50
CY7C150
1Kx4静态RAM
特点
内存复位功能
1024 ×4的静态RAM中高速比较控制存储
计算机
CMOS的最佳速度/功耗
高速
= 10纳秒（商业）
- 12纳秒（军事）
低功耗
- 495毫瓦（商业）
- 550毫瓦（军事）
单独的输入和输出
5伏电源
±10%
宽容商用
军事
能够承受大于2001V静态显示的
收费
TTL兼容的输入和输出
单独的I / O路径，无需复用数据中
和数据输出，提供了更简单的电路板布局和更快的系
性能表现。写在输出三态，复位，
取消选择，或当输出使能（ OE ）保持高电平，允许
为便于内存扩展。
复位是通过选择装置（ CS =低）和着以发起
荷兰国际集团的复位（ RS ）输入低电平。在两个存储周期的所有
位内部清零。由于片选必须是
低该设备被复位，全局复位信号可以是
就业，只有选定的设备正在清理，在任何giv-
连接时间。
写入设备来完成，当芯片选择
（CS）和写使能（WE ）输入端都是低电平。上的数据
四个数据输入（D
0
D
3
）被写入到存储器位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
9
).
读出装置通过取芯片选择完成（CS）的
和输出使能（ OE ）低，而写使能（WE ）保持
HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
上的地址引脚指定的位置上会出现的四个
输出引脚（O
0
到O
3
).
输出引脚在芯片时，高阻抗状态
使能（CE ）或输出使能（OE ）为高，或写启动
（WE）或复位（RS）是低电压。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C150是一个高性能的CMOS静态RAM DE-
签订了在高速缓冲存储器，高速图形的使用，以及
数据采集应用。该CY7C150具有记忆重新
集功能，可以让整个内存在两个复位
存储周期。
逻辑框图
D
0
D
1
D
2
D
3
DataInput中
控制
行解码器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
检测放大器
RS
CS
OE
WE
引脚配置
DIP / SOIC
顶视图
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
D0
D1
O0
O1
GND
1
2
3
4
5
24
23
22
21
20
6 7C150 19
18
7
8
17
9
16
10
15
14
11
13
12
VCC
A2
A1
A0
RS
CS
WE
OE
D3
D2
O3
O2
C150-2
O
0
O
1
O
2
O
3
64 x 64
ARRA
Y
COLUMN
COLUMN
解码器
解码器
C150–1
A
6
A
7
A
8
A
9
选购指南
7C15010
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
广告
军事
广告
军事
90
10
7C15012
12
12
90
100
7C15015
15
15
90
100
7C15025
25
25
90
100
35
90
100
7C15035
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05024修订版**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2003年1月18日
CY7C150
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
......................................65°C
to+150°C
环境温度与
电源应用................................................ ...
55°C
to+125°C
电源电压对地电位
（引脚24至引脚12） ........................................... .......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
......................................................0.5V
to+7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
军事
[1]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
注意：
1. T
A
是外壳温度的「即时」 。
电气特性
在整个工作范围
[2]
7C150
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电流
输入高电平
输入低电平
输入负载电流
输出电流（高阻）
输出短路电流
[3]
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
OL
＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
OH
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
广告
军事
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
0.4毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 12毫安
2.0
3.0
10
50
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+50
300
90
100
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
注意事项：
2.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
3.不超过1输出应该一次短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
R1329
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
202
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1329
所有的输入脉冲
R2
202
3.0V
10%
GND
＆ LT ; 3纳秒
(b)
C150–3
90%
90%
10%
＆ LT ; 3纳秒
C150–4
(a)
相当于：
戴维南等效
产量
125
1.9V
文件编号： 38-05024修订版**
第11 2
CY7C150
开关特性
在整个工作范围
[2,5]
7C15010
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
LZCS
t
HZCS
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
SCS
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
RRC
t
特区
t
SWER
t
SCSR
t
PRS
t
HCSR
t
HWER
t
HAR
t
LZRS
t
HZRS
读周期时间
地址到数据有效
从地址输出保持
变化
CS低到数据有效
CS低到低Z
[6]
CS高到高阻
[6,7]
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
7C15012
分钟。
12
马克斯。
7C15015
分钟。
15
马克斯。
7C15025
分钟。
25
马克斯。
7C15035
分钟。
35
马克斯。
单位
ns
35
2
ns
ns
20
0
25
20
0
25
35
20
30
5
5
20
20
5
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
70
0
0
0
30
0
40
40
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
ns
描述
分钟。
10
马克斯。
10
2
8
0
6
6
0
6
10
6
8
2
2
6
6
2
0
6
20
0
0
0
10
0
8
10
0
6
24
0
0
0
12
0
12
12
0
12
8
10
2
2
8
8
2
0
0
0
2
12
2
10
0
8
8
0
8
15
11
13
2
2
11
11
2
0
8
30
0
0
0
15
0
15
15
0
8
15
2
12
0
11
10
0
9
25
15
20
5
5
15
15
5
0
12
50
0
0
0
20
0
30
30
0
12
25
15
20
15
20
OE高到高Z
[6,7]
写周期时间
CS为低电平写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[6,7]
重置周期时间
地址有效到开头
RESET
写使能高到开始
复位
芯片选择低到开头
RESET
复位脉冲宽度
芯片选择保持结束后，
RESET
写使能保持结束后，
RESET
地址保持复位结束后，
复位高到输出中低Z
[6]
复位低到产出
高Z
[6,7]
写周期
[8]
20
复位周期
20
注意事项：
5.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZ
小于吨
LZ
对于任何给定的设备。
7. t
HZCS
, t
HZOE
, t
HZR
和叔
HZWE
用C进行测试
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.存储器的内部写入时间由CS低和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应该是参照该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05024修订版**
第11 3
CY7C150
开关波形
（续）
写周期号（ CS控制）
2
地址
t
SA
CE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HZWE
数据I / O
高阻抗
数据中，未定义
C150-8
[8,12]
t
WC
t
SCS
t
HA
t
HD
复位周期
[13]
t
RRC
地址
t
特区
WE
t
SWER
t
HAR
t
HWER
CS
t
SCSR
t
PRS
t
HCSR
RESET
t
HZRS
数据I / O
高
阻抗
t
LZRS
输出有效ZERO
C150-9
注意事项：
12.如果CS变为高电平与WE高电平时，输出保持在高阻抗状态。
13.复位周期是由RS和CS的最小复位脉冲宽度重叠定义。
文件编号： 38-05024修订版**
第11个5
50
CY7C150
1Kx4静态RAM
特点
内存复位功能
1024 ×4的静态RAM中高速比较控制存储
计算机
CMOS的最佳速度/功耗
高速
= 10纳秒（商业）
- 12纳秒（军事）
低功耗
- 495毫瓦（商业）
- 550毫瓦（军事）
单独的输入和输出
5伏电源
±10%
宽容商用
军事
能够承受大于2001V静态显示的
收费
TTL兼容的输入和输出
单独的I / O路径，无需复用数据中
和数据输出，提供了更简单的电路板布局和更快的系
性能表现。写在输出三态，复位，
取消选择，或当输出使能（ OE ）保持高电平，允许
为便于内存扩展。
复位是通过选择装置（ CS =低）和着以发起
荷兰国际集团的复位（ RS ）输入低电平。在两个存储周期的所有
位内部清零。由于片选必须是
低该设备被复位，全局复位信号可以是
就业，只有选定的设备正在清理，在任何giv-
连接时间。
写入设备来完成，当芯片选择
（CS）和写使能（WE ）输入端都是低电平。上的数据
四个数据输入（D
0
D
3
）被写入到存储器位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
9
).
读出装置通过取芯片选择完成（CS）的
和输出使能（ OE ）低，而写使能（WE ）保持
HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
上的地址引脚指定的位置上会出现的四个
输出引脚（O
0
到O
3
).
输出引脚在芯片时，高阻抗状态
使能（CE ）或输出使能（OE ）为高，或写启动
（WE）或复位（RS）是低电压。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C150是一个高性能的CMOS静态RAM DE-
签订了在高速缓冲存储器，高速图形的使用，以及
数据采集应用。该CY7C150具有记忆重新
集功能，可以让整个内存在两个复位
存储周期。
逻辑框图
D
0
D
1
D
2
D
3
DataInput中
控制
行解码器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
检测放大器
RS
CS
OE
WE
引脚配置
DIP / SOIC
顶视图
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
D0
D1
O0
O1
GND
1
2
3
4
5
24
23
22
21
20
6 7C150 19
18
7
8
17
9
16
10
15
14
11
13
12
VCC
A2
A1
A0
RS
CS
WE
OE
D3
D2
O3
O2
C150-2
O
0
O
1
O
2
O
3
64 x 64
ARRA
Y
COLUMN
COLUMN
解码器
解码器
C150–1
A
6
A
7
A
8
A
9
选购指南
7C15010
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
广告
军事
广告
军事
90
10
7C15012
12
12
90
100
7C15015
15
15
90
100
7C15025
25
25
90
100
35
90
100
7C15035
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05024牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C150
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
......................................65°C
to+150°C
环境温度与
电源应用................................................ ...
55°C
to+125°C
电源电压对地电位
（引脚24至引脚12） ........................................... .......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
......................................................0.5V
to+7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
军事
[1]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
注意：
1. T
A
是外壳温度的「即时」 。
电气特性
在整个工作范围
[2]
7C150
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电流
输入高电平
输入低电平
输入负载电流
输出电流（高阻）
输出短路电流
[3]
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
OL
＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
OH
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
广告
军事
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
0.4毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 12毫安
2.0
3.0
10
50
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+50
300
90
100
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
注意事项：
2.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
3.不超过1输出应该一次短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
R1329
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
202
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1329
所有的输入脉冲
R2
202
3.0V
10%
GND
＆ LT ; 3纳秒
(b)
C150–3
90%
90%
10%
＆ LT ; 3纳秒
C150–4
(a)
相当于：
戴维南等效
产量
125
1.9V
文件编号： 38-05024牧师**
第11 2
CY7C150
开关特性
在整个工作范围
[2,5]
7C15010
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
LZCS
t
HZCS
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
SCS
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
RRC
t
特区
t
SWER
t
SCSR
t
PRS
t
HCSR
t
HWER
t
HAR
t
LZRS
t
HZRS
读周期时间
地址到数据有效
从地址输出保持
变化
CS低到数据有效
CS低到低Z
[6]
CS高到高阻
[6,7]
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
7C15012
分钟。
12
马克斯。
7C15015
分钟。
15
马克斯。
7C15025
分钟。
25
马克斯。
7C15035
分钟。
35
马克斯。
单位
ns
35
2
ns
ns
20
0
25
20
0
25
35
20
30
5
5
20
20
5
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
70
0
0
0
30
0
40
40
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
ns
描述
分钟。
10
马克斯。
10
2
8
0
6
6
0
6
10
6
8
2
2
6
6
2
0
6
20
0
0
0
10
0
8
10
0
6
24
0
0
0
12
0
12
12
0
12
8
10
2
2
8
8
2
0
0
0
2
12
2
10
0
8
8
0
8
15
11
13
2
2
11
11
2
0
8
30
0
0
0
15
0
15
15
0
8
15
2
12
0
11
10
0
9
25
15
20
5
5
15
15
5
0
12
50
0
0
0
20
0
30
30
0
12
25
15
20
15
20
OE高到高Z
[6,7]
写周期时间
CS为低电平写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[6,7]
重置周期时间
地址有效到开头
RESET
写使能高到开始
复位
芯片选择低到开头
RESET
复位脉冲宽度
芯片选择保持结束后，
RESET
写使能保持结束后，
RESET
地址保持复位结束后，
复位高到输出中低Z
[6]
复位低到产出
高Z
[6,7]
写周期
[8]
20
复位周期
20
注意事项：
5.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZ
小于吨
LZ
对于任何给定的设备。
7. t
HZCS
, t
HZOE
, t
HZR
和叔
HZWE
用C进行测试
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.存储器的内部写入时间由CS低和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应该是参照该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05024牧师**
第11 3
CY7C150
开关波形
（续）
写周期号（ CS控制）
2
地址
t
SA
CE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HZWE
数据I / O
高阻抗
数据中，未定义
C150-8
[8,12]
t
WC
t
SCS
t
HA
t
HD
复位周期
[13]
t
RRC
地址
t
特区
WE
t
SWER
t
HAR
t
HWER
CS
t
SCSR
t
PRS
t
HCSR
RESET
t
HZRS
数据I / O
高
阻抗
t
LZRS
输出有效ZERO
C150-9
注意事项：
12.如果CS变为高电平与WE高电平时，输出保持在高阻抗状态。
13.复位周期是由RS和CS的最小复位脉冲宽度重叠定义。
文件编号： 38-05024牧师**
第11个5
50
CY7C150
1Kx4静态RAM
特点
内存复位功能
1024 ×4的静态RAM中高速比较控制存储
计算机
CMOS的最佳速度/功耗
高速
= 10纳秒（商业）
- 12纳秒（军事）
低功耗
- 495毫瓦（商业）
- 550毫瓦（军事）
单独的输入和输出
5伏电源
±10%
宽容商用
军事
能够承受大于2001V静态显示的
收费
TTL兼容的输入和输出
单独的I / O路径，无需复用数据中
和数据输出，提供了更简单的电路板布局和更快的系
性能表现。写在输出三态，复位，
取消选择，或当输出使能（ OE ）保持高电平，允许
为便于内存扩展。
复位是通过选择装置（ CS =低）和着以发起
荷兰国际集团的复位（ RS ）输入低电平。在两个存储周期的所有
位内部清零。由于片选必须是
低该设备被复位，全局复位信号可以是
就业，只有选定的设备正在清理，在任何giv-
连接时间。
写入设备来完成，当芯片选择
（CS）和写使能（WE ）输入端都是低电平。上的数据
四个数据输入（D
0
D
3
）被写入到存储器位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
9
).
读出装置通过取芯片选择完成（CS）的
和输出使能（ OE ）低，而写使能（WE ）保持
HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
上的地址引脚指定的位置上会出现的四个
输出引脚（O
0
到O
3
).
输出引脚在芯片时，高阻抗状态
使能（CE ）或输出使能（OE ）为高，或写启动
（WE）或复位（RS）是低电压。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C150是一个高性能的CMOS静态RAM DE-
签订了在高速缓冲存储器，高速图形的使用，以及
数据采集应用。该CY7C150具有记忆重新
集功能，可以让整个内存在两个复位
存储周期。
逻辑框图
D
0
D
1
D
2
D
3
DataInput中
控制
行解码器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
检测放大器
RS
CS
OE
WE
引脚配置
DIP / SOIC
顶视图
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
D0
D1
O0
O1
GND
1
2
3
4
5
24
23
22
21
20
6 7C150 19
18
7
8
17
9
16
10
15
14
11
13
12
VCC
A2
A1
A0
RS
CS
WE
OE
D3
D2
O3
O2
C150-2
O
0
O
1
O
2
O
3
64 x 64
ARRA
Y
COLUMN
COLUMN
解码器
解码器
C150–1
A
6
A
7
A
8
A
9
选购指南
7C15010
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
广告
军事
广告
军事
90
10
7C15012
12
12
90
100
7C15015
15
15
90
100
7C15025
25
25
90
100
35
90
100
7C15035
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05024牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C150
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
......................................65°C
to+150°C
环境温度与
电源应用................................................ ...
55°C
to+125°C
电源电压对地电位
（引脚24至引脚12） ........................................... .......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
......................................................0.5V
to+7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
军事
[1]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
注意：
1. T
A
是外壳温度的「即时」 。
电气特性
在整个工作范围
[2]
7C150
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电流
输入高电平
输入低电平
输入负载电流
输出电流（高阻）
输出短路电流
[3]
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
OL
＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
OH
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
广告
军事
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
0.4毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 12毫安
2.0
3.0
10
50
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+50
300
90
100
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
注意事项：
2.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
3.不超过1输出应该一次短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
R1329
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
202
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1329
所有的输入脉冲
R2
202
3.0V
10%
GND
＆ LT ; 3纳秒
(b)
C150–3
90%
90%
10%
＆ LT ; 3纳秒
C150–4
(a)
相当于：
戴维南等效
产量
125
1.9V
文件编号： 38-05024牧师**
第11 2
CY7C150
开关特性
在整个工作范围
[2,5]
7C15010
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
LZCS
t
HZCS
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
SCS
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
RRC
t
特区
t
SWER
t
SCSR
t
PRS
t
HCSR
t
HWER
t
HAR
t
LZRS
t
HZRS
读周期时间
地址到数据有效
从地址输出保持
变化
CS低到数据有效
CS低到低Z
[6]
CS高到高阻
[6,7]
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
7C15012
分钟。
12
马克斯。
7C15015
分钟。
15
马克斯。
7C15025
分钟。
25
马克斯。
7C15035
分钟。
35
马克斯。
单位
ns
35
2
ns
ns
20
0
25
20
0
25
35
20
30
5
5
20
20
5
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
70
0
0
0
30
0
40
40
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
ns
描述
分钟。
10
马克斯。
10
2
8
0
6
6
0
6
10
6
8
2
2
6
6
2
0
6
20
0
0
0
10
0
8
10
0
6
24
0
0
0
12
0
12
12
0
12
8
10
2
2
8
8
2
0
0
0
2
12
2
10
0
8
8
0
8
15
11
13
2
2
11
11
2
0
8
30
0
0
0
15
0
15
15
0
8
15
2
12
0
11
10
0
9
25
15
20
5
5
15
15
5
0
12
50
0
0
0
20
0
30
30
0
12
25
15
20
15
20
OE高到高Z
[6,7]
写周期时间
CS为低电平写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[6,7]
重置周期时间
地址有效到开头
RESET
写使能高到开始
复位
芯片选择低到开头
RESET
复位脉冲宽度
芯片选择保持结束后，
RESET
写使能保持结束后，
RESET
地址保持复位结束后，
复位高到输出中低Z
[6]
复位低到产出
高Z
[6,7]
写周期
[8]
20
复位周期
20
注意事项：
5.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZ
小于吨
LZ
对于任何给定的设备。
7. t
HZCS
, t
HZOE
, t
HZR
和叔
HZWE
用C进行测试
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.存储器的内部写入时间由CS低和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应该是参照该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05024牧师**
第11 3
CY7C150
开关波形
（续）
写周期号（ CS控制）
2
地址
t
SA
CE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HZWE
数据I / O
高阻抗
数据中，未定义
C150-8
[8,12]
t
WC
t
SCS
t
HA
t
HD
复位周期
[13]
t
RRC
地址
t
特区
WE
t
SWER
t
HAR
t
HWER
CS
t
SCSR
t
PRS
t
HCSR
RESET
t
HZRS
数据I / O
高
阻抗
t
LZRS
输出有效ZERO
C150-9
注意事项：
12.如果CS变为高电平与WE高电平时，输出保持在高阻抗状态。
13.复位周期是由RS和CS的最小复位脉冲宽度重叠定义。
文件编号： 38-05024牧师**
第11个5
QQ：2881677436 复制
