初步
CY7C185D
64K （ 8K ×8 ）静态RAM
特点
引脚和功能兼容与CY7C185
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 60毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 3毫安
CMOS的最佳速度/功耗
数据保持在2.0V
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
提供无铅（Pb ） - 免费的软件包
功能说明
[1]
该CY7C185D是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 8192字。易内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
），活性
高芯片使能（ CE
2
）和低电平有效输出使能（ OE ）
三态驱动器。该装置具有自动
掉电功能（ CE
1
或CE
2
） ，减少了功率
食用时取消。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE
1
和WE
输入均为低和CE
2
为高电平时，对八个数据数据
输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被写入到存储器
位置上的地址寻址的地址本
销（A
0
至A
12
） 。读出装置通过完成
选择器件和使能输出端，CE
1
和OE
低电平有效，CE
2
高电平有效，当我们处于非活动状态或
HIGH 。位置在这些条件下，将内容
处理由信息上的地址引脚上存在
八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）是HIGH.The CY7C185D是在一个标准的28针
300密耳宽DIP ， SOJ或SOIC无铅封装。
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ / SOIC
顶视图
NC
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
I / O
1
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
256 x 32 x 8
ARRAY
CE
1
CE
2
WE
OE
列解码器
动力
下
I / O
7
A
10
A
11
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
12
A
0
A
9
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05466牧师* C
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年1月10日
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
....................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
CY7C185D
直流输入电压
[2]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C185D-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.5
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+1
+1
–300
60
10
3.0
2.0
–0.5
–1
–1
马克斯。
7C185D-12
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+1
+1
–300
50
10
3.0
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
输出短路电流
[3]
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
工作电源电流V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安
自动关断电流最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
分钟。占空比= 100 ％
自动关断电流最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
≤
0.3V
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
7C185D-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
分钟。
2.4
0.4
2.0
–0.5
–1
–1
V
CC
+ 0.3V
0.8
+1
+1
–300
40
10
3.0
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
输出短路电流
[3]
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
工作电源电流V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安
自动关断电流最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
分钟。占空比= 100 ％
自动关断电流最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
CC
- 0.3V或CE
2
≤
0.3V
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05466牧师* C
第10 3
初步
热阻
[4]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[4]
热阻
（结点到外壳）
[4]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
CY7C185D
全包
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
10 ns的设备
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
Z = 50
所有的输入脉冲
3.0V
10%
90%
90%
10%
≤
3纳秒
高阻抗特性：
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R1 481
30 pF的*
GND
≤
3纳秒
12，15纳秒的设备
R1 481
5V
产量
30 pF的
1.73V
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
(a)
相当于：
戴维南等效
产量
167
R2
255
(b)
(c)
开关特性
在整个工作范围
[6]
7C185D-10
参数
读周期
t
power[5]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
t
ACE2
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE1
t
LZCE2
t
HZCE
t
PU
t
PD
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效
CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7]
CE
1
低到低Z
[8]
CE
2
高到低Z
CE
1
高到高阻
[7, 8]
CE
2
低到高Z
CE
1
低到电
CE
2
变为高电平，上电
CE
1
高到掉电
CE
2
低到掉电
0
10
3
3
5
0
12
3
5
3
3
6
0
15
3
10
10
5
3
6
3
3
7
100
10
10
3
12
12
6
3
7
100
12
12
3
15
15
8
100
15
15
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C185D-12
分钟。
马克斯。
7C185D-15
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
5. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
HZOE ，
t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±200
毫伏从稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE1
和T
LZCE2
对于任何给定的设备。
文件编号： 38-05466牧师* C
第10 4
初步
开关特性
在工作范围（续）
[6]
7C185D-10
参数
写周期
[9]
t
WC
t
SCE1
t
SCE2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
低到写结束
CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[7]
WE高到低Z
3
10
8
8
7
0
0
7
6
0
6
3
12
10
10
10
0
0
10
7
0
6
3
15
12
12
12
0
0
12
8
0
描述
分钟。
马克斯。
7C185D-12
分钟。
马克斯。
CY7C185D
7C185D-15
分钟。
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
ns
ns
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR的[4]
t
R[10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流非L， Com'l / Ind'l
只有L-版
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
分钟。
2.0
3
1.2
0
t
RC
马克斯。
单位
V
mA
mA
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ;
2V
4.5V
t
R
开关波形
读周期1号
[11,12]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
注意事项：
9.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。所有的3个信号必须是活动开始写，要么
信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
10.完整的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 50
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 50
s.
11.设备不断选择。 OE ，CE
1
= V
IL
。 CE
2
= V
IH
.
12.我们是高读周期。
文件编号： 38-05466牧师* C
第10个5
QQ：2880707522 复制
