49
CY7C148
CY7C149
1Kx4静态RAM
特点
取消时自动断电（ 7C148 ）
CMOS的最佳速度/功耗
25 - ns访问时间
低有功功率
- 440毫瓦（商业）
锡安是由一个低电平有效的片选（ CS）输入提供，
三态输出。该CY7C148保持在低功率
模式，只要设备保持未选中的;即， （CS）是
高，从而降低的平均功耗的要求
装置。该CY7C149芯片选择（ CS ）不影响
该装置的功率耗散。
写入设备来完成，当芯片选择
（CS）和写使能（WE ）输入端都是低电平。上的数据
I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
3
）被写入到存储单元中
系统蒸发散的地址引脚指定的（A
0
至A
9
).
读出装置通过取芯片选择完成（CS）的
低而写使能（ WE）仍然很高。在这些
的条件下，该位置上的指定的内容
地址引脚上会出现4的数据I / O引脚。
在I / O引脚保持在高阻抗状态时，芯片SE-
择（CS ）为高电平或写使能（WE ）是低电压。
- 605毫瓦（军事）
低待机功耗（ 7C148 ）
- 82.5毫瓦（ 25 -NS版）
- 55毫瓦（其他所有）
5伏电源
±
10 ％的容差，包括商业
军事
TTL兼容的输入和输出
功能说明
该CY7C148和CY7C149是高性能CMOS
静态RAM， 4位组织为1024 。容易记忆expan-
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
A6
A5
A4
A3
A0
A1
A2
SENSE AMP
INPUTBUFFER
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
CS
COLUMN
解码器
动力
下
(7C148)
WE
C148–1
A
3
A
2
A
1
A
0
A4
A13
A10
A11
A12
2 1 1817
3
16
4
15
5
14
6
13
7
12
8 9 1011
CS
GND
WE
I/0
3
A5
A6
V
CC
A7
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
行解码器
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
A7
A8
A9
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
WE
C148–2
CS
GND
64 x 64
ARRAY
LCC
顶视图
A8
A9
I / O 0
I / O 1
I/O2
C148–3
选购指南
7C14825
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
最长待机
电流（mA ）
广告
军事
广告
军事
15
25
90
7C14835
35
80
110
10
10
7C14845
45
80
110
10
10
7C14925
25
90
7C14935
35
80
110
7C14945
45
80
110
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05059牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年9月18日
[+ ]反馈
CY7C148
CY7C149
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
......................................65°C
to+150°C
环境温度与
电源应用................................................ ...
55°C
to+125°C
电源电压对地电位
（引脚18至引脚9） ........................................... .........- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
......................................................0.5V
to+7.0V
直流输入电压
.................................................3.0V
至+ 7.0V
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
军事
[1]
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
55
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
注意：
1. T
A
是外壳温度的「即时」 。
电气特性
在整个工作范围
[2]
7C14825
7C14925
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB
I
PO
I
OS
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
自动CS
掉电电流
山顶上电
当前
[3]
输出短路
短路电流
[4]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
输出禁用
最大。 V
CC
， CS < V
IL
,
输出开路
最大。 V
CC
， CS > V
IH
最大。 V
CC
， CS > V
IH
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
7C148
只
7C148
只
Com'l
米尔
Com'l
米尔
Com'l
米尔
Com'l
米尔
±275
15
15
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
3.0
10
50
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
10
50
90
2.0
3.0
10
50
马克斯。
7C14835, 45
7C14935, 45
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
10
50
80
110
10
10
10
10
±275
±350
mA
mA
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
2.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
3.上拉电阻到V
CC
在CS输入必须保持在V取消设备
CC
电。否则电流会超过给定值（ CY7C148
只） 。
4.出于测试目的，不超过1输出应该在同一时间短。短路的持续时间不得超过30秒钟。
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05059牧师**
第2 9
[+ ]反馈
CY7C148
CY7C149
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R2
255
R1481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
C148–4
R1481
所有的输入脉冲
3.0V
GND
＆ LT ; 10纳秒
90%
10%
90%
10%
＆ LT ; 10纳秒
C148–5
(a)
(b)
戴维南等效
产量
167
1.73V
开关特性
在整个工作范围
[2]
7C14825
7C14925
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
ACS
t
LZ
[8]
7C14835
7C14935
分钟。
35
马克斯。
7C14845
7C14945
分钟。
45
马克斯。
单位
ns
45
45
45
20
10
5
ns
ns
ns
ns
ns
20
30
0
45
35
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
地址有效到地址不在乎时间
（读周期时间）
地址有效到数据输出有效延迟
（地址访问时间）
芯片选择低到数据输出有效（ 7C148只）
芯片选择低到数据输出有效（ 7C149只）
芯片选择低到数据上
芯片选择高到数据输出关闭
地址未知的数据输出时间未知
芯片选择高到掉电延时
芯片选择低到电延时
地址有效到地址不在乎
（写周期时间）
写使能低到写使能高
从写端地址保持
写使能到输出中高Z
在有效数据写使能高
数据保持时间
地址有效到写使能低
片选低到写使能高
写使能高到输出中低Z
地址有效到写结束
7C148
7C148
7C148
7C149
分钟。
25
马克斯。
25
25
[6]
30
[7]
15
8
5
0
0
20
0
25
20
5
0
12
0
0
20
0
20
8
0
35
30
5
0
20
0
0
30
0
30
15
10
5
0
0
35
35
35
15
t
HZ
[8]
20
30
0
5
t
OH
t
PD
t
PU
t
WC
t
WP[9]
t
WR
t
WZ[8]
t
DW
t
DH
t
AS
t
CW[9]
t
OW[8]
t
AW
写周期
8
0
20
0
0
40
0
35
注意事项：
6.芯片之前选择取消超过25纳秒。
7.芯片之前选择取消小于25纳秒。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZ
小于吨
LZ
为所有设备。过渡测
±
500毫伏的稳态电压与规定
装载交流测试负载的（b）部分。
9.存储器的内部写入时间由CS低和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05059牧师**
第3 9
[+ ]反馈
CY7C148
CY7C149
开关波形
（续）
写周期2号（ CSControlled ）
[13]
t
WC
地址
t
CW
CS
t
AW
t
WP
WE
t
DW
DATA IN
t
WZ
数据输出
数据中，未定义
高阻抗
C148–9
t
WR
t
DH
数据
IN
有效
注意事项：
13.如果CS变为同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
典型的DC和AC特性
输出源电流（mA）
归一化电源电流
vs.Supply电压
1.4
SB
归一化电源电流
vs.Ambient温度
1.2
I
CC
输出源电流
vs.OUTPUT电压
120
100
80
60
40
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
CC
=5.0V
T
A
=25°C
归
CC
I
I,
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
4.0
4.5
I
CC
V
IN
=5.0V
T
A
=25°C
归
CC SB
I, I
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
SB
V
CC
=5.0V
V
IN
=5.0V
I
SB
5.0
5.5
6.0
0.0
55
25
125
电源电压（ V）
环境温度（ ° C）
输出电压（V）的
输出灌电流（mA）
归一化存取时间
vs.Supply电压
1.4
归一吨
AA
归一吨
AA
1.3
1.2
1.1
T
A
=25°C
1.0
0.9
0.8
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
1.6
1.4
1.2
1.0
归一化存取时间
vs.Ambient温度
输出灌电流
vs.OUTPUT电压
140
120
100
80
60
40
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
CC
=5.0V
T
A
=25°C
V
CC
=5.0V
0.8
0.6
55
25
125
电源电压（ V）
环境温度（ ° C）
输出电压（V）的
文件编号： 38-05059牧师**
第5 9
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
