185
CY7C185
8K ×8静态RAM
特点
高速
- 15纳秒
快速吨
美国能源部
低有功功率
- 715毫瓦
低待机功耗
- 220毫瓦
CMOS的最佳速度/功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，高电平有效
片选（ CE
2
）和低电平有效输出使能（ OE ）和
三态驱动器。该设备具有自动断电
功能（ CE
1
或CE
2
） ，降低了功率消耗了70％
取消的时候。该CY7C185是在一个标准的300密耳宽
DIP ， SOJ或SOIC封装。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE
1
而我们在 -
看跌期权是低和CE
2
为高电平时，对八个数据数据
输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被写入到存储器
位置上的地址寻址的地址本
销（A
0
至A
12
） 。读出装置通过完成
选择器件和使能输出端，CE
1
和OE
低电平有效，CE
2
高电平有效，当我们处于非活动状态或
HIGH 。在这些条件下，该位置的内容AD-
通过在地址引脚信息穿着存在于
八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C185是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
由8位认列8192字。简单的内存扩展
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ / SOIC
顶视图
NC
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
C185–2
I / O
0
输入缓冲器
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
CE
1
CE
2
WE
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
256 x 32 x 8
ARRAY
列解码器
动力
下
检测放大器
I / O
7
A
10
A
11
A
12
A
0
A
9
C185–1
选购指南
[1]
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
注意：
1.对于军事规格，请参阅CY7C185A数据表。
7C185–15
15
130
40/15
7C185–20
20
110
20/15
7C185–25
25
100
20/15
7C185–35
35
100
20/15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05043牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C185
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
............................................ -0.5V至7.0 V
直流输入电压
[2]
........................................ -0.5V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C185–15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动
掉电电流
自动
掉电电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
≤
0.3V
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V
40
15
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+5
+5
–300
130
20
15
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C185–20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+5
+5
–300
110
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
注意事项：
2.最小电压等于-3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。
3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
文件编号： 38-05043牧师**
第11 2
CY7C185
电气特性
在工作范围（续）
7C185–25
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动
掉电电流
自动
掉电电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
CC
– 0.3V
或CE
2
≤
0.3V
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+5
+5
–300
100
20
15
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C185-35
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+5
+5
–300
100
20
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
R2
255
GND
10%
90%
90%
10%
R2
255
≤
5纳秒
≤
5纳秒
C185–5
(a)
(b)
C185–4
相当于：
戴维南等效
产量
167
1.73V
文件编号： 38-05043牧师**
第11 3
CY7C185
开关特性
在整个工作范围
[5]
7C185–15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
t
ACE2
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE1
t
LZCE2
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
从数据保持
地址变更
CE
1
低到数据有效
CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6]
CE
1
低到低Z
[7]
CE
2
高到低Z
CE
1
高到高阻
[6, 7]
CE
2
低到高Z
CE
1
低到电
CE
2
变为高电平，上电
CE
1
高到掉电
CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
低到写结束
CE
2
HIGH到写入结束
地址建立到
写入结束
从地址保持
写入结束
地址建立到
开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6]
WE高到低Z
3
15
12
12
12
0
0
12
8
0
7
5
0
15
3
3
7
0
20
3
7
5
3
8
0
20
3
15
15
8
3
8
5
3
10
0
20
15
15
5
20
20
9
3
10
5
3
10
20
20
5
25
25
12
3
10
25
25
5
35
35
15
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C185–20
分钟。
马克斯。
7C185–25
分钟。
马克斯。
7C185–35
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[8]
t
WC
t
SCE1
t
SCE2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
20
15
15
15
0
0
15
10
0
7
5
25
20
20
20
0
0
15
10
0
7
5
35
20
20
25
0
0
20
12
0
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
5.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE ，
t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE1
和T
LZCE2
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。所有的3个信号必须是活动开始写，要么
信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05043牧师**
第11 4
CY7C185
开关波形
读周期1号
[9,10]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C185–6
读周期2号
[11,12]
CE
1
t
RC
CE
2
OE
OE
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
ICC
50%
ISB
C185–7
高
阻抗
数据输出
写周期号1 （我们控制）
[10,12]
t
WC
地址
CE
1
t
AW
CE
2
CE
WE
t
SA
t
SCE2
t
PWE
t
SCEI
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注13
t
HZOE
9.
10.
11.
12.
t
HD
C185–8
数据
IN
有效
设备被连续地选择。 OE ，CE
1
= V
IL
。 CE
2
= V
IH
.
WE为高的读周期。
数据I / O为高阻抗，如果OE = V
IH
，CE
1
= V
IH
我们= V
IL
，或CE
2
=V
IL
.
存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE 。 CE
1
我们必须较低， CE
2
必须为高电平
开始写。写可通过CE终止
1
或者我们是否高或CE
2
变低。的数据输入的设置和保持时间应参考的
该终止写信号的上升沿。
13.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
文件编号： 38-05043牧师**
第11个5
1bCY7C185
CY7C185
8K ×8静态RAM
特点
高速
- 15纳秒
快速吨
美国能源部
低有功功率
- 715毫瓦
低待机功耗
= 85毫瓦
CMOS的最佳速度/功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
提供非无铅28引脚（ 300 mil）的模压SOJ ，
28引脚（ 300 mil）的模塑和SOIC两种无铅和无
无铅模塑28引脚（ 300 mil）的DIP
功能说明
[1]
该CY7C185是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 8192字。易内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
），活性
高芯片使能（ CE
2
）和低电平有效输出使能（ OE ）
和三态驱动器。该装置具有自动
掉电功能（ CE
1
或CE
2
） ，减少了功率
取消选择时，由70％的消耗。该CY7C185是在一个
标准的300密耳宽DIP ， SOJ或SOIC封装。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE
1
和WE
输入均为低和CE
2
为高电平时，对八个数据数据
输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被写入到存储器
位置上的地址寻址的地址本
销（A
0
至A
12
） 。读出装置通过完成
选择器件和使能输出端，CE
1
和OE
低电平有效，CE
2
高电平有效，当我们处于非活动状态或
HIGH 。位置在这些条件下，将内容
处理由信息上的地址引脚上存在
八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
逻辑框图
销刀豆网络gurations
I / O
0
输入缓冲器
I / O
1
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
CE
1
CE
2
WE
OE
NC
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A9
A
10
A
11
A
12
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
DIP / SOJ
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
8K ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
检测放大器
I / O
7
A
10
A
11
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
-15
15
130
15
-20
20
110
15
-25
25
100
15
-35
35
100
15
注意事项：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
12
A
0
A
9
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05043牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月24日
[+ ]反馈
CY7C185
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
............................................ -0.5V至7.0 V
直流输入电压
[2]
......................................... -0.5V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
–15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[2]
输入漏
当前
GND
≤
V
I
≤
V
CC
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
130
40
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
110
20
2.2
–0.5
–5
–5
–20
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
100
20
–25, -35
分钟。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
输出泄漏GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
当前
输出禁用
V
CC
工作V
CC
=最大，
供应电流I
OUT
= 0毫安
自动
掉电
当前
自动
掉电
当前
最大。 V
CC
,
CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
,
CE
1
≥
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
≤
0.3V
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或
V
IN
≤
0.3V
I
SB2
15
15
15
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
注意事项：
2.最小电压等于-3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05043牧师* B
第12页2
[+ ]反馈
CY7C185
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R1 481
3.0V
R2
255
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
≤
5纳秒
R2
255
≤
5纳秒
相当于：
产量
(a)
(b)
戴维南等效
167
1.73V
开关特性
在整个工作范围
[4]
-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
t
ACE2
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE1
t
LZCE2
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[7]
t
WC
t
SCE1
t
SCE2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
低到写结束
CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[5]
WE高到低Z
3
15
12
12
12
0
0
12
8
0
7
5
20
15
15
15
0
0
15
10
0
7
5
25
20
20
20
0
0
15
10
0
7
5
35
20
20
25
0
0
20
12
0
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效
CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5]
CE
1
低到低Z
[6]
CE
2
高到低Z
CE
1
高到高阻
[5, 6]
CE
2
低到高Z
CE
1
低到电
CE
2
变为高电平，上电
CE
1
高到掉电
CE
2
低到掉电
0
15
3
3
7
0
20
3
7
5
3
8
0
20
3
15
15
8
3
8
5
3
10
0
20
15
15
5
20
20
9
3
10
5
3
10
20
20
5
25
25
12
3
10
25
25
5
35
35
15
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
分钟。
-25
马克斯。
分钟。
-35
马克斯。
单位
注意事项：
4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE ，
t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE1
和T
LZCE2
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。所有的3个信号必须是活动开始写，要么
信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05043牧师* B
第12页3
[+ ]反馈
CY7C185
开关波形
（续）
写周期号1 （我们控制）
[9,11]
t
WC
地址
CE
1
t
AW
CE
2
CE
WE
t
SA
t
SCE2
t
PWE
t
SCEI
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注12
t
HZOE
数据
IN
有效
t
HD
写周期号2 （ CE控制）
[11,12,13]
t
WC
地址
CE
1
t
SA
CE
2
t
AW
WE
t
SD
数据I / O
数据
IN
有效
t
HD
t
SCE2
t
HA
t
SCE1
注意事项：
12.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
13.写周期＃ 3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05043牧师* B
第12页5
[+ ]反馈
185
CY7C185
8K ×8静态RAM
特点
高速
- 15纳秒
快速吨
美国能源部
低有功功率
- 715毫瓦
低待机功耗
- 220毫瓦
CMOS的最佳速度/功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，高电平有效
片选（ CE
2
）和低电平有效输出使能（ OE ）和
三态驱动器。该设备具有自动断电
功能（ CE
1
或CE
2
） ，降低了功率消耗了70％
取消的时候。该CY7C185是在一个标准的300密耳宽
DIP ， SOJ或SOIC封装。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE
1
而我们在 -
看跌期权是低和CE
2
为高电平时，对八个数据数据
输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被写入到存储器
位置上的地址寻址的地址本
销（A
0
至A
12
） 。读出装置通过完成
选择器件和使能输出端，CE
1
和OE
低电平有效，CE
2
高电平有效，当我们处于非活动状态或
HIGH 。在这些条件下，该位置的内容AD-
通过在地址引脚信息穿着存在于
八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
[1]
该CY7C185是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
由8位认列8192字。简单的内存扩展
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ / SOIC
顶视图
NC
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
CE
1
CE
2
WE
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
256 x 32 x 8
ARRAY
列解码器
动力
下
检测放大器
I / O
7
A
10
A
11
选购指南
[2]
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
7C185-15
15
130
40/15
7C185-20
20
110
20/15
7C185-25
25
100
20/15
7C185-35
35
100
20/15
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
2.对于军事规格，请参阅CY7C185A数据表。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05043修订版**
A
12
A
0
A
9
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年9月13日
CY7C185
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
............................................ -0.5V至7.0 V
直流输入电压
[3]
......................................... -0.5V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C185-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[4]
V
CC
操作
电源电流
自动
掉电电流
自动
掉电电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
≤
0.3V
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V
40
15
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+5
+5
–300
130
20
15
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C185-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+5
+5
–300
110
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
注意事项：
3.最小电压等于-3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。
4.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
文件编号： 38-05043修订版**
第11 2
CY7C185
电气特性
在工作范围（续）
7C185-25
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[4]
V
CC
操作
电源电流
自动
掉电电流
自动
掉电电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
CC
– 0.3V
或CE
2
≤
0.3V
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+5
+5
–300
100
20
15
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C185-35
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+5
+5
–300
100
20
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
R2
255
GND
10%
90%
90%
10%
≤
5纳秒
R2
255
≤
5纳秒
(a)
(b)
相当于：
戴维南等效
产量
167
1.73V
文件编号： 38-05043修订版**
第11 3
CY7C185
开关特性
在整个工作范围
[6]
7C185-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
t
ACE2
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE1
t
LZCE2
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[9]
t
WC
t
SCE1
t
SCE2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
低到写结束
CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[7]
WE高到低Z
3
15
12
12
12
0
0
12
8
0
7
5
20
15
15
15
0
0
15
10
0
7
5
25
20
20
20
0
0
15
10
0
7
5
35
20
20
25
0
0
20
12
0
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效
CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7]
CE
1
低到低Z
[8]
CE
2
高到低Z
CE
1
高到高阻
[7, 8]
CE
2
低到高Z
CE
1
低到电
CE
2
变为高电平，上电
CE
1
高到掉电
CE
2
低到掉电
0
15
3
3
7
0
20
3
7
5
3
8
0
20
3
15
15
8
3
8
5
3
10
0
20
15
15
5
20
20
9
3
10
5
3
10
20
20
5
25
25
12
3
10
25
25
5
35
35
15
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C185-20
分钟。
马克斯。
7C185-25
分钟。
马克斯。
7C185-35
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
6.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
HZOE ，
t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE1
和T
LZCE2
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。所有的3个信号必须是活动开始写，要么
信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05043修订版**
第11 4
CY7C185
开关波形
读周期1号
[10,11]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
读周期2号
[12,13]
CE
1
t
RC
CE
2
OE
OE
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
ICC
50%
ISB
高
阻抗
数据输出
写周期号1 （我们控制）
[11,13]
t
WC
地址
CE
1
t
AW
CE
2
CE
WE
t
SA
t
SCE2
t
PWE
t
SCEI
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注14
t
HZOE
10.
11.
12.
13.
设备被连续地选择。 OE ，CE
1
= V
IL
。 CE
2
= V
IH
.
WE为高的读周期。
数据I / O为高阻抗，如果OE = V
IH
，CE
1
= V
IH
我们= V
IL
，或CE
2
=V
IL
.
存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE 。 CE
1
我们必须较低， CE
2
必须为高电平
开始写。写可通过CE终止
1
或者我们是否高或CE
2
变低。的数据输入的设置和保持时间应参考的
该终止写信号的上升沿。
14.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
t
HD
数据
IN
有效
文件编号： 38-05043修订版**
第11个5
185
CY7C185
8K ×8静态RAM
特点
高速
- 15纳秒
快速吨
美国能源部
低有功功率
- 715毫瓦
低待机功耗
- 220毫瓦
CMOS的最佳速度/功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，高电平有效
片选（ CE
2
）和低电平有效输出使能（ OE ）和
三态驱动器。该设备具有自动断电
功能（ CE
1
或CE
2
） ，降低了功率消耗了70％
取消的时候。该CY7C185是在一个标准的300密耳宽
DIP ， SOJ或SOIC封装。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE
1
而我们在 -
看跌期权是低和CE
2
为高电平时，对八个数据数据
输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被写入到存储器
位置上的地址寻址的地址本
销（A
0
至A
12
） 。读出装置通过完成
选择器件和使能输出端，CE
1
和OE
低电平有效，CE
2
高电平有效，当我们处于非活动状态或
HIGH 。在这些条件下，该位置的内容AD-
通过在地址引脚信息穿着存在于
八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
[1]
该CY7C185是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
由8位认列8192字。简单的内存扩展
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ / SOIC
顶视图
NC
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
CE
1
CE
2
WE
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
256 x 32 x 8
ARRAY
列解码器
动力
下
检测放大器
I / O
7
A
10
A
11
选购指南
[2]
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
7C185-15
15
130
40/15
7C185-20
20
110
20/15
7C185-25
25
100
20/15
7C185-35
35
100
20/15
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
2.对于军事规格，请参阅CY7C185A数据表。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05043修订版**
A
12
A
0
A
9
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年9月13日
CY7C185
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
............................................ -0.5V至7.0 V
直流输入电压
[3]
......................................... -0.5V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C185-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[4]
V
CC
操作
电源电流
自动
掉电电流
自动
掉电电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
≤
0.3V
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V
40
15
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+5
+5
–300
130
20
15
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C185-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+5
+5
–300
110
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
注意事项：
3.最小电压等于-3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。
4.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
文件编号： 38-05043修订版**
第11 2
CY7C185
电气特性
在工作范围（续）
7C185-25
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[4]
V
CC
操作
电源电流
自动
掉电电流
自动
掉电电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
CC
– 0.3V
或CE
2
≤
0.3V
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+5
+5
–300
100
20
15
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C185-35
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+5
+5
–300
100
20
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
R2
255
GND
10%
90%
90%
10%
≤
5纳秒
R2
255
≤
5纳秒
(a)
(b)
相当于：
戴维南等效
产量
167
1.73V
文件编号： 38-05043修订版**
第11 3
CY7C185
开关特性
在整个工作范围
[6]
7C185-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
t
ACE2
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE1
t
LZCE2
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[9]
t
WC
t
SCE1
t
SCE2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
低到写结束
CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[7]
WE高到低Z
3
15
12
12
12
0
0
12
8
0
7
5
20
15
15
15
0
0
15
10
0
7
5
25
20
20
20
0
0
15
10
0
7
5
35
20
20
25
0
0
20
12
0
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效
CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7]
CE
1
低到低Z
[8]
CE
2
高到低Z
CE
1
高到高阻
[7, 8]
CE
2
低到高Z
CE
1
低到电
CE
2
变为高电平，上电
CE
1
高到掉电
CE
2
低到掉电
0
15
3
3
7
0
20
3
7
5
3
8
0
20
3
15
15
8
3
8
5
3
10
0
20
15
15
5
20
20
9
3
10
5
3
10
20
20
5
25
25
12
3
10
25
25
5
35
35
15
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C185-20
分钟。
马克斯。
7C185-25
分钟。
马克斯。
7C185-35
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
6.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
HZOE ，
t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE1
和T
LZCE2
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。所有的3个信号必须是活动开始写，要么
信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05043修订版**
第11 4
CY7C185
开关波形
读周期1号
[10,11]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
读周期2号
[12,13]
CE
1
t
RC
CE
2
OE
OE
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
ICC
50%
ISB
高
阻抗
数据输出
写周期号1 （我们控制）
[11,13]
t
WC
地址
CE
1
t
AW
CE
2
CE
WE
t
SA
t
SCE2
t
PWE
t
SCEI
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注14
t
HZOE
10.
11.
12.
13.
设备被连续地选择。 OE ，CE
1
= V
IL
。 CE
2
= V
IH
.
WE为高的读周期。
数据I / O为高阻抗，如果OE = V
IH
，CE
1
= V
IH
我们= V
IL
，或CE
2
=V
IL
.
存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE 。 CE
1
我们必须较低， CE
2
必须为高电平
开始写。写可通过CE终止
1
或者我们是否高或CE
2
变低。的数据输入的设置和保持时间应参考的
该终止写信号的上升沿。
14.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
t
HD
数据
IN
有效
文件编号： 38-05043修订版**
第11个5
QQ：2880707522 复制
