182
CY7C182
8Kx9静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 25纳秒
X9组织是理想的高速缓冲存储器应用
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 770毫瓦
低待机功耗
- 195毫瓦
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
， OE选项
的CY7C182 ，它是面向高速缓冲存储器应用程序
阳离子，功能全静态操作无需外部
时钟或定时选通。自动断电功能
减少功率消耗的70％以上时
电路取消。易内存扩展是由提供
低有效芯片使能（ CE
1
） ，高电平有效芯片恩
能（ CE
2
） ，低有效输出使能（ OE ）和三
态驱动器。
低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE
1
而我们在 -
卖出期权都低，对9数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
8
）被写入到存储器位置AD-
通过地址本上的地址引脚（A装扮
0
至A
12
） 。读取装置，通过选择完成
该装置和使输出端， （CE
1
和OE低电平有效
和CE
2
高电平有效） ，而（我们）保持非活动状态还是很高的。
在这些条件下，该单元的内容寻址
通过在地址引脚的信息存在于9数据
输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C182是有组织的高速CMOS静态RAM
为8,192 9位，它是利用Cypress的高端制造
高性能CMOS技术。存取时间快25纳秒
可仅为770最大功耗
毫瓦。
逻辑框图
引脚配置
DIP / SOJ
顶视图
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
C182–2
I / O
0
输入缓冲器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
CE
1
CE
2
WE
OE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
GND
256 x 32 x 9
ARRAY
COLUMN
解码器
A
10
A
11
A
12
A
0
A
9
动力
下
I / O
7
I / O
8
C182–1
选购指南
7C182-25
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
25
140
35
7C182-35
35
140
35
7C182-45
45
140
35
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05031牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C182
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
.....................................65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源应用................................................ ..- 55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位
[1]
..............0.5V
至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.................................................0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
[1]
..............................................0.5V
至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD- 883 ，方法3015.2 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+ 70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C182-25, 35, 45
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
,
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
最大输出电流= 0 mA时，
F =最大，V
IN
= V
CC
或GND
MAX V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH
，CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
CC
0.3V ，CE
2
＆ LT ; 0.3V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
分钟，我
OH
=
4.0
毫安。
V
CC
分钟，我
OL
= 8.0毫安
2.2
0.5
10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
I
OZ
I
OS
I
CC
输出漏电流
输出短路
当前
[2]
V
CC
工作电路
当前
自动断电
电流 - TTL输入
自动断电
电流 - CMOS输入
10
+10
300
140
35
20
A
mA
mA
mA
mA
电容
[3]
参数
C
OUT
C
IN
描述
输出电容
输入电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意：
1. V
IL
（分钟） =
3.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
短路的2持续时间不得超过30秒钟。不超过一个的输出应在同一时间被短路。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1 481
3.0V
R2
255
C182–3
R2
255
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
C182–4
＆ LT ; 5纳秒
(a)
相当于：
戴维南等效
167
产量
1.73V
(b)
文件编号： 38-05031牧师**
第2 7
CY7C182
开关特性
在整个工作范围
7C182-25
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
t
ACE2
t
LZCE1
t
LZCE2
t
HZCE1
t
HZCE2
t
PU
t
PD
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
写周期
[6]
t
WC
t
SA
t
AW
t
SD
t
SCE1
t
SCE2
t
PWE
t
HA
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
数据建立时间
CE
1
低到写结束
CE
2
HIGH到写入结束
WE脉冲宽度
从写结束地址保持
数据保持时间
写高到低Z
[7]
写低到高Z
[5, 7, 8]
25
0
20
15
20
20
20
0
0
3
13
35
0
30
20
30
30
25
0
0
3
15
45
0
40
25
40
40
30
0
0
3
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
[4]
7C182-35
分钟。
35
马克斯。
7C182-45
分钟。
45
马克斯。
单位
ns
45
3
45
45
5
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
25
0
ns
25
20
3
25
ns
ns
ns
ns
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
存取时间
CE
2
存取时间
CE
1
低到低Z
CE
2
高到低Z
CE
1
高到高阻
[5]
CE
2
低到高Z
[5]
CE
1
低到电
CE
1
高到掉电
OE访问时间
OE低到低Z
OE高到高Z
[5]
分钟。
25
马克斯。
25
3
25
25
5
5
18
18
0
20
18
3
18
3
0
5
5
3
35
35
35
20
20
20
20
20
注意事项：
4.我们是高读周期。
5. t
HZCE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
6.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。所有这三个信号必须置为启动写
与任何信号可以通过被拉高终止写操作。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的上升沿那
结束写入。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
LZWE
小于吨
HZWE
对于任何给定的设备。这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
8.地址有效之前或重合CE过渡低和CE
2
变为高电平。
文件编号： 38-05031牧师**
第3页7
CY7C182
开关波形
读周期
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C182–5
1号
[4, 9]
t
RC
读周期2号
CE
1
[4, 10]
t
RC
CE
2
OE
OE
t
ACE1
t
ACE2
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
ICC
50%
50%
ISB
C182–6
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
高
阻抗
数据输出
写周期号1 （我们控制）
地址
[6]
t
WC
CS
1
t
SCE1
t
SCE2
CS
2
t
AW
WE
t
SA
t
PWE
t
HA
t
SD
DATA IN
t
HZWE
数据I / O
数据中，未定义
数据有效
t
HD
t
LZWE
高阻抗
C182–7
注意事项：
9.设备不断选择。 OE ，CE
1
= V
IL
。 CE
2
= V
IH 。
10.如果CE
1
变为高电平， CE
2
变为低电平时同时WE高电平时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-05031牧师**
第4 7
CY7C182
8Kx9静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 25纳秒
X9组织是理想的高速缓冲存储器应用
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 770毫瓦
低待机功耗
- 195毫瓦
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
， OE选项
的CY7C182 ，它是面向高速缓冲存储器应用程序
阳离子，功能全静态操作无需外部
时钟或定时选通。自动断电功能
减少功率消耗的70％以上时
电路取消。易内存扩展是由提供
低有效芯片使能（ CE
1
） ，高电平有效芯片恩
能（ CE
2
） ，低有效输出使能（ OE ）和三
态驱动器。
低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE
1
而我们在 -
卖出期权都低，对9数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
8
）被写入到存储器位置AD-
通过地址本上的地址引脚（A装扮
0
至A
12
） 。读取装置，通过选择完成
该装置和使输出端， （CE
1
和OE低电平有效
和CE
2
高电平有效） ，而（我们）保持非活动状态还是很高的。
在这些条件下，该单元的内容寻址
通过在地址引脚的信息存在于9数据
输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C182是有组织的高速CMOS静态RAM
为8,192 9位，它是利用Cypress的高端制造
高性能CMOS技术。存取时间快25纳秒
可仅为770最大功耗
毫瓦。
逻辑框图
引脚配置
DIP / SOJ
顶视图
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
0
输入缓冲器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
CE
1
CE
2
WE
OE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
GND
256 x 32 x 9
ARRAY
COLUMN
解码器
A
10
A
11
A
12
A
0
A
9
动力
下
I / O
7
I / O
8
C182–1
C182–2
选购指南
7C182-25
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
25
140
35
7C182-35
35
140
35
7C182-45
45
140
35
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1999年10月4日
CY7C182
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
.....................................65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源的应用
..................................................55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位
[1]
..............0.5V
至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.................................................0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
[1]
..............................................0.5V
至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD- 883 ，方法3015.2 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+ 70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C182-25, 35, 45
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
[1]
测试条件
V
CC
分钟，我
OH
=
4.0
毫安。
V
CC
分钟，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
马克斯。
0.4
单位
V
V
V
V
A
2.2
0.5
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
,
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
最大输出电流= 0 mA时，
F =最大，V
IN
= V
CC
或GND
MAX V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH
，CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
CC
0.3V ，CE
2
＆ LT ; 0.3V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
10
V
CC
0.8
+10
I
OZ
I
OS
I
CC
输出漏电流
输出短路
当前
[2]
V
CC
工作电路
当前
自动断电
电流 - TTL输入
自动断电
电流 - CMOS输入
10
+10
300
140
35
20
A
mA
mA
mA
mA
电容
[3]
参数
C
OUT
C
IN
注意：
1.
2.
3.
V
IL
（分钟） =
3.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
短路的持续时间不得超过30秒钟。不超过一个的输出应在同一时间被短路。
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
描述
输出电容
输入电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 481
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
C182–3
R1 481
3.0V
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
C182–4
＆ LT ; 5纳秒
(a)
相当于：
戴维南等效
167
产量
1.73V
(b)
2
CY7C182
开关特性
在整个工作范围
7C182-25
参数
读周期
[4]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
t
ACE2
t
LZCE1
t
LZCE2
t
HZCE1
t
HZCE2
t
PU
t
PD
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
写周期
[6]
t
WC
t
SA
t
AW
t
SD
t
SCE1
t
SCE2
t
PWE
t
HA
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
数据建立时间
CE
1
低到写结束
CE
2
HIGH到写入结束
WE脉冲宽度
从写结束地址保持
数据保持时间
写高到低Z
[7]
写低到高Z
[5, 7, 8]
25
0
20
15
20
20
20
0
0
3
13
35
0
30
20
30
30
25
0
0
3
15
45
0
40
25
40
40
30
0
0
3
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
存取时间
CE
2
存取时间
CE
1
低到低Z
CE
2
高到低Z
CE
1
高到高阻
[5]
CE
2
低到高Z
[5]
CE
1
低到电
CE
1
高到掉电
OE访问时间
OE低到低Z
OE高到高Z
[5]
3
18
0
20
18
3
20
5
5
18
18
0
20
20
3
25
3
25
25
5
5
20
20
0
25
20
25
25
3
35
35
5
5
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
35
35
3
45
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C182-35
分钟。
马克斯。
7C182-45
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
4.我们是高读周期。
5. t
HZCE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
6.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。所有这三个信号必须置为启动写
与任何信号可以通过被拉高终止写操作。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的上升沿那
结束写入。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
LZWE
小于吨
HZWE
对于任何给定的设备。这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
8.地址有效之前或重合CE过渡低和CE
2
变为高电平。
3
CY7C182
开关波形
读周期
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C182–5
1号
[4, 9]
t
RC
读周期2号
CE
1
[4, 10]
t
RC
CE
2
OE
OE
t
ACE1
t
ACE2
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
ICC
50%
50%
ISB
C182–6
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
高
阻抗
数据输出
写周期号1 （我们控制）
地址
[6]
t
WC
CS
1
t
SCE1
t
SCE2
CS
2
t
AW
WE
t
SA
t
PWE
t
HA
t
SD
DATA IN
t
HZWE
数据I / O
数据中，未定义
数据有效
t
HD
t
LZWE
高阻抗
C182–7
注意事项：
9.设备不断选择。 OE ，CE
1
= V
IL
。 CE
2
= V
IH 。
10.如果CE
1
变为高电平， CE
2
变为低电平时同时WE高电平时，输出保持在高阻抗状态。
4
CY7C182
8Kx9静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 25纳秒
X9组织是理想的高速缓冲存储器应用
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 770毫瓦
低待机功耗
- 195毫瓦
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
， OE选项
的CY7C182 ，它是面向高速缓冲存储器应用程序
阳离子，功能全静态操作无需外部
时钟或定时选通。自动断电功能
减少功率消耗的70％以上时
电路取消。易内存扩展是由提供
低有效芯片使能（ CE
1
） ，高电平有效芯片恩
能（ CE
2
） ，低有效输出使能（ OE ）和三
态驱动器。
低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE
1
而我们在 -
卖出期权都低，对9数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
8
）被写入到存储器位置AD-
通过地址本上的地址引脚（A装扮
0
至A
12
） 。读取装置，通过选择完成
该装置和使输出端， （CE
1
和OE低电平有效
和CE
2
高电平有效） ，而（我们）保持非活动状态还是很高的。
在这些条件下，该单元的内容寻址
通过在地址引脚的信息存在于9数据
输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C182是有组织的高速CMOS静态RAM
为8,192 9位，它是利用Cypress的高端制造
高性能CMOS技术。存取时间快25纳秒
可仅为770最大功耗
毫瓦。
逻辑框图
引脚配置
DIP / SOJ
顶视图
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
0
输入缓冲器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
CE
1
CE
2
WE
OE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
GND
256 x 32 x 9
ARRAY
COLUMN
解码器
A
10
A
11
A
12
A
0
A
9
动力
下
I / O
7
I / O
8
C182–1
C182–2
选购指南
7C182-25
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
25
140
35
7C182-35
35
140
35
7C182-45
45
140
35
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1999年10月4日
CY7C182
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
.....................................65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源的应用
..................................................55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位
[1]
..............0.5V
至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.................................................0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
[1]
..............................................0.5V
至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD- 883 ，方法3015.2 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+ 70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C182-25, 35, 45
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
[1]
测试条件
V
CC
分钟，我
OH
=
4.0
毫安。
V
CC
分钟，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
马克斯。
0.4
单位
V
V
V
V
A
2.2
0.5
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
,
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
最大输出电流= 0 mA时，
F =最大，V
IN
= V
CC
或GND
MAX V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH
，CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
CC
0.3V ，CE
2
＆ LT ; 0.3V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
10
V
CC
0.8
+10
I
OZ
I
OS
I
CC
输出漏电流
输出短路
当前
[2]
V
CC
工作电路
当前
自动断电
电流 - TTL输入
自动断电
电流 - CMOS输入
10
+10
300
140
35
20
A
mA
mA
mA
mA
电容
[3]
参数
C
OUT
C
IN
注意：
1.
2.
3.
V
IL
（分钟） =
3.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
短路的持续时间不得超过30秒钟。不超过一个的输出应在同一时间被短路。
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
描述
输出电容
输入电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 481
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
C182–3
R1 481
3.0V
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
C182–4
＆ LT ; 5纳秒
(a)
相当于：
戴维南等效
167
产量
1.73V
(b)
2
CY7C182
开关特性
在整个工作范围
7C182-25
参数
读周期
[4]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
t
ACE2
t
LZCE1
t
LZCE2
t
HZCE1
t
HZCE2
t
PU
t
PD
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
写周期
[6]
t
WC
t
SA
t
AW
t
SD
t
SCE1
t
SCE2
t
PWE
t
HA
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
数据建立时间
CE
1
低到写结束
CE
2
HIGH到写入结束
WE脉冲宽度
从写结束地址保持
数据保持时间
写高到低Z
[7]
写低到高Z
[5, 7, 8]
25
0
20
15
20
20
20
0
0
3
13
35
0
30
20
30
30
25
0
0
3
15
45
0
40
25
40
40
30
0
0
3
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
存取时间
CE
2
存取时间
CE
1
低到低Z
CE
2
高到低Z
CE
1
高到高阻
[5]
CE
2
低到高Z
[5]
CE
1
低到电
CE
1
高到掉电
OE访问时间
OE低到低Z
OE高到高Z
[5]
3
18
0
20
18
3
20
5
5
18
18
0
20
20
3
25
3
25
25
5
5
20
20
0
25
20
25
25
3
35
35
5
5
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
35
35
3
45
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C182-35
分钟。
马克斯。
7C182-45
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
4.我们是高读周期。
5. t
HZCE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
6.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。所有这三个信号必须置为启动写
与任何信号可以通过被拉高终止写操作。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的上升沿那
结束写入。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
LZWE
小于吨
HZWE
对于任何给定的设备。这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
8.地址有效之前或重合CE过渡低和CE
2
变为高电平。
3
CY7C182
开关波形
读周期
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C182–5
1号
[4, 9]
t
RC
读周期2号
CE
1
[4, 10]
t
RC
CE
2
OE
OE
t
ACE1
t
ACE2
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
ICC
50%
50%
ISB
C182–6
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
高
阻抗
数据输出
写周期号1 （我们控制）
地址
[6]
t
WC
CS
1
t
SCE1
t
SCE2
CS
2
t
AW
WE
t
SA
t
PWE
t
HA
t
SD
DATA IN
t
HZWE
数据I / O
数据中，未定义
数据有效
t
HD
t
LZWE
高阻抗
C182–7
注意事项：
9.设备不断选择。 OE ，CE
1
= V
IL
。 CE
2
= V
IH 。
10.如果CE
1
变为高电平， CE
2
变为低电平时同时WE高电平时，输出保持在高阻抗状态。
4
QQ：2880707522 复制
