66
CY7C164
CY7C166
16K ×4静态RAM
特点
高速
- 15纳秒
输出使能（ OE ）功能（ CY7C166 ）
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
= 633毫瓦
低待机功耗
= 110毫瓦
TTL兼容的输入和输出
取消时自动断电
三态驱动器。该CY7C166有一个低电平有效输出
启用（ OE ）功能。这两款器件都具有自动加电
断特性，降低了功率消耗了65％时
取消选择。
写器件是造诣当芯片使能
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平（与
输出使能（ OE ）低的CY7C166 ） 。上的数据
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被写入到
在地址引脚指定的存储单元（A
0
通过
A
13
).
阅读该设备通过采取芯片使能实现
（ CE ）低（与OE低的CY7C166 ），而写使能
（ WE）仍然很高。在这些条件下的内容
上的地址引脚指定的存储位置将出现
在四个数据I / O引脚。
在I / O引脚保持在高阻抗状态时，芯片使能
（ CE ）为高电平（或输出使能（ OE ）为高电平为CY7C166 ） 。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C164和CY7C166是高性能CMOS
静态RAM， 4位组织为16,384 。容易记忆EX-
潘申由低电平有效的芯片提供使能（CE ）和
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
CE
GND
1
2
3
4
5
6 7C164
7
8
9
10
11
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
V
CC
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
C164–3
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
CE
NC
GND
SOJ
顶视图
1
2
3
4
5
6 7C164
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
C164–2
输入缓冲器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
检测放大器
256 x 64 x 4
ARRAY
DIP / SOJ
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
CE
OE
GND
1
24
2
23
3
22
4
21
5
20
6 7C166 19
7
18
17
8
9
16
10
15
11
14
12
13
V
CC
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
C166–1
COLUMN
解码器
A
0
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
动力
下
CE
WE
（ OE）的
（ 7C166 ONLY）
C164–4
]
选购指南
7C164-15
7C166-15
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
15
115
20
7C164-20
7C166-20
20
115
20
7C164-25
7C166-25
25
105
20
7C164-35
7C166-35
35
105
20
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05025牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C164
CY7C166
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
............................................ -0.5V至7.0 V
直流输入电压
[1]
........................................ -0.5V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C164-15
7C166-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高电压
输入低
电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[2]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
[3]
自动CE
掉电电流
[3]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH ，
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+5
+5
–350
115
40
20
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C164-20
7C166-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+5
+5
–350
115
40
20
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C164-25, 35
7C166-25, 35
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+5
+5
–350
105
20
20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.最小电压等于-3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。
2.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
3.上拉电阻到V
CC
在CE输入必须保持在V取消设备
CC
电，否则我
SB
将超过给定值。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05025牧师**
第2 9
CY7C164
CY7C166
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于：
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
C164–5
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
C164–6
＆ LT ; 5纳秒
戴维南等效
167
产量
1.73V
开关特性
在整个工作范围
[5]
7C164-15
7C166-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变更输出保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
[8]
7C164-20
7C166-20
分钟。
20
马克斯。
7C164-25
7C166-25
分钟。
25
马克斯。
7C164-35
7C166-35
分钟。
35
马克斯。
单位
ns
35
5
35
15
3
12
5
15
0
20
25
25
25
0
0
20
15
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
ns
描述
分钟。
15
马克斯。
15
3
15
7C166
7C166
7C166
3
8
0
15
15
12
12
0
0
12
10
0
5
7
20
15
15
0
0
15
10
0
5
0
3
8
5
10
3
5
20
5
20
10
3
8
5
8
0
20
20
20
20
0
0
15
10
0
5
7
25
25
12
10
10
20
写周期
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[6, 7]
7
注意事项：
5.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
对于任何给定的设备。这些参数由设计保证，而不是100 ％测试。
7. t
HZCE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的如在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05025牧师**
第3 9
CY7C164
CY7C166
开关波形
读周期1号
[9, 10]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C164–7
读周期2号
[9, 11]
CE
t
ACE
OE
7C166
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
PD
ICC
50%
ISB
C164–8
t
RC
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
高
阻抗
数据输出
写周期号1 （我们控制）
[8, 12]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HZWE
数据I / O
数据中，未定义
C164–9
t
AW
t
PWE
t
HA
t
HD
t
LZWE
高阻抗
注意事项：
9.我们是高读周期。
10.设备不断选择， CE = V
IL
。 （ CY7C166 ： OE = V
IL
也可以） 。
11.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
12.只有CY7C166 ：数据I / O将高阻抗，如果OE = V
IH
.
文件编号： 38-05025牧师**
第4页第9
CY7C164
CY7C166
开关波形
（续）
写周期号2 （ CE控制）
[8, 12, 13]
t
WC
地址
t
SA
CE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HD
t
HA
t
SCE
数据I / O
高阻抗
C164–10
注意：
13.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-05025牧师**
第5 9
66
CY7C164
CY7C166
16K ×4静态RAM
特点
高速
- 15纳秒
输出使能（ OE ）功能（ CY7C166 ）
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
= 633毫瓦
低待机功耗
= 110毫瓦
TTL兼容的输入和输出
取消时自动断电
三态驱动器。该CY7C166有一个低电平有效输出
启用（ OE ）功能。这两款器件都具有自动加电
断特性，降低了功率消耗了65％时
取消选择。
写器件是造诣当芯片使能
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平（与
输出使能（ OE ）低的CY7C166 ） 。上的数据
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被写入到
在地址引脚指定的存储单元（A
0
通过
A
13
).
阅读该设备通过采取芯片使能实现
（ CE ）低（与OE低的CY7C166 ），而写使能
（ WE）仍然很高。在这些条件下的内容
上的地址引脚指定的存储位置将出现
在四个数据I / O引脚。
在I / O引脚保持在高阻抗状态时，芯片使能
（ CE ）为高电平（或输出使能（ OE ）为高电平为CY7C166 ） 。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C164和CY7C166是高性能CMOS
静态RAM， 4位组织为16,384 。容易记忆EX-
潘申由低电平有效的芯片提供使能（CE ）和
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
CE
GND
1
2
3
4
5
6 7C164
7
8
9
10
11
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
V
CC
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
C164–3
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
CE
NC
GND
SOJ
顶视图
1
2
3
4
5
6 7C164
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
C164–2
输入缓冲器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
检测放大器
256 x 64 x 4
ARRAY
DIP / SOJ
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
CE
OE
GND
1
24
2
23
3
22
4
21
5
20
6 7C166 19
7
18
17
8
9
16
10
15
11
14
12
13
V
CC
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
C166–1
COLUMN
解码器
A
0
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
动力
下
CE
WE
（ OE）的
（ 7C166 ONLY）
C164–4
]
选购指南
7C164-15
7C166-15
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
15
115
20
7C164-20
7C166-20
20
115
20
7C164-25
7C166-25
25
105
20
7C164-35
7C166-35
35
105
20
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05025牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C164
CY7C166
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
............................................ -0.5V至7.0 V
直流输入电压
[1]
........................................ -0.5V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C164-15
7C166-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高电压
输入低
电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[2]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
[3]
自动CE
掉电电流
[3]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH ，
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+5
+5
–350
115
40
20
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C164-20
7C166-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+5
+5
–350
115
40
20
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C164-25, 35
7C166-25, 35
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+5
+5
–350
105
20
20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.最小电压等于-3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。
2.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
3.上拉电阻到V
CC
在CE输入必须保持在V取消设备
CC
电，否则我
SB
将超过给定值。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05025牧师**
第2 9
CY7C164
CY7C166
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于：
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
C164–5
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
C164–6
＆ LT ; 5纳秒
戴维南等效
167
产量
1.73V
开关特性
在整个工作范围
[5]
7C164-15
7C166-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变更输出保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
[8]
7C164-20
7C166-20
分钟。
20
马克斯。
7C164-25
7C166-25
分钟。
25
马克斯。
7C164-35
7C166-35
分钟。
35
马克斯。
单位
ns
35
5
35
15
3
12
5
15
0
20
25
25
25
0
0
20
15
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
ns
描述
分钟。
15
马克斯。
15
3
15
7C166
7C166
7C166
3
8
0
15
15
12
12
0
0
12
10
0
5
7
20
15
15
0
0
15
10
0
5
0
3
8
5
10
3
5
20
5
20
10
3
8
5
8
0
20
20
20
20
0
0
15
10
0
5
7
25
25
12
10
10
20
写周期
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[6, 7]
7
注意事项：
5.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
对于任何给定的设备。这些参数由设计保证，而不是100 ％测试。
7. t
HZCE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的如在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05025牧师**
第3 9
CY7C164
CY7C166
开关波形
读周期1号
[9, 10]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C164–7
读周期2号
[9, 11]
CE
t
ACE
OE
7C166
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
PD
ICC
50%
ISB
C164–8
t
RC
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
高
阻抗
数据输出
写周期号1 （我们控制）
[8, 12]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HZWE
数据I / O
数据中，未定义
C164–9
t
AW
t
PWE
t
HA
t
HD
t
LZWE
高阻抗
注意事项：
9.我们是高读周期。
10.设备不断选择， CE = V
IL
。 （ CY7C166 ： OE = V
IL
也可以） 。
11.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
12.只有CY7C166 ：数据I / O将高阻抗，如果OE = V
IH
.
文件编号： 38-05025牧师**
第4页第9
CY7C164
CY7C166
开关波形
（续）
写周期号2 （ CE控制）
[8, 12, 13]
t
WC
地址
t
SA
CE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HD
t
HA
t
SCE
数据I / O
高阻抗
C164–10
注意：
13.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-05025牧师**
第5 9
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