AA

t

OHA

t

ACE

t

LZCE

t

HZCE

t

PU

t

PD

读周期时间

地址到数据有效

从输出保持

地址变更

CE为低电平

数据有效

CE为低电平

低Z

[7]

CE为高电平

高Z

[7,8]

CE为低电平

上电

CE为高电平

掉电

写周期时间

CE为低电平

写入结束

地址建立到

写入结束

从地址保持

写入结束

地址建立到

开始写

WE脉冲宽度

数据建立到

写入结束

从数据保持

写入结束

WE高到

低Z （ 7C192 ）

[7]

WE低到

高Z（ 7C192 ）

[7,8]

WE低到数据有效

(7C191)

数据有效到

输出有效（ 7C191 ）

CE低到数据有效

(7C191)

12

9

0

8

0

3

7

12

0

12

3

5

0

15

3

12

3

7

0

20

12

3

15

3

9

0

25

15

3

20

3

11

20

3

25

ns

描述

分钟。

马克斯。

7C192-15

分钟。

马克斯。

7C192-20

分钟。

马克斯。

7C192-25

分钟。

马克斯。

单位

写周期

[9]

t

WC

t

SCE

t

AW

t

HA

t

SA

t

PWE

t

SD

t

HD

t

LZWE

t

HZWE

t

DWE

t

ADV

t

DCE

15

10

0

9

0

3

7

15

20

15

0

15

10

0

3

10

20

25

18

20

0

18

10

0

3

11

25

20

25

ns

注意事项：

6.测试条件假设3 ns以下为-12和-15速度和5 ns以下为-20至-25的速度信号的过渡时间，定时参考水平

指定我的1.5V ， 0输入脉冲电平为3.0V ，而输出负载

OL

/I

OH

和30 pF负载电容。

7.在任何给定的温度和电压条件下，叔

HZCE

小于吨

LZCE

, t

HZWE

小于吨

LZWE

对于任何给定的设备。这些参数由担保

设计，而不是100 ％测试。

8. t

HZCE

和T

HZWE

用C指定

L

= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测

±

500毫伏的稳态电压。

9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号

通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。

文件编号： 38-05047牧师**

第10 4

CY7C192

开关波形

读周期1号

[10, 11]

t

RC

地址

t

OHA

数据输出

以前的数据有效

t

AA

数据有效

C191–6

读周期2号

[10, 12]

CE

t

RC

t

ACE

高阻抗

t

LZCE

V

CC

供应

当前

t

PU

50%

t

HZCE

数据有效

t

PD

高

阻抗

数据输出

ICC

50%

ISB

C191–7

写周期号1 （我们控制）

[9]

t

WC

地址

t

SCE

CE

t

SA

WE

t

SD

DATA IN

数据有效

t

HZWE

数据输出

数据中，未定义

t

LZWE

高阻抗

t

HD

t

AW

t

PWE

t

HA

C191–8

注意事项：

10.我们是高读周期。

11.设备不断选择， CE = V

IL

.

12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。

文件编号： 38-05047牧师**

第10个5

CY7C192

为64K × 4的静态RAM ，具有独立的IO

特点

■

功能说明

该CY7C192是一种高性能的CMOS静态RAM

组织为65,536 × 4位独立的IO 。容易记忆

扩张是低电平有效芯片使能（ CE），并提供

三态驱动器。它具有自动断电功能，

取消时功耗降低75 ％。

写入设备是有成就的，当芯片使能（ CE ）

和写使能（ WE）的投入都很低。

在四个输入引脚上的数据（我

0

通过I

3

）被写入到

在地址引脚指定的存储单元（A

0

至A

15

).

阅读该设备通过采用芯片使能实现

（ CE）低，而写使能（ WE）仍然很高。下

这些条件下，存储位置的指定内容

上的地址引脚上出现的四个数据输出管脚。

输出引脚停留在高阻抗状态，当写使能

（ WE）低或芯片使能（ CE ）为高。

模涂，确保阿尔法免疫力。

高速

15纳秒

CMOS的最佳速度/功耗

低有功功率

860毫瓦

低待机功耗

55毫瓦

TTL兼容的输入和输出

取消的时候自动断电

可提供无铅28引脚模压SOJ包装

■

逻辑框图

I

0

I

1

I

2

I

3

输入缓冲器

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

A

6

A

7

A

8

A

9

行解码器

O

0

检测放大器

64K ×4

ARRAY

O

1

O

2

O

3

COLUMN

解码器

动力

下

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

CE

WE

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05047牧师* H

198冠军苑

圣荷西

,

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2011年6月1日

[+ ]反馈

CY7C192

引脚配置................................................ ............. 3

选型指南................................................ ................ 3

最大额定值................................................ ............. 4

经营范围................................................ ............... 4

电气特性................................................ 4

电容................................................. ..................... 4

开关特性................................................五

开关波形................................................ ...... 6

典型的直流和交流特性................................ 8

订购信息................................................ ........ 9

订购代码定义........................................... 9

包图................................................ .............. 9

与缩略语................................................. ....................... 10

文档约定................................................ 10

计量单位............................................... ........ 10

文档历史记录页............................................... .. 11

销售，解决方案和法律信息...................... 12

全球销售和设计支持....................... 12

产品................................................. ................... 12

的PSoC解决方案................................................ ......... 12

文件编号： 38-05047牧师* H

第12页2

[+ ]反馈

CY7C192

引脚配置

图1. 28引脚模压SOJ包装

顶视图

A

6

A

7

A

8

A

9

A

10

A

11

A

12

A

13

A

14

A

15

I

0

I

1

CE

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

A

5

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

I

3

I

2

O

3

O

2

O

1

O

0

WE

选购指南

描述

最大访问时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

-15

15

145

10

单位

ns

mA

文件编号： 38-05047牧师* H

第12页3

[+ ]反馈

CY7C192

最大额定值

超出最大额定值可能会缩短的使用寿命

装置。用户指导未经过测试。

储存温度

65

° C至+150°C

环境温度与

电源的应用

55

° C至+125°C

电源电压对地电位

0.5

V到7.0 V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[1]

0.5

V到V

CC

0.5 V

直流输入电压

[1]

0.5

V到V

CC

+ 0.5 V

输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安

静电放电电压.......................................... > 900 V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. .... > 200毫安

工作范围

范围

环境

温度

[2]

0 ° C至+ 70°C

V

CC

5 V

10%

电气特性

在整个工作范围

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

CC

I

SB1

I

SB2

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

[1]

输入漏电流

输出漏电流

V

CC

工作电源电流

CE自动断电

目前-TTL输入

CE自动断电

目前， CMOS输入

GND < V

I

＆ LT ; V

CC

GND < V

O

＆ LT ; V

CC

，输出禁用

V

CC

=最大，我

OUT

= 0 mA时，女= F

最大

= 1/t

RC

MAX V

CC

， CE＆ GT ; V

IH

, V

IN

＆ GT ; V

IH

或V

IN

＆ LT ; V

IL

,

f = f

最大

MAX V

CC

， CE＆ GT ; V

CC

0.3 V,

V

IN

＆ GT ; V

CC

0.3 V或V

IN

< 0.3 V ， F = 0

测试条件

V

CC

=最小，我

OH

=

4.0

mA

V

CC

=最小，我

OL

= 8.0毫安

-15

民

2.4

–

2.2

0.5

5

–

最大

–

0.4

V

CC

+ 0.3 V

0.8

+5

145

30

10

单位

V

A

mA

电容

参数

C

在[3]

C

OUT [3]

描述

输入电容

输出电容

测试条件

T

A

= 25 ° C，F = 1兆赫，V

CC

= 5.0 V

最大

8

10

单位

pF

笔记

1.最小电压等于-2.0 V少于20ns的脉冲持续时间。

2. T

A

是的情况下的温度。

3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 38-05047牧师* H

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CY7C192

图2.交流测试负载和波形

5V

产量

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

255

R1 481

5V

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

255

R1 481

3.0 V

GND

10%

所有的输入脉冲

90%

10%

＆ LT ; 3纳秒

相当于：

戴维南等效

167

产量

1.73 V

(a)

(b)

开关特性

在整个工作范围

参数

[4]

读周期

t

RC

t

AA

t

OHA

t

ACE

t

LZCE

t

HZCE

t

PU

t

PD

写周期

[7]

t

WC

t

SCE

t

AW

t

HA

t

SA

t

PWE

t

SD

t

HD

t

LZWE

t

HZWE

写周期时间

CE低到写结束

地址设置写到底

从写端地址保持

地址设置为Write开始

WE脉冲宽度

数据建立到写结束

从写端数据保持

WE高到低Z

[5]

WE低到高Z

[5, 6]

15

10

0

9

0

3

–

7

ns

读周期时间

地址到数据有效

从地址变更输出保持

CE低到数据有效

CE低到低Z

[5]

CE高到高阻

[5, 6]

CE低到通电

CE高到掉电

15

–

3

–

3

–

0

–

15

–

15

–

7

–

15

ns

描述

-15

民

最大

单位

笔记

4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时为1.5伏，输入脉冲的0电平的参考电平到3.0V ，并在指定的I的输出负载

OL

/I

OH

和30 pF负载电容。

5.在任何温度和电压条件下，叔

HZCE

小于吨

LZCE

, t

HZW \\ E

小于吨

LZWE

对于任何给定的设备。这些参数由设计保证，

未经100％测试。

6. t

HZCE

和T

HZWE

用C指定

L

= 5 pF的如在（b）部分

图2中。

转换测量

500

毫伏从稳态电压。

7.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止

一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的上升沿。

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