CY7C188
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
–15
15
120
10
–20
20
170
15
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
（引脚32至引脚16） .......................................... - 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................. -0.5V到V
CC
+0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[2]
–15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
,V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
CC
-0.3V或
CE
2
≤
0.3V, V
IN
≥
V
CC
– 0.3V
或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+5
+5
120
35
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+5
+5
170
35
–20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB2
10
15
mA
电容
[3]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
描述
输入电容
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
6
8
8
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.最小电压等于-2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
2.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
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第2 7
CY7C188
交流测试负载和波形
[4, 5]
R1 481
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
相当于：
R2
255
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R2
255
3.0V
10%
GND
≤
3纳秒
R1 481
ALLINPUTPULSES
90%
90%
10%
≤
3纳秒
C188–4
(a)
(b)
C188–3
戴维南等效
167
1.73V
产量
开关特性
在整个工作范围
[2, 4]
–15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低或CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低
Z
[6]
Z
[5,6]
3
7
0
15
15
10
10
0
0
10
8
0
0
3
7
20
15
15
0
0
15
10
0
0
3
7
0
20
0
7
3
9
OE高来高
3
15
7
0
9
15
15
3
20
9
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
–20
马克斯。
单位
CE
1
低或CE
2
高到低Z
[6]
CE
1
高或CE
2
低到高Z
[5, 6]
CE
1
低或CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
周期
[7, 8]
写周期时间
CE
1
低或CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[5]
WE高到低Z
[5, 6]
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
， LOW ，CE
2
高，和WE为低电平。所有这三个信号必须置为启动写任何
信号可以通过被拉高终止写操作。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
8.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
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第3页7
CY7C188
开关波形
读周期1号
[9,10]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C188–5
读周期2号（芯片使能
控制）
[10,11,12]
t
RC
CE
1
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
PD
ICC
50%
ISB
C188–6
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
高
阻抗
数据输出
写周期号1 （我们控制）
[7,12,13,14]
t
WC
地址
CE
1
t
AW
t
SA
WE
OE
t
SD
数据I / O
注15
t
HA
t
PWE
t
HD
数据
IN
有效
t
HZOE
C188–7
注意事项：
9.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
10.我们是高读周期。
11.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
12.时序参数都是相同的所有芯片使能信号（ CE
1
和CE
2
），所以只对CE中的定时
1
示。
13.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
14.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
15.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
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第4 7
QQ：2881677436 复制
