【CY7C18564千位（为8K × 8 ）静态RAM特点■功能说明该CY7C185[1]是一个高性能】,IC型号CY7C185-15VI,CY7C185-15VI PDF资料,CY7C185-15VI经销商,ic,电子元器件-51电子网

CY7C185

64千位（为8K × 8 ）静态RAM

特点

■

功能说明

该CY7C185

[1]

是一个高性能的CMOS静态RAM

由8位， 8192字。简单的内存扩展

由低电平有效芯片使能（ CE提供

1

），高电平有效

片选（ CE

2

）和低电平有效输出使能（ OE ）和

三态驱动器。该设备具有自动断电

功能（ CE

1

或CE

2

），降低了功率消耗了70％

取消的时候。该CY7C185是在一个标准的300密耳宽

DIP ， SOJ或SOIC封装。

一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制

所述存储器的写入/读出操作。当CE

1

和WE

输入均为低和CE

2

为高电平时，对八个数据数据

输入/输出管脚（ I / O的

0

通过I / O

7

）被写入到存储器

位置上的地址引脚寻址的地址本

(A

0

至A

12

）。读出装置通过完成

选择器件和使能输出端，CE

1

和OE

低电平有效，CE

2

高电平有效，当我们处于非活动状态或

HIGH 。位置在这些条件下，将内容

通过在地址引脚的信息处理上存在

八个数据输入或输出引脚。

输入或输出引脚在除高阻抗状态

该芯片被选中，输出使能，写使能（ WE）

为HIGH 。模头涂布用于确保阿尔法免疫力。

高速

15纳秒

快速吨

美国能源部

低有功功率

715毫瓦

低待机功耗

85毫瓦

CMOS的最佳速度/功耗

易内存扩展与CE

1

，CE

2

和OE特点

TTL兼容的输入和输出

取消时自动断电

可在非无铅28引脚（ 300 mil）的模压SOJ ， 28引脚

（ 300密耳）模压SOIC和无铅28引脚（ 300 mil）的模制

DIP

■

逻辑框图

I / O

0

输入缓冲器

I / O

1

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

A

6

A

7

A

8

行解码器

检测放大器

I / O

2

I / O

3

I / O

4

I / O

5

I / O

6

8K ×8

ARRAY

CE

1

CE

2

WE

OE

列解码器

动力

下

I / O

7

A

10

A

11

选购指南

描述

最大访问时间（纳秒）

最大工作电流（mA ）

最大的CMOS待机电流（mA ）

-15

15

130

15

-20

20

110

15

-35

35

100

15

记

1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上可用

www.cypress.com 。

A

12

A

0

A

9

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05043牧师* E

198冠军苑

圣荷西

,

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2011年4月20日

[+ ]反馈

CY7C185

引脚配置................................................ ............. 3

最大额定值................................................ ............. 3

经营范围................................................ ............... 3

电气特性................................................ 3

电容................................................. ..................... 4

开关特性

，在工作范围

................................................. 5

开关波形................................................ ...... 6

典型的直流和交流特性................................ 9

真值表................................................ ...................... 10

地址代号................................................ ..... 10

订购信息................................................ ...... 10

订购代码定义......................................... 10

包图................................................ .......... 11

与缩略语................................................. ....................... 13

文档约定................................................ 13

计量单位............................................... ........ 13

文档历史记录页............................................... .. 14

销售，解决方案和法律信息...................... 15

全球销售和设计支持....................... 15

产品................................................. ................... 15

的PSoC解决方案................................................ ......... 15

文件编号： 38-05043牧师* E

分页： 15 2

[+ ]反馈

CY7C185

引脚配置

DIP / SOJ

顶视图

NC

A

4

A

5

A

6

A

7

A

8

A9

A

10

A

11

A

12

I / O

0

I / O

1

I / O

2

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

WE

CE

2

A

3

A

2

A

1

OE

A

0

CE

1

I / O

7

I / O

6

I / O

5

I / O

4

I / O

3

最大额定值

超出最大额定值可能会缩短的使用寿命

装置。用户指导未经过测试。

存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C

环境温度与

电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C

电源电压为地电位...............- 0.5 V至7.0 V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[2]

...........................................- 0.5 V至7.0 V

直流输入电压

[2]

........................................- 0.5 V至7.0 V

输出电流转换成输出（ LOW ） .............................. 20毫安

范围

产业

静电放电电压........................................... >2001 V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. ....... >200毫安

工作范围

环境

温度

0

°

C至+70

°

C

–40

°

C至+ 85

°

C

V

CC

5 V

±

10%

5 V

±

10%

电气特性

在整个工作范围

–15

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

CC

I

SB1

描述

输出高

电压

输出低

电压

输入高

电压

输入低

电压

[2]

输入漏

当前

输出漏

当前

V

CC

操作

电源电流

自动

掉电

当前

自动

掉电

当前

测试条件

V

CC

=最小值，

I

OH

= -4.0毫安

V

CC

=最小值，

I

OL

= 8.0毫安

民

2.4

最大

民

2.4

–20

最大

民

2.4

–35

最大

单位

V

μA

mA

0.4

2.2

–0.5

V

CC

+ 0.3

V

0.8

+5

130

40

2.2

–0.5

–5

0.4

V

CC

+ 0.3 V

0.8

+5

110

20

2.2

–0.5

–5

0.4

V

CC

+ 0.3 V

0.8

+5

100

20

GND

≤

V

I

≤

V

CC

GND

≤

V

I

≤

V

CC

,

输出禁用

V

CC

=最大，

I

OUT

= 0毫安

最大。 V

CC

,

CE

1

≥

V

IH

或CE

2

≤

V

IL

分钟。占空比= 100 ％

最大。 V

CC

,

CE

1

≥

V

CC

– 0.3 V,

或CE

2

≤

0.3 V

V

IN

≥

V

CC

= 0.3 V或

V

IN

≤

0.3 V

–5

I

SB2

15

mA

文件编号： 38-05043牧师* E

第15 3

[+ ]反馈

CY7C185

电容

最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。

参数

C

IN

C

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

T

A

= 25 ° C，F = 1MHz时，

V

CC

= 5.0 V

最大

7

单位

pF

图1. AC测试负载和波形

5V

产量

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R1 481

Ω

5V

产量

5 pF的

INCLUDING

JIGAND

范围

R1 481

Ω

3.0 V

R2

255Ω

GND

10%

所有的输入脉冲

90%

10%

≤

5纳秒

R2

255Ω

≤

5纳秒

相当于：

产量

(a)

(b)

戴维南等效

167Ω

1.73 V

笔记

2.最小电压等于-3.0 V代表的脉冲持续时间小于30纳秒。

3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 38-05043牧师* E

第15 4

[+ ]反馈

CY7C185

开关特性

在整个工作范围

[4]

-15

参数

读周期

t

RC

t

AA

t

OHA

t

ACE1

t

ACE2

t

美国能源部

t

LZOE

t

HZOE

t

LZCE1

t

LZCE2

t

HZCE

t

PU

t

PD

写周期

[7]

t

WC

t

SCE1

t

SCE2

t

AW

t

HA

t

SA

t

PWE

t

SD

t

HD

t

HZWE

t

LZWE

写周期时间

CE

1

低到写结束

CE

2

HIGH到写入结束

地址设置写到底

从写端地址保持

地址设置为Write开始

WE脉冲宽度

数据建立到写结束

从写端数据保持

WE低到高Z

[5]

WE高到低Z

3

15

12

0

12

8

0

7

5

20

15

0

15

10

0

7

5

35

20

25

0

20

12

0

8

ns

读周期时间

地址到数据有效

从地址变化数据保持

CE

1

低到数据有效

CE

2

高到数据有效

OE低到DATA有效

OE低到低Z

OE高来高

Z

[5]

[6]

-20

最大

民

20

15

20

5

15

8

20

9

3

7

8

5

3

7

8

0

15

20

0

5

3

5

最大

民

35

-35

最大

单位

ns

35

15

10

ns

10

ns

20

ns

描述

民

15

3

CE

1

低到低Z

CE

2

高到低Z

CE

1

高到高阻

[5, 6]

CE

2

低到高Z

CE

1

低到电

CE

2

变为高电平，上电

CE

1

高到掉电

CE

2

低到掉电

0

笔记

4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时的1.5伏，输入脉冲的0电平的参考电平到3.0V ，并在指定的I的输出负载

OL

/I

OH

和30 pF负载电容。

5. t

HZOE ，

t

HZCE

和叔

HZWE

用C指定

L

= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测

±500

毫伏从稳态电压。

6.在任何温度和电压条件下，叔

HZCE

小于吨

LZCE1

和T

LZCE2

对于任何给定的设备。

7.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定

1

低，CE

2

高，和WE为低电平。所有的3个信号必须是活动开始写，要么信号

可以通过去HIGH终止写。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的上升沿。

文件编号： 38-05043牧师* E

第15个5

[+ ]反馈

185

CY7C185

8K ×8静态RAM

特点

高速

- 15纳秒

快速吨

美国能源部

低有功功率

- 715毫瓦

低待机功耗

- 220毫瓦

CMOS的最佳速度/功耗

易于扩展内存与CE

1

，CE

2

和OE特点

TTL兼容的输入和输出

自动断电时取消

由低电平有效芯片使能（ CE提供

1

），高电平有效

片选（ CE

2

）和低电平有效输出使能（ OE ）和

三态驱动器。该设备具有自动断电

功能（ CE

1

或CE

2

），降低了功率消耗了70％

取消的时候。该CY7C185是在一个标准的300密耳宽

DIP ， SOJ或SOIC封装。

一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状

存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE

1

而我们在 -

看跌期权是低和CE

2

为高电平时，对八个数据数据

输入/输出管脚（ I / O的

0

通过I / O

7

）被写入到存储器

位置上的地址寻址的地址本

销（A

0

至A

12

）。读出装置通过完成

选择器件和使能输出端，CE

1

和OE

低电平有效，CE

2

高电平有效，当我们处于非活动状态或

HIGH 。在这些条件下，该位置的内容AD-

通过在地址引脚信息穿着存在于

八个数据输入/输出管脚。

输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态

该芯片被选择，输出被使能，和写使能

（WE）为HIGH 。模头涂布用于确保阿尔法免疫力。

功能说明

该CY7C185是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加

由8位认列8192字。简单的内存扩展

逻辑框图

销刀豆网络gurations

DIP / SOJ / SOIC

顶视图

NC

A

4

A

5

A

6

A

7

A

8

A

9

A

10

A

11

A

12

I / O

0

I / O

1

I / O

2

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

WE

CE

2

A

3

A

2

A

1

OE

A

0

CE

1

I / O

7

I / O

6

I / O

5

I / O

4

I / O

3

C185–2

I / O

0

输入缓冲器

I / O

1

I / O

2

I / O

3

I / O

4

I / O

5

I / O

6

CE

1

CE

2

WE

OE

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

A

6

A

7

A

8

行解码器

256 x 32 x 8

ARRAY

列解码器

动力

下

检测放大器

I / O

7

A

10

A

11

A

12

A

0

A

9

C185–1

选购指南

[1]

最大访问时间（纳秒）

最大工作电流（mA ）

最大待机电流（mA ）

注意：

1.对于军事规格，请参阅CY7C185A数据表。

7C185–15

15

130

40/15

7C185–20

20

110

20/15

7C185–25

25

100

20/15

7C185–35

35

100

20/15

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05043牧师**

3901北一街

圣荷西

CA 95134 408-943-2600

修订后的2001年8月24日

CY7C185

最大额定值

（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -

线，没有测试。）

存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C

环境温度与

电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C

电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[2]

............................................ -0.5V至7.0 V

直流输入电压

[2]

........................................ -0.5V至+ 7.0V

输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安

静电放电电压.......................................... >2001V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. ...... >200毫安

工作范围

范围

产业

环境

温度

0

°

C至+70

°

C

–40

°

C至+ 85

°

C

V

CC

5V

±

10%

5V

±

10%

电气特性

在整个工作范围

7C185–15

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

OS

I

CC

I

SB1

I

SB2

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

[2]

输入负载电流

输出漏

当前

输出短路

短路电流

[3]

V

CC

操作

电源电流

自动

掉电电流

自动

掉电电流

GND

≤

V

I

≤

V

CC

GND

≤

V

I

≤

V

CC

,

输出禁用

V

CC

=最大，

V

OUT

= GND

V

CC

=最大，

I

OUT

= 0毫安

最大。 V

CC

，CE

1

≥

V

IH

或CE

2

≤

V

IL

分钟。占空比= 100 ％

最大。 V

CC

，CE

1

≥

V

CC

– 0.3V,

或CE

2

≤

0.3V

V

IN

≥

V

CC

- 0.3V或V

IN

≤

0.3V

40

15

测试条件

V

CC

=最小值，我

OH

= -4.0毫安

V

CC

=最小值，我

OL

= 8.0毫安

2.2

–0.5

–5

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+

0.3V

0.8

+5

–300

130

20

15

2.2

–0.5

–5

马克斯。

7C185–20

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+

0.3V

0.8

+5

–300

110

马克斯。

单位

V

A

mA

注意事项：

2.最小电压等于-3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。

3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。

文件编号： 38-05043牧师**

第11 2

CY7C185

电气特性

在工作范围（续）

7C185–25

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

OS

I

CC

I

SB1

I

SB2

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

[2]

输入负载电流

输出漏

当前

输出短路

短路电流

[3]

V

CC

操作

电源电流

自动

掉电电流

自动

掉电电流

GND

≤

V

I

≤

V

CC

GND

≤

V

I

≤

V

CC

,

输出禁用

V

CC

=最大，

V

OUT

= GND

V

CC

=最大，

I

OUT

= 0毫安

最大。 V

CC

，CE

1

≥

V

IH

或CE

2

≤

V

IL

分钟。占空比= 100 ％

最大。 V

CC

，CE

1

≥

V

CC

– 0.3V

或CE

2

≤

0.3V

V

IN

≥

V

CC

- 0.3V或V

IN

≤

0.3V

测试条件

V

CC

=最小值，我

OH

= -4.0毫安

V

CC

=最小值，我

OL

= 8.0毫安

2.2

–0.5

–5

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+

0.3V

0.8

+5

–300

100

20

15

2.2

–0.5

–5

马克斯。

7C185-35

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+

0.3V

0.8

+5

–300

100

20

15

马克斯。

单位

V

A

mA

电容

[4]

参数

C

IN

C

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

T

A

= 25 ° C，F = 1MHz时，

V

CC

= 5.0V

马克斯。

7

单位

pF

注意：

4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

交流测试负载和波形

5V

产量

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R1 481

5V

产量

5 pF的

INCLUDING

JIGAND

范围

R1 481

所有的输入脉冲

3.0V

R2

255

GND

10%

90%

10%

R2

255

≤

5纳秒

≤

5纳秒

C185–5

(a)

(b)

C185–4

相当于：

戴维南等效

产量

167

1.73V

文件编号： 38-05043牧师**

第11 3

CY7C185

开关特性

在整个工作范围

[5]

7C185–15

参数

读周期

t

RC

t

AA

t

OHA

t

ACE1

t

ACE2

t

美国能源部

t

LZOE

t

HZOE

t

LZCE1

t

LZCE2

t

HZCE

t

PU

t

PD

读周期时间

地址到数据有效

从数据保持

地址变更

CE

1

低到数据有效

CE

2

高到数据有效

OE低到DATA有效

OE低到低Z

OE高到高Z

[6]

CE

1

低到低Z

[7]

CE

2

高到低Z

CE

1

高到高阻

[6, 7]

CE

2

低到高Z

CE

1

低到电

CE

2

变为高电平，上电

CE

1

高到掉电

CE

2

低到掉电

写周期时间

CE

1

低到写结束

CE

2

HIGH到写入结束

地址建立到

写入结束

从地址保持

写入结束

地址建立到

开始写

WE脉冲宽度

数据建立到写结束

从写端数据保持

WE低到高Z

[6]

WE高到低Z

3

15

12

0

12

8

0

7

5

0

15

3

7

0

20

3

7

5

3

8

0

20

3

15

8

3

8

5

3

10

0

20

15

5

20

9

3

10

5

3

10

20

5

25

12

3

10

25

5

35

15

35

ns

描述

分钟。

马克斯。

7C185–20

分钟。

马克斯。

7C185–25

分钟。

马克斯。

7C185–35

分钟。

马克斯。

单位

写周期

[8]

t

WC

t

SCE1

t

SCE2

t

AW

t

HA

t

SA

t

PWE

t

SD

t

HD

t

HZWE

t

LZWE

20

15

0

15

10

0

7

5

25

20

0

15

10

0

7

5

35

20

25

0

20

12

0

8

ns

注意事项：

5.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载

I

OL

/I

OH

和30 pF负载电容。

6. t

HZOE ，

t

HZCE

和叔

HZWE

用C指定

L

= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测

±

500毫伏的稳态电压。

7.在任何给定的温度和电压条件下，叔

HZCE

小于吨

LZCE1

和T

LZCE2

对于任何给定的设备。

8.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定

1

低，CE

2

高，和WE为低电平。所有的3个信号必须是活动开始写，要么

信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。

文件编号： 38-05043牧师**

第11 4

CY7C185

开关波形

读周期1号

[9,10]

t

RC

地址

t

OHA

数据输出

以前的数据有效

t

AA

数据有效

C185–6

读周期2号

[11,12]

CE

1

t

RC

CE

2

OE

t

ACE

t

美国能源部

t

LZOE

高阻抗

t

LZCE

V

CC

供应

当前

t

PU

50%

t

HZOE

t

HZCE

数据有效

t

PD

ICC

50%

ISB

C185–7

高

阻抗

数据输出

写周期号1 （我们控制）

[10,12]

t

WC

地址

CE

1

t

AW

CE

2

CE

WE

t

SA

t

SCE2

t

PWE

t

SCEI

t

HA

OE

t

SD

数据I / O

注13

t

HZOE

9.

10.

11.

12.

t

HD

C185–8

数据

IN

有效

设备被连续地选择。 OE ，CE

1

= V

IL

。 CE

2

= V

IH

.

WE为高的读周期。

数据I / O为高阻抗，如果OE = V

IH

，CE

1

= V

IH

我们= V

IL

，或CE

2

=V

IL

.

存储器的内部写入时间由CE的重叠限定

1

低，CE

2

HIGH和LOW WE 。 CE

1

我们必须较低， CE

2

必须为高电平

开始写。写可通过CE终止

1

或者我们是否高或CE

2

变低。的数据输入的设置和保持时间应参考的

该终止写信号的上升沿。

13.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。

文件编号： 38-05043牧师**

第11个5

1bCY7C185

CY7C185

8K ×8静态RAM

特点

高速

- 15纳秒

快速吨

美国能源部

低有功功率

- 715毫瓦

低待机功耗

= 85毫瓦

CMOS的最佳速度/功耗

易于扩展内存与CE

1

，CE

2

和OE特点

TTL兼容的输入和输出

自动断电时取消

提供非无铅28引脚（ 300 mil）的模压SOJ ，

28引脚（ 300 mil）的模塑和SOIC两种无铅和无

无铅模塑28引脚（ 300 mil）的DIP

功能说明

[1]

该CY7C185是一个高性能的CMOS静态RAM

由8位， 8192字。易内存扩展

由低电平有效芯片使能（ CE提供

1

），活性

高芯片使能（ CE

2

）和低电平有效输出使能（ OE ）

和三态驱动器。该装置具有自动

掉电功能（ CE

1

或CE

2

），减少了功率

取消选择时，由70％的消耗。该CY7C185是在一个

标准的300密耳宽DIP ， SOJ或SOIC封装。

一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制

所述存储器的写入/读出操作。当CE

1

和WE

输入均为低和CE

2

为高电平时，对八个数据数据

输入/输出管脚（ I / O的

0

通过I / O

7

）被写入到存储器

位置上的地址寻址的地址本

销（A

0

至A

12

）。读出装置通过完成

选择器件和使能输出端，CE

1

和OE

低电平有效，CE

2

高电平有效，当我们处于非活动状态或

HIGH 。位置在这些条件下，将内容

处理由信息上的地址引脚上存在

八个数据输入/输出管脚。

输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态

该芯片被选择，输出被使能，和写使能

（WE）为HIGH 。模头涂布用于确保阿尔法免疫力。

逻辑框图

销刀豆网络gurations

I / O

0

输入缓冲器

I / O

1

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

A

6

A

7

A

8

行解码器

I / O

2

I / O

3

I / O

4

I / O

5

I / O

6

CE

1

CE

2

WE

OE

NC

A

4

A

5

A

6

A

7

A

8

A9

A

10

A

11

A

12

I / O

0

I / O

1

I / O

2

GND

DIP / SOJ

顶视图

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

WE

CE

2

A

3

A

2

A

1

OE

A

0

CE

1

I / O

7

I / O

6

I / O

5

I / O

4

I / O

3

8K ×8

ARRAY

列解码器

动力

下

检测放大器

I / O

7

A

10

A

11

选购指南

最大访问时间（纳秒）

最大工作电流（mA ）

最大的CMOS待机电流（mA ）

-15

15

130

15

-20

20

110

15

-25

25

100

15

-35

35

100

15

注意事项：

1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。

A

12

A

0

A

9

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05043牧师* B

198冠军苑

圣荷西

,

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2006年7月24日

[+ ]反馈

CY7C185

最大额定值

（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -

线，没有测试。）

存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C

环境温度与

电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C

电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[2]

............................................ -0.5V至7.0 V

直流输入电压

[2]

......................................... -0.5V至+ 7.0V

输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安

静电放电电压........................................... >2001V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. ...... >200毫安

工作范围

范围

产业

环境

温度

0

°

C至+70

°

C

–40

°

C至+ 85

°

C

V

CC

5V

±

10%

5V

±

10%

电气特性

在整个工作范围

–15

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

CC

I

SB1

描述

输出高

电压

输出低

电压

输入高

电压

输入低

电压

[2]

输入漏

当前

GND

≤

V

I

≤

V

CC

测试条件

V

CC

=最小值，

I

OH

= -4.0毫安

V

CC

=最小值，

I

OL

= 8.0毫安

2.2

–0.5

–5

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+ 0.3V

0.8

+5

130

40

2.2

–0.5

–5

马克斯。

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+ 0.3V

0.8

+5

110

20

2.2

–0.5

–5

–20

马克斯。

2.4

0.4

V

CC

+ 0.3V

0.8

+5

100

20

–25, -35

分钟。

马克斯。

单位

V

A

mA

输出泄漏GND

≤

V

I

≤

V

CC

,

当前

输出禁用

V

CC

工作V

CC

=最大，

供应电流I

OUT

= 0毫安

自动

掉电

当前

自动

掉电

当前

最大。 V

CC

,

CE

1

≥

V

IH

或CE

2

≤

V

IL

分钟。占空比= 100 ％

最大。 V

CC

,

CE

1

≥

V

CC

– 0.3V,

或CE

2

≤

0.3V

V

IN

≥

V

CC

- 0.3V或

V

IN

≤

0.3V

I

SB2

15

mA

电容

[3]

参数

C

IN

C

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

T

A

= 25 ° C，F = 1MHz时，

V

CC

= 5.0V

马克斯。

7

单位

pF

注意事项：

2.最小电压等于-3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。

3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 38-05043牧师* B

第12页2

[+ ]反馈

CY7C185

交流测试负载和波形

5V

产量

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R1 481

5V

产量

5 pF的

INCLUDING

JIGAND

范围

R1 481

3.0V

R2

255

GND

10%

所有的输入脉冲

90%

10%

≤

5纳秒

R2

255

≤

5纳秒

相当于：

产量

(a)

(b)

戴维南等效

167

1.73V

开关特性

在整个工作范围

[4]

-15

参数

读周期

t

RC

t

AA

t

OHA

t

ACE1

t

ACE2

t

美国能源部

t

LZOE

t

HZOE

t

LZCE1

t

LZCE2

t

HZCE

t

PU

t

PD

写周期

[7]

t

WC

t

SCE1

t

SCE2

t

AW

t

HA

t

SA

t

PWE

t

SD

t

HD

t

HZWE

t

LZWE

写周期时间

CE

1

低到写结束

CE

2

HIGH到写入结束

地址建立撰写完

从写端地址保持

地址建立到开始写

WE脉冲宽度

数据建立到写结束

从写端数据保持

WE低到高Z

[5]

WE高到低Z

3

15

12

0

12

8

0

7

5

20

15

0

15

10

0

7

5

25

20

0

15

10

0

7

5

35

20

25

0

20

12

0

8

ns

读周期时间

地址到数据有效

从地址变化数据保持

CE

1

低到数据有效

CE

2

高到数据有效

OE低到DATA有效

OE低到低Z

OE高到高Z

[5]

CE

1

低到低Z

[6]

CE

2

高到低Z

CE

1

高到高阻

[5, 6]

CE

2

低到高Z

CE

1

低到电

CE

2

变为高电平，上电

CE

1

高到掉电

CE

2

低到掉电

0

15

3

7

0

20

3

7

5

3

8

0

20

3

15

8

3

8

5

3

10

0

20

15

5

20

9

3

10

5

3

10

20

5

25

12

3

10

25

5

35

15

35

ns

描述

分钟。

马克斯。

分钟。

-20

马克斯。

分钟。

-25

马克斯。

分钟。

-35

马克斯。

单位

注意事项：

4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载

I

OL

/I

OH

和30 pF负载电容。

5. t

HZOE ，

t

HZCE

和叔

HZWE

用C指定

L

= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测

±500

毫伏从稳态电压。

6.在任何给定的温度和电压条件下，叔

HZCE

小于吨

LZCE1

和T

LZCE2

对于任何给定的设备。

7.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定

1

低，CE

2

高，和WE为低电平。所有的3个信号必须是活动开始写，要么

信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。

文件编号： 38-05043牧师* B

第12页3

[+ ]反馈

CY7C185

开关波形

读周期1号

[8,9]

t

RC

地址

t

OHA

数据输出

以前的数据有效

t

AA

数据有效

读周期2号

[10,11]

CE

1

t

RC

CE

2

OE

t

ACE

t

美国能源部

t

LZOE

高阻抗

t

LZCE

V

CC

供应

当前

t

PU

50%

t

HZOE

t

HZCE

数据有效

t

PD

ICC

50%

ISB

高

阻抗

数据输出

注意事项：

8.设备不断选择。 OE ，CE

1

= V

IL

。 CE

2

= V

IH

.

9.我们是高读周期。

10.数据I / O是高阻抗，如果OE = V

IH

，CE

1

= V

IH

我们= V

IL

，或CE

2

=V

IL

.

11.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定

1

低，CE

2

HIGH和LOW WE 。 CE

1

我们必须较低， CE

2

必须为高电平

开始写。写可通过CE终止

1

或者我们是否高或CE

2

变低。的数据输入的设置和保持时间应参考的

该终止写信号的上升沿。

文件编号： 38-05043牧师* B

第12页4

[+ ]反馈

CY7C185

开关波形

（续）

写周期号1 （我们控制）

[9,11]

t

WC

地址

CE

1

t

AW

CE

2

CE

WE

t

SA

t

SCE2

t

PWE

t

SCEI

t

HA

OE

t

SD

数据I / O

注12

t

HZOE

数据

IN

有效

t

HD

写周期号2 （ CE控制）

[11,12,13]

t

WC

地址

CE

1

t

SA

CE

2

t

AW

WE

t

SD

数据I / O

数据

IN

有效

t

HD

t

SCE2

t

HA

t

SCE1

注意事项：

12.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。

13.写周期＃ 3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和

HZWE

和T

SD

.

文件编号： 38-05043牧师* B

第12页5

[+ ]反馈

185

CY7C185

8K ×8静态RAM

特点

高速

- 15纳秒

快速吨

美国能源部

低有功功率

- 715毫瓦

低待机功耗

- 220毫瓦

CMOS的最佳速度/功耗

易于扩展内存与CE

1

，CE

2

和OE特点

TTL兼容的输入和输出

自动断电时取消

由低电平有效芯片使能（ CE提供

1

），高电平有效

片选（ CE

2

）和低电平有效输出使能（ OE ）和

三态驱动器。该设备具有自动断电

功能（ CE

1

或CE

2

），降低了功率消耗了70％

取消的时候。该CY7C185是在一个标准的300密耳宽

DIP ， SOJ或SOIC封装。

一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状

存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE

1

而我们在 -

看跌期权是低和CE

2

为高电平时，对八个数据数据

输入/输出管脚（ I / O的

0

通过I / O

7

）被写入到存储器

位置上的地址寻址的地址本

销（A

0

至A

12

）。读出装置通过完成

选择器件和使能输出端，CE

1

和OE

低电平有效，CE

2

高电平有效，当我们处于非活动状态或

HIGH 。在这些条件下，该位置的内容AD-

通过在地址引脚信息穿着存在于

八个数据输入/输出管脚。

输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态

该芯片被选择，输出被使能，和写使能

（WE）为HIGH 。模头涂布用于确保阿尔法免疫力。

功能说明

[1]

该CY7C185是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加

由8位认列8192字。简单的内存扩展

逻辑框图

销刀豆网络gurations

DIP / SOJ / SOIC

顶视图

NC

A

4

A

5

A

6

A

7

A

8

A

9

A

10

A

11

A

12

I / O

0

I / O

1

I / O

2

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

WE

CE

2

A

3

A

2

A

1

OE

A

0

CE

1

I / O

7

I / O

6

I / O

5

I / O

4

I / O

3

I / O

0

输入缓冲器

I / O

1

I / O

2

I / O

3

I / O

4

I / O

5

I / O

6

CE

1

CE

2

WE

OE

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

A

6

A

7

A

8

行解码器

256 x 32 x 8

ARRAY

列解码器

动力

下

检测放大器

I / O

7

A

10

A

11

选购指南

[2]

最大访问时间（纳秒）

最大工作电流（mA ）

最大待机电流（mA ）

7C185-15

15

130

40/15

7C185-20

20

110

20/15

7C185-25

25

100

20/15

7C185-35

35

100

20/15

注意：

1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。

2.对于军事规格，请参阅CY7C185A数据表。

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05043修订版**

A

12

A

0

A

9

3901北一街

圣荷西

CA 95134 408-943-2600

修订后的2002年9月13日

CY7C185

最大额定值

（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -

线，没有测试。）

存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C

环境温度与

电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C

电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[3]

............................................ -0.5V至7.0 V

直流输入电压

[3]

......................................... -0.5V至+ 7.0V

输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安

静电放电电压........................................... >2001V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. ...... >200毫安

工作范围

范围

产业

环境

温度

0

°

C至+70

°

C

–40

°

C至+ 85

°

C

V

CC

5V

±

10%

5V

±

10%

电气特性

在整个工作范围

7C185-15

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

OS

I

CC

I

SB1

I

SB2

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

[3]

输入负载电流

输出漏

当前

输出短路

短路电流

[4]

V

CC

操作

电源电流

自动

掉电电流

自动

掉电电流

GND

≤

V

I

≤

V

CC

GND

≤

V

I

≤

V

CC

,

输出禁用

V

CC

=最大，

V

OUT

= GND

V

CC

=最大，

I

OUT

= 0毫安

最大。 V

CC

，CE

1

≥

V

IH

或CE

2

≤

V

IL

分钟。占空比= 100 ％

最大。 V

CC

，CE

1

≥

V

CC

– 0.3V,

或CE

2

≤

0.3V

V

IN

≥

V

CC

- 0.3V或V

IN

≤

0.3V

40

15

测试条件

V

CC

=最小值，我

OH

= -4.0毫安

V

CC

=最小值，我

OL

= 8.0毫安

2.2

–0.5

–5

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+

0.3V

0.8

+5

–300

130

20

15

2.2

–0.5

–5

马克斯。

7C185-20

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+

0.3V

0.8

+5

–300

110

马克斯。

单位

V

A

mA

注意事项：

3.最小电压等于-3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。

4.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。

文件编号： 38-05043修订版**

第11 2

CY7C185

电气特性

在工作范围（续）

7C185-25

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

OS

I

CC

I

SB1

I

SB2

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

[3]

输入负载电流

输出漏

当前

输出短路

短路电流

[4]

V

CC

操作

电源电流

自动

掉电电流

自动

掉电电流

GND

≤

V

I

≤

V

CC

GND

≤

V

I

≤

V

CC

,

输出禁用

V

CC

=最大，

V

OUT

= GND

V

CC

=最大，

I

OUT

= 0毫安

最大。 V

CC

，CE

1

≥

V

IH

或CE

2

≤

V

IL

分钟。占空比= 100 ％

最大。 V

CC

，CE

1

≥

V

CC

– 0.3V

或CE

2

≤

0.3V

V

IN

≥

V

CC

- 0.3V或V

IN

≤

0.3V

测试条件

V

CC

=最小值，我

OH

= -4.0毫安

V

CC

=最小值，我

OL

= 8.0毫安

2.2

–0.5

–5

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+

0.3V

0.8

+5

–300

100

20

15

2.2

–0.5

–5

马克斯。

7C185-35

分钟。

2.4

0.4

V

CC

+

0.3V

0.8

+5

–300

100

20

15

马克斯。

单位

V

A

mA

电容

[5]

参数

C

IN

C

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

T

A

= 25 ° C，F = 1MHz时，

V

CC

= 5.0V

马克斯。

7

单位

pF

注意：

5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

交流测试负载和波形

5V

产量

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R1 481

5V

产量

5 pF的

INCLUDING

JIGAND

范围

R1 481

所有的输入脉冲

3.0V

R2

255

GND

10%

90%

10%

≤

5纳秒

R2

255

≤

5纳秒

(a)

(b)

相当于：

戴维南等效

产量

167

1.73V

文件编号： 38-05043修订版**

第11 3

CY7C185

开关特性

在整个工作范围

[6]

7C185-15

参数

读周期

t

RC

t

AA

t

OHA

t

ACE1

t

ACE2

t

美国能源部

t

LZOE

t

HZOE

t

LZCE1

t

LZCE2

t

HZCE

t

PU

t

PD

写周期

[9]

t

WC

t

SCE1

t

SCE2

t

AW

t

HA

t

SA

t

PWE

t

SD

t

HD

t

HZWE

t

LZWE

写周期时间

CE

1

低到写结束

CE

2

HIGH到写入结束

地址建立撰写完

从写端地址保持

地址建立到开始写

WE脉冲宽度

数据建立到写结束

从写端数据保持

WE低到高Z

[7]

WE高到低Z

3

15

12

0

12

8

0

7

5

20

15

0

15

10

0

7

5

25

20

0

15

10

0

7

5

35

20

25

0

20

12

0

8

ns

读周期时间

地址到数据有效

从地址变化数据保持

CE

1

低到数据有效

CE

2

高到数据有效

OE低到DATA有效

OE低到低Z

OE高到高Z

[7]

CE

1

低到低Z

[8]

CE

2

高到低Z

CE

1

高到高阻

[7, 8]

CE

2

低到高Z

CE

1

低到电

CE

2

变为高电平，上电

CE

1

高到掉电

CE

2

低到掉电

0

15

3

7

0

20

3

7

5

3

8

0

20

3

15

8

3

8

5

3

10

0

20

15

5

20

9

3

10

5

3

10

20

5

25

12

3

10

25

5

35

15

35

ns

描述

分钟。

马克斯。

7C185-20

分钟。

马克斯。

7C185-25

分钟。

马克斯。

7C185-35

分钟。

马克斯。

单位

注意事项：

6.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载

I

OL

/I

OH

和30 pF负载电容。

7. t

HZOE ，

t

HZCE

和叔

HZWE

用C指定

L

= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测

±500

毫伏从稳态电压。

8.在任何给定的温度和电压条件下，叔

HZCE

小于吨

LZCE1

和T

LZCE2

对于任何给定的设备。

9.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定

1

低，CE

2

高，和WE为低电平。所有的3个信号必须是活动开始写，要么

信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。

文件编号： 38-05043修订版**

第11 4

CY7C185

开关波形

读周期1号

[10,11]

t

RC

地址

t

OHA

数据输出

以前的数据有效

t

AA

数据有效

读周期2号

[12,13]

CE

1

t

RC

CE

2

OE

t

ACE

t

美国能源部

t

LZOE

高阻抗

t

LZCE

V

CC

供应

当前

t

PU

50%

t

HZOE

t

HZCE

数据有效

t

PD

ICC

50%

ISB

高

阻抗

数据输出

写周期号1 （我们控制）

[11,13]

t

WC

地址

CE

1

t

AW

CE

2

CE

WE

t

SA

t

SCE2

t

PWE

t

SCEI

t

HA

OE

t

SD

数据I / O

注14

t

HZOE

10.

11.

12.

13.

设备被连续地选择。 OE ，CE

1

= V

IL

。 CE

2

= V

IH

.

WE为高的读周期。

数据I / O为高阻抗，如果OE = V

IH

，CE

1

= V

IH

我们= V

IL

，或CE

2

=V

IL

.

存储器的内部写入时间由CE的重叠限定

1

低，CE

2

HIGH和LOW WE 。 CE

1

我们必须较低， CE

2

必须为高电平

开始写。写可通过CE终止

1

或者我们是否高或CE

2

变低。的数据输入的设置和保持时间应参考的

该终止写信号的上升沿。

14.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。

t

HD

数据

IN

有效

文件编号： 38-05043修订版**

第11个5