1CY 7C15 12
初步
CY7C1512
64K x 8静态RAM
特点
高速
— t
AA
- 15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 770毫瓦
低待机功耗
= 28毫瓦
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
三态驱动器。该设备具有自动pow-
ER-下降功能，可降低功耗更
超过75％时，取消选择。
写设备通过采取芯片使能实现
一（ CE
1
）和写使能（WE ）输入低电平和芯片使能
2 （ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过
I / O
7
）将被写入的地址所指定的位置
销（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该CY7C1512是标准的TSOP I型提供
450密耳宽的塑料SOIC封装。
功能说明
该CY7C1512是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
8位ganized为65,536字。易内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
），活性
高芯片使能（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能（ OE ）
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOIC
顶视图
NC
NC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
NC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
I / O
1
I / O
2
64K ×8
ARRAY
1512-2
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
I / O
3
I / O
4
I / O
5
动力
下
CE
1
CE
2
WE
COLUMN
解码器
I / O
6
I / O
7
1512-1
TSOP I
顶视图
（不按比例）
OE
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作
广告
电流（mA ）
最大的CMOS
广告
待机电流（mA ）
7C1512-15
15
140
5
7C1512-20
20
130
5
7C1512-25
25
120
5
7C1512-35
35
110
5
7C1512-70
70
110
5
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1996年6月 - 修订1996年10月
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
..................................–0.5V
CY7C1512
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
到V
CC
+0.5V
7C1512-15
7C1512-20
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
140
40
2.2
–0.3
–1
–5
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
130
30
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C1512-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
120
30
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
电气特性
在整个工作范围
[3]
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
马克斯。
–1
–5
输出短路电流
[4]
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
操作
V
CC
=最大。
,
I
OUT
= 0 mA时，
电源电流
f = f
最大
= 1/t
RC
自动CE
掉电电流
- TTL输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH
or
CE
2
＆ LT ; V
IL
, V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或CE
2
< 0.3V ，V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大。
,
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.3V ，或CE
2
＆ LT ;
0.3V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
–1
–5
分钟。
2.4
I
SB2
5
5
5
mA
7C1512-35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低
电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路
短路电流
[4]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
- TTL输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
110
25
7C1512-70
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–5
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
110
25
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
5
5
mA
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
2
初步
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
9
CY7C1512
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于：
产量
R2
255
R1 480
R1 480
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
<3ns
3.0V
90%
10%
90%
10%
＆ LT ; 3纳秒
所有的输入脉冲
1512-3
1512-4
THVENIN等效
167
1.73V
开关特性
[3, 6]
在整个工作范围
7C1512-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
5.
6.
7.
8.
9.
7C1512-20
分钟。
20
马克斯。
7C1512-25
分钟。
25
马克斯。
单位
ns
25
5
25
10
0
10
5
10
0
25
25
20
20
0
0
20
15
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高
Z
[7, 8]
Z
[8]
Z
[7, 8]
CE
1
低到低Z ，CE
2
前高后低
分钟。
15
马克斯。
15
3
15
7
0
7
3
7
0
15
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
20
15
15
0
0
15
10
0
3
0
3
0
3
20
20
8
8
8
20
CE
1
高来高Z， CE
2
从低到高
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到掉电， CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[8]
WE低到高Z
[7, 8]
写周期
[9]
8
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
HIGH开始写，
和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
3
初步
开关波形
（续）
读周期2号（ OE控制）
[11, 12]
地址
t
RC
CE
1
CE
2
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
CY7C1512
高
阻抗
数据输出
ICC
50%
ISB
1512-6
写周期第1号（ CE
1
或CE
2
控制）
[13, 14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
t
SA
CE
2
t
SCE
t
AW
t
HA
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
1512-7
t
HD
注意事项：
12.地址有效之前或重合与CE
1
过渡LOW和CE
2
变为高电平。
13.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
14.如果CE
1
变为高电平或CE
2
变为低电平时同时WE变为高电平时，输出保持在高阻抗状态。
5
QQ：2880707522 复制
