92
CY7C192
64K ×4静态RAM
具有独立的I / O
特点
高速
= 12 ns的
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 880毫瓦
低待机功耗
- 220毫瓦
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
潘申由低电平有效芯片使能（ CE） ，并提供
三态驱动器。它具有自动断电功能，
减小功耗75％，取消选择时。
写器件是造诣当芯片使能
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。
在四个输入引脚上的数据（我
0
通过I
3
）被写入到
在地址引脚指定的存储单元（A
0
通过
A
15
).
阅读该设备通过采用芯片使能实现
（ CE）低，而写使能（ WE）仍然很高。下
这些条件下的存储器位置的内容指定
上的地址引脚上会出现的四个数据输出管脚。
输出引脚保持在高阻抗状态时写恩
能（ WE）为低，或芯片使能（ CE ）为高。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C192是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
的发布为65,536 ×4位具有独立的I / O 。容易记忆EX-
逻辑框图
I
0
I
1
I
2
I
3
输入缓冲器
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ
顶视图
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
I
0
I
1
CE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I
3
I
2
O
3
O
2
O
1
O
0
WE
C191–2
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
I
0
I
1
LCC
顶视图
A8
A7
A6
V
CC
A5
3 2 1 28 27
4
26
5
25
6
24
7
23
8
22
9
21
10
20
11
19
12
18
1314151617
CE
GND
WE
O0
O1
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I
3
I
2
O
3
O
2
C191–3
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
O
0
检测放大器
1024 x 64 x 4
ARRAY
O
1
O
2
O
3
COLUMN
解码器
动力
下
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
CE
7C192 ONLY
WE
C191–1
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
7C192-12
12
155
30
7C192-15
15
145
30
7C192-20
20
135
30
7C192-25
25
115
30
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05047牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C192
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................... 0.5V
到V
CC
+
0.5V
直流输入电压
[1]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C192-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE电源 -
向下电流 -
TTL输入
自动CE电源 -
向下电流CMOS
输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大。
,
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
f=0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
0.5
5
5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
300
155
30
2.2
0.5
5
5
马克斯。
7C192-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
300
145
30
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
10
10
mA
注意事项：
1.最小电压等于
2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是的情况下的温度。
3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
文件编号： 38-05047牧师**
第10 2
CY7C192
电气特性
在整个工作范围
7C192-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路
当前
[3]
V
CC
工作电源
当前
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大。
,
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
≤
V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
0.5
5
5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
300
135
30
15
2.2
3.0
5
5
马克斯。
7C192-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
300
115
30
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
[5]
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
＆ LT ;吨
r
90%
90%
10%
＆ LT ;吨
r
C191–5
(a)
(b)
C191–4
戴维南等效
167
产量
1.73V
注意事项：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. t
r
= ＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。 T.
r
= ＆ LT ; 5纳秒为-20和较慢的速度。
文件编号： 38-05047牧师**
第10 3
CY7C192
开关特性
在整个工作范围
[6]
7C192-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
从输出保持
地址变更
CE为低电平
数据有效
CE为低电平
低Z
[7]
CE为高电平
高Z
[7,8]
CE为低电平
上电
CE为高电平
掉电
写周期时间
CE为低电平
写入结束
地址建立到
写入结束
从地址保持
写入结束
地址建立到
开始写
WE脉冲宽度
数据建立到
写入结束
从数据保持
写入结束
WE高到
低Z （ 7C192 ）
[7]
WE低到
高Z（ 7C192 ）
[7,8]
WE低到数据有效
(7C191)
数据有效到
输出有效（ 7C191 ）
CE低到数据有效
(7C191)
12
9
9
0
0
8
8
0
3
7
12
12
12
0
12
3
5
0
15
3
12
3
7
0
20
12
12
3
15
3
9
0
25
15
15
3
20
3
11
20
20
3
25
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C192-15
分钟。
马克斯。
7C192-20
分钟。
马克斯。
7C192-25
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
DWE
t
ADV
t
DCE
15
10
10
0
0
9
9
0
3
7
15
15
15
20
15
15
0
0
15
10
0
3
10
20
20
20
25
18
20
0
0
18
10
0
3
11
25
20
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
6.测试条件假设3 ns以下为-12和-15速度和5 ns以下为-20至-25的速度信号的过渡时间，定时参考水平
指定我的1.5V ， 0输入脉冲电平为3.0V ，而输出负载
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。这些参数由担保
设计，而不是100 ％测试。
8. t
HZCE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05047牧师**
第10 4
92
CY7C192
64K ×4静态RAM
具有独立的I / O
特点
高速
= 12 ns的
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 880毫瓦
低待机功耗
- 220毫瓦
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
潘申由低电平有效芯片使能（ CE） ，并提供
三态驱动器。它具有自动断电功能，
减小功耗75％，取消选择时。
写器件是造诣当芯片使能
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。
在四个输入引脚上的数据（我
0
通过I
3
）被写入到
在地址引脚指定的存储单元（A
0
通过
A
15
).
阅读该设备通过采用芯片使能实现
（ CE）低，而写使能（ WE）仍然很高。下
这些条件下的存储器位置的内容指定
上的地址引脚上会出现的四个数据输出管脚。
输出引脚保持在高阻抗状态时写恩
能（ WE）为低，或芯片使能（ CE ）为高。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C192是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
的发布为65,536 ×4位具有独立的I / O 。容易记忆EX-
逻辑框图
I
0
I
1
I
2
I
3
输入缓冲器
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ
顶视图
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
I
0
I
1
CE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I
3
I
2
O
3
O
2
O
1
O
0
WE
C191–2
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
I
0
I
1
LCC
顶视图
A8
A7
A6
V
CC
A5
3 2 1 28 27
4
26
5
25
6
24
7
23
8
22
9
21
10
20
11
19
12
18
1314151617
CE
GND
WE
O0
O1
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I
3
I
2
O
3
O
2
C191–3
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
O
0
检测放大器
1024 x 64 x 4
ARRAY
O
1
O
2
O
3
COLUMN
解码器
动力
下
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
CE
7C192 ONLY
WE
C191–1
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
7C192-12
12
155
30
7C192-15
15
145
30
7C192-20
20
135
30
7C192-25
25
115
30
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05047牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C192
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................... 0.5V
到V
CC
+
0.5V
直流输入电压
[1]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C192-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE电源 -
向下电流 -
TTL输入
自动CE电源 -
向下电流CMOS
输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大。
,
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
f=0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
0.5
5
5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
300
155
30
2.2
0.5
5
5
马克斯。
7C192-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
300
145
30
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
10
10
mA
注意事项：
1.最小电压等于
2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是的情况下的温度。
3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
文件编号： 38-05047牧师**
第10 2
CY7C192
电气特性
在整个工作范围
7C192-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路
当前
[3]
V
CC
工作电源
当前
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大。
,
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
≤
V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
0.5
5
5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
300
135
30
15
2.2
3.0
5
5
马克斯。
7C192-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+5
+5
300
115
30
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
[5]
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
＆ LT ;吨
r
90%
90%
10%
＆ LT ;吨
r
C191–5
(a)
(b)
C191–4
戴维南等效
167
产量
1.73V
注意事项：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. t
r
= ＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。 T.
r
= ＆ LT ; 5纳秒为-20和较慢的速度。
文件编号： 38-05047牧师**
第10 3
CY7C192
开关特性
在整个工作范围
[6]
7C192-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
从输出保持
地址变更
CE为低电平
数据有效
CE为低电平
低Z
[7]
CE为高电平
高Z
[7,8]
CE为低电平
上电
CE为高电平
掉电
写周期时间
CE为低电平
写入结束
地址建立到
写入结束
从地址保持
写入结束
地址建立到
开始写
WE脉冲宽度
数据建立到
写入结束
从数据保持
写入结束
WE高到
低Z （ 7C192 ）
[7]
WE低到
高Z（ 7C192 ）
[7,8]
WE低到数据有效
(7C191)
数据有效到
输出有效（ 7C191 ）
CE低到数据有效
(7C191)
12
9
9
0
0
8
8
0
3
7
12
12
12
0
12
3
5
0
15
3
12
3
7
0
20
12
12
3
15
3
9
0
25
15
15
3
20
3
11
20
20
3
25
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C192-15
分钟。
马克斯。
7C192-20
分钟。
马克斯。
7C192-25
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
DWE
t
ADV
t
DCE
15
10
10
0
0
9
9
0
3
7
15
15
15
20
15
15
0
0
15
10
0
3
10
20
20
20
25
18
20
0
0
18
10
0
3
11
25
20
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
6.测试条件假设3 ns以下为-12和-15速度和5 ns以下为-20至-25的速度信号的过渡时间，定时参考水平
指定我的1.5V ， 0输入脉冲电平为3.0V ，而输出负载
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。这些参数由担保
设计，而不是100 ％测试。
8. t
HZCE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05047牧师**
第10 4
QQ：2881677436 复制
