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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第141页 > CY7C1518AV18-200BZXI
CY7C1516AV18 , CY7C1527AV18
CY7C1518AV18 , CY7C1520AV18
72兆位的DDR - II SRAM 2字
突发架构
特点
功能说明
该CY7C1516AV18 , CY7C1527AV18 , CY7C1518AV18和
CY7C1520AV18是1.8V同步SRAM流水线
配备了DDR- II架构。在DDR- II由一个
SRAM核心具有先进的同步外围电路和
1比特数据串计数器。读取和写入地址被锁存
在输入(K)时钟的备选上升沿。写入数据
登记在K和K。读的上升沿数据是
驱动上的C和C的上升沿如果提供,或在上升
不设置K和在K的C / C的边缘。每个地址位置
用两个8位字中CY7C1516AV18的情况相关联
和两个9位的CY7C1527AV18那爆的情况下的话
依次移入或移出器件。突发计数器始终
开始于一个“0”,在内部CY7C1516AV18的情况下和
CY7C1527AV18 。在CY7C1518AV18和CY7C1520AV18的
突发计数器需要在外部的至少显著位
应对突发和2个18位字的情况下,
CY7C1518AV18和的情况下,两个36位字
CY7C1520AV18依序进入或离开该装置的。
异步输入包括一个输出阻抗匹配
输入( ZQ ) 。同步数据输出(Q ,共享相同的
物理引脚作为输入的数据D)被紧密地匹配于两个
输出回波时钟CQ / CQ ,省去了单独
从每个单独的DDR SRAM的捕获系统中的数据
设计。数据输出时钟(C / C )使最大系统
时钟和数据同步的灵活性。
所有同步输入都会通过由控制输入寄存器
K或K输入时钟。所有数据输出通过输出
在C或C (或K或K在一个时钟控制寄存器
域)的输入时钟。写操作都带有片上进行
同步自定时写电路。
72兆位密度( 8M ×8 , 8M ×9 , 4M ×18 , 2M ×36 )
300 MHz时钟实现高带宽
2字突发降低地址总线频率
双倍数据速率( DDR )接口
(在600 MHz的数据传送) ,在300兆赫
两个输入时钟( K和K )用于精确DDR定时
SRAM仅使用上升沿
两个输入时钟的输出数据( C和C ) ,以减少时钟
偏差和飞行时间的不匹配
在高速路时钟( CQ和CQ )简化了数据采集
系统
同步内部自定时写入
DDR -II工作在1.5周期读延迟时延迟锁定
环(DLL )被使能
工作与DLL中的1个周期读延迟一个DDR -I设备
关模式
与HSTL输入和输出的1.8V内核电源
可变驱动HSTL输出缓冲器
扩展HSTL输出电压( 1.4V -V
DD
)
可在165球FBGA封装( 15× 17 ×1.4 MM)
提供两种无铅和无无铅封装
JTAG 1149.1兼容的测试访问端口
延迟锁定环(DLL ),用于精确的数据放置
CON连接gurations
CY7C1516AV18 - 8M ×8
CY7C1527AV18 - 8M ×9
CY7C1518AV18 - 4M ×18
CY7C1520AV18 - 2M ×36
选购指南
描述
最大工作频率
最大工作电流
x8
x9
x18
x36
300兆赫
300
900
900
940
1080
278兆赫
278
860
860
860
985
250兆赫
250
800
800
800
900
200兆赫
200
700
700
700
735
167兆赫
167
650
650
650
650
单位
兆赫
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-06982修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年9月27日
[+ ]反馈
CY7C1516AV18 , CY7C1527AV18
CY7C1518AV18 , CY7C1520AV18
逻辑框图( CY7C1516AV18 )
A
(21:0)
LD
K
K
DOFF
22
写添加。解码
阅读添加。解码
地址
注册
REG
4M ×8阵列
REG
8
4M ×8阵列
CLK
将军
产量
逻辑
控制
读/写
C
C
CQ
CQ
8
DQ
[7:0]
读取数据寄存器。
16
8
控制
逻辑
8
注册。
注册。
注册。 8
V
REF
读/写
NWS
[1:0]
8
逻辑框图( CY7C1527AV18 )
A
(21:0)
LD
K
K
DOFF
22
写添加。解码
阅读添加。解码
地址
注册
REG
4M ×9阵列
REG
9
4M ×9阵列
CLK
将军
产量
逻辑
控制
读/写
C
C
CQ
CQ
9
DQ
[8:0]
读取数据寄存器。
18
9
控制
逻辑
9
注册。
注册。
注册。 9
9
V
REF
读/写
BWS
[0]
文件编号: 001-06982修订版* C
分页: 30 2
[+ ]反馈
CY7C1516AV18 , CY7C1527AV18
CY7C1518AV18 , CY7C1520AV18
逻辑框图( CY7C1518AV18 )
A0
BURST
逻辑
A
(21:0)
22
LD
K
K
21
写添加。解码
阅读添加。解码
A
(21:1)
地址
注册
REG
2M ×18阵列
REG
18
2M ×18阵列
CLK
将军
产量
逻辑
控制
读/写
C
C
CQ
CQ
18
DQ
[17:0]
DOFF
读取数据寄存器。
36
18
控制
逻辑
18
注册。
注册。
注册。 18
18
V
REF
读/写
BWS
[1:0]
逻辑框图( CY7C1520AV18 )
A0
BURST
逻辑
A
(20:0)
21
LD
K
K
20
写添加。解码
阅读添加。解码
A
(20:1)
地址
注册
REG
1M ×36阵列
REG
36
1M ×36阵列
CLK
将军
产量
逻辑
控制
读/写
C
C
CQ
CQ
36
DQ
[35:0]
DOFF
读取数据寄存器。
72
36
控制
逻辑
36
注册。
注册。
注册。 36
36
V
REF
读/写
BWS
[3:0]
文件编号: 001-06982修订版* C
第30 3
[+ ]反馈
CY7C1516AV18 , CY7C1527AV18
CY7C1518AV18 , CY7C1520AV18
引脚配置
对于CY7C1516AV18的引脚配置, CY7C1527AV18 , CY7C1518AV18和CY7C1520AV18随之而来。
[1]
165球FBGA ( 15× 17 ×1.4 MM)引脚
CY7C1516AV18 ( 8M ×8 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
REF
NC
NC
DQ6
NC
NC
NC
TCK
3
A
NC
NC
NC
DQ4
NC
DQ5
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
DQ7
A
4
读/写
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
NWS
1
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC/144M
NWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ1
NC
NC
NC
NC
NC
TMS
11
CQ
DQ3
NC
NC
DQ2
NC
NC
ZQ
NC
NC
DQ0
NC
NC
NC
TDI
CY7C1527AV18 ( 8M ×9 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
REF
NC
NC
DQ6
NC
NC
NC
TCK
3
A
NC
NC
NC
DQ4
NC
DQ5
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
DQ7
A
4
读/写
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
NC
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC/144M
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ1
NC
NC
NC
NC
NC
TMS
11
CQ
DQ3
NC
NC
DQ2
NC
NC
ZQ
NC
NC
DQ0
NC
NC
DQ8
TDI
1. NC / 144M和NC / 288M未连接到所述管芯,并且可以连接到任何电压电平。
文件编号: 001-06982修订版* C
第30 4
[+ ]反馈
CY7C1516AV18 , CY7C1527AV18
CY7C1518AV18 , CY7C1520AV18
引脚配置
(续)
对于CY7C1516AV18的引脚配置, CY7C1527AV18 , CY7C1518AV18和CY7C1520AV18随之而来。
[1]
165球FBGA ( 15× 17 ×1.4 MM)引脚
CY7C1518AV18 ( 4M ×18 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
A
DQ9
NC
NC
NC
DQ12
NC
V
REF
NC
NC
DQ15
NC
NC
NC
TCK
3
A
NC
NC
DQ10
DQ11
NC
DQ13
V
DDQ
NC
DQ14
NC
NC
DQ16
DQ17
A
4
读/写
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
BWS
1
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A0
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC/144M
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
A
NC
DQ7
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ4
NC
NC
DQ1
NC
NC
TMS
11
CQ
DQ8
NC
NC
DQ6
DQ5
NC
ZQ
NC
DQ3
DQ2
NC
NC
DQ0
TDI
CY7C1520AV18 ( 2M ×36 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
NC/144M
DQ27
NC
DQ29
NC
DQ30
DQ31
V
REF
NC
NC
DQ33
NC
DQ35
NC
TCK
3
A
DQ18
DQ28
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
V
DDQ
DQ32
DQ23
DQ24
DQ34
DQ25
DQ26
A
4
读/写
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A0
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
A
NC
DQ17
NC
DQ15
NC
NC
V
REF
DQ13
DQ12
NC
DQ11
NC
DQ9
TMS
11
CQ
DQ8
DQ7
DQ16
DQ6
DQ5
DQ14
ZQ
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ10
DQ0
TDI
文件编号: 001-06982修订版* C
第30个5
[+ ]反馈
初步
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
72兆位的DDR - II SRAM的2字突发
架构
特点
72兆位密度( 8M ×8 , 8M ×9 , 4M ×18 , 2M ×36 )
300 MHz的时钟实现高带宽
2字突发降低地址总线频率
双倍数据速率( DDR )接口
(在600 MHz的数据传输) @ 300 MHz的
两个输入时钟(K和K )用于精确DDR定时
- SRAM仅使用上升沿
输出数据的两个输入时钟( C和C ) ,以尽量减少
时钟偏移和飞行时间的不匹配
回波时钟( CQ和CQ )简化了数据采集的
高速系统
同步内部自定时写入
DDR -II工作在1.5周期读延迟时DLL
已启用
可像1周期读延迟一个DDR I设备
在DLL中关闭模式
1.8V核心, HSTL输入和输出电源
可变驱动HSTL输出缓冲器
扩展HSTL输出电压( 1.4V -V
DD
)
提供165球FBGA封装( 15× 17 ×1.4 MM)
提供的两种无铅和无无铅封装
JTAG 1149.1兼容的测试访问端口
延迟锁定环( DLL ),用于精确的数据放置
功能说明
该CY7C1516AV18 , CY7C1527AV18 , CY7C1518AV18和
CY7C1520AV18是1.8V同步SRAM流水线
配备了DDR- II架构。在DDR- II由一个
SRAM核心具有先进的同步外围电路
和一个1比特数据串计数器。读取和写入的地址是
锁存输入的备选上升沿( K) clock.Write
数据被寄存在K和K。读的上升沿
数据驱动上的C和C的上升沿,如果提供,或上
不设置K和在K的C / C的上升沿。每
地址位置与在该情况下两个8位字相关联的
CY7C1516AV18和在的情况下, 2个9位字的
CY7C1527AV18其依次爆流入或流出的
装置。该数据串计数器总是从“0”的内部中
CY7C1516AV18和CY7C1527AV18的情况。上
CY7C1518AV18和CY7C1520AV18 ,突发柜台取
在外部地址和突发的至少显著位
在CY7C1518AV18的情况下, 2个18位字和两个36位
词语CY7C1520AV18顺序的情况下,进入或离开
该装置。
异步输入包括输出阻抗匹配
输入( ZQ ) 。同步数据输出(Q ,共享相同的
物理引脚作为数据输入D)紧密匹配的
两个输出回波时钟CQ / CQ ,省去了
分别从每个DDR SRAM数据采集
该系统的设计。数据输出时钟(C / C )使最大
系统时钟与数据同步的灵活性。
所有同步输入通过输入寄存器控制
由K或K输入时钟。所有数据输出通过输出
在C或C (或K或K在一个时钟控制寄存器
域)的输入时钟。写操作都带有片上进行
同步自定时写电路。
CON连接gurations
CY7C1516AV18 - 8M ×8
CY7C1527AV18 - 8M ×9
CY7C1518AV18 - 4M ×18
CY7C1520AV18 - 2M ×36
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-06982修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年9月20日
[+ ]反馈
初步
逻辑框图( CY7C1516AV18 )
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
A
(21: 0)
22
LD
写添加。解码
阅读添加。解码
地址
注册
REG
4M ×8阵列
REG
4M ×8阵列
8
产量
逻辑
控制
K
K
DOFF
CLK
将军
读/写
C
C
CQ
读取数据寄存器。
16
控制
逻辑
8
注册。
8
注册。
8
注册。
V
REF
读/写
NWS
[1 : 0]
8
CQ
DQ
[7:0]
逻辑框图( CY7C1527AV18 )
A
(21:0)
22
LD
写添加。解码
阅读添加。解码
地址
注册
REG
4M ×9阵列
REG
4M ×9阵列
9
产量
逻辑
控制
K
K
DOFF
CLK
将军
读/写
C
C
CQ
读取数据寄存器。
18
控制
逻辑
9
注册。
9
注册。
9
注册。
V
REF
读/写
BWS
[0]
9
CQ
DQ
[8: 0]
文件编号: 001-06982修订版* B
第28 2
[+ ]反馈
初步
逻辑框图( CY7C1518AV18 )
BURST
逻辑
21
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
A0
22
A
(21: 0)
LD
写添加。解码
阅读添加。解码
地址
A
(21:1)
注册
REG
REG
18
产量
逻辑
控制
4M ×18阵列
K
K
DOFF
CLK
将军
读/写
C
C
CQ
读取数据寄存器。
36
控制
逻辑
18
注册。
18
注册。
18
注册。
V
REF
读/写
BWS
[1: 0]
CQ
18
DQ
[17: 0]
逻辑框图( CY7C1520AV18 )
A0
21
A
(20:0)
LD
20
BURST
逻辑
写添加。解码
阅读添加。解码
地址
A
(20:1)
注册
REG
REG
36
2M ×36阵列
K
K
DOFF
CLK
将军
产量
逻辑
控制
读/写
C
C
CQ
36
读取数据寄存器。
72
控制
逻辑
36
注册。
36
注册。
36
注册。
V
REF
读/写
BWS
[3:0]
CQ
36
DQ
[35: 0]
选购指南
300兆赫
最大工作频率
最大工作电流
300
900
278兆赫
278
860
250兆赫
250
800
200兆赫
200
700
167兆赫
167
650
单位
兆赫
mA
文件编号: 001-06982修订版* B
第28 3
[+ ]反馈
初步
销刀豆网络gurations
[1]
165球FBGA ( 15× 17 ×1.4 MM)引脚
CY7C1516AV18 ( 8M ×8 )
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
REF
NC
NC
DQ6
NC
NC
NC
TCK
3
A
NC
NC
NC
DQ4
NC
DQ5
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
DQ7
A
4
读/写
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
NWS
1
NC
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC
NWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ1
NC
NC
NC
NC
NC
TMS
11
CQ
DQ3
NC
NC
DQ2
NC
NC
ZQ
NC
NC
DQ0
NC
NC
NC
TDI
CY7C1527AV18 ( 8M ×9 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
REF
NC
NC
DQ6
NC
NC
NC
TCK
3
A
NC
NC
NC
DQ4
NC
DQ5
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
DQ7
A
4
读/写
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
NC
NC
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ1
NC
NC
NC
NC
NC
TMS
11
CQ
DQ3
NC
NC
DQ2
NC
NC
ZQ
NC
NC
DQ0
NC
NC
DQ8
TDI
注意:
1. V
SS
/ 144M和V
SS
/ 288M未连接到所述管芯,并且可以连接到任何电压电平。
文件编号: 001-06982修订版* B
第28 4
[+ ]反馈
初步
销刀豆网络gurations
[1]
(续)
165球FBGA ( 15× 17 ×1.4 MM)引脚
CY7C1518AV18 ( 4M ×18 )
CY7C1516AV18
CY7C1527AV18
CY7C1518AV18
CY7C1520AV18
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
A
DQ9
NC
NC
NC
DQ12
NC
V
REF
NC
NC
DQ15
NC
NC
NC
TCK
3
A
NC
NC
DQ10
DQ11
NC
DQ13
V
DDQ
NC
DQ14
NC
NC
DQ16
DQ17
A
4
读/写
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
BWS
1
NC
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A0
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
NC
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
A
NC
DQ7
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ4
NC
NC
DQ1
NC
NC
TMS
11
CQ
DQ8
NC
NC
DQ6
DQ5
NC
ZQ
NC
DQ3
DQ2
NC
NC
DQ0
TDI
CY7C1520AV18 ( 2M ×36 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
V
SS
/144M
DQ27
NC
DQ29
NC
DQ30
DQ31
V
REF
NC
NC
DQ33
NC
DQ35
NC
TCK
3
A
DQ18
DQ28
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
V
DDQ
DQ32
DQ23
DQ24
DQ34
DQ25
DQ26
A
4
读/写
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
A0
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
C
C
7
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
A
NC
DQ17
NC
DQ15
NC
NC
V
REF
DQ13
DQ12
NC
DQ11
NC
DQ9
TMS
11
CQ
DQ8
DQ7
DQ16
DQ6
DQ5
DQ14
ZQ
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ10
DQ0
TDI
文件编号: 001-06982修订版* B
第28 5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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