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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1358页 > CY7C1485V33-167BGC
初步
CY7C1484V33
CY7C1485V33
2M ×36 / 4M x 18位流水线DCD SRAM
特点
快时钟速度： 250 ，200，和167兆赫
提供高性能3-1-1-1接入速率
快速访问时间： 2.6 ， 3.0 ，和3.4纳秒
最适合深度拓展
单3.3V -5 ％至+ 5 ％电源V
DD
单独的V
DDQ
为3.3V或2.5V
常见的数据输入和数据输出
字节写使能和全局写控制
芯片启用地址管道
地址，数据和控制寄存器
内部自定时写周期
突发控制引脚（交错或线性爆裂
序）
针对便携式应用自动断电
高密度，高速包
针对BGA封装的版本JTAG边界扫描
可在119球BGA凸点和100引脚TQFP
包（ CY7C1484V33和CY7C1485V33 ） 。
165球FBGA将在有机会的基础课程。
（请联系赛普拉斯销售或营销）
内部突发操作。所有的同步输入端通过门控
由一个正沿触发时钟输入控制寄存器
（CLK） 。同步输入包括所有地址，所有的数据
输入地址流水线芯片使能（ CE ） ，突发控制
输入（ ADSC ， ADSP和ADV ） ，写入启用（ BW
a
， BW
b
,
BW
c
， BW
d
和BWE ）和全局写（ GW ） 。
异步输入包括输出使能（ OE ）和
突发模式控制（ MODE ） 。的数据（ DQX ）和数据
奇偶校验（ DPX ）输出，通过OE启用，也是异步的。
DQA ， B，C ， D和DPA ， B， C，D适用于CY7C1484V33和DQA ，B
和DPA ，B适用于CY7C1485V33 。的a，b ，c和d每一个都是
8位宽中的DQ的情况下与宽的情况下，一个比特
的DP 。
地址和芯片使注册的任
地址状态处理器（ ADSP ）或地址状态
控制器（ ADSC ）输入引脚。随后一阵地址
可以在内部产生的突发超前作为控制
销（ ADV ） 。
地址，数据输入，并写入控制记录片
启动自定时写周期。写周期可以是一个
4个字节宽的写控制输入作为控制。
单个字节写入允许写入单个字节。 BW
a
控制DQA和DPA 。 BW
b
控制DQB和DPB 。 BW
c
控制DQC和DPD 。 BW
d
控制DQ和DPD 。 BW
a
， BW
b
,
BW
c
， BW
d
可以活动只有BWE为低。 GW是
低导致要写入的所有字节。写直通
功能允许在该输出写入可用数据
立即一个读周期。该器件还集成了
流水线使能电路，易于扩展的深度不
惩罚系统性能。
该CY7C1484V33 / CY7C1485V33都是双循环
取消CY7C1484V33的parts.All输入和输出，
CY7C1485V33是JEDEC标准JESD8-5兼容。
功能说明
赛普拉斯同步突发SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计采用了先进的
单层多晶硅三层金属工艺。每
存储单元由六个晶体管。
该CY7C1484V33和CY7C1485V33集成的SRAM
2097152 × 36 / 4194304 × 18的SRAM单元具有先进
同步外围电路和一个2位计数器，用于
选购指南
CY7C1484V33-
250
CY7C1485V33-
250
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
阴影区域包含预览。
CY7C1484V33-
200
CY7C1485V33-
200
3.0
待定
待定
CY7C1484V33-
167
CY7C1485V33-
167
3.4
待定
待定
单位
ns
mA
mA
2.6
待定
待定
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05285修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年1月18日
初步
逻辑框图
CY7C1484V33-2M × 36
模式
(A
[1;0]
) 2
CLK
ADV
ADSC
ADSP
A
[20:0]
GW
BWE
BW
d
BW
c
D
BW
b
D
BW
a
CE
1
CE
2
CE
3
D
BURST Q
0
CE计数器
Q
1
CLR
Q
21
19
D
地址
CE注册
D
DQ
d
， DP
d
BYTEWRITE
注册
DQ
c
， DP
c
BYTEWRITE
注册
DQ
b
， DP
b
BYTEWRITE
注册
DQ
a
， DP
a
BYTEWRITE
注册
ENABLE CE
注册
Q
19
21
CY7C1484V33
CY7C1485V33
2M × 36
内存
ARRAY
D
Q
Q
Q
36
Q
36
D使能延时Q
注册
OE
ZZ
睡觉
控制
产量
注册
CLK
输入
注册
CLK
DQ
A，B ， C，D
DP
A，B ， C，D
CY7C1485V33-4M × 18
模式
(A
[1;0]
) 2
CLK
ADV
ADSC
ADSP
A
[21:0]
GW
BWE
BW
b
BW
a
BURST Q
0
CE计数器
Q
1
CLR
Q
22
20
D
地址
CE注册
D
DQ
b
， DP
b
BYTEWRITE
注册
DQ
a
， DP
a
BYTEWRITE
注册
Q
20
22
4M × 18
内存
ARRAY
D
Q
CE
1
CE
2
CE
3
18
D
ENABLE CE
CE注册
Q
18
D使能延时Q
注册
OE
ZZ
睡觉
控制
产量
注册
CLK
输入
注册
CLK
DQ
A，B
DP
A，B
文件编号： 38-05285修订版**
第29页2
初步
销刀豆网络gurations
100引脚TQFP
（ TOP VIEW ）
CY7C1484V33
CY7C1485V33
A
A
CE
1
CE
2
BW
d
BW
c
BW
b
BW
a
CE
3
V
DD
V
SS
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
A
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
DQPc
DQC
DQC
V
DDQ
V
SSQ
DQC
DQC
DQC
DQC
V
SSQ
V
DDQ
DQC
DQC
NC
V
DD
NC
V
SS
DQD
DQD
V
DDQ
V
SSQ
DQD
DQD
DQD
DQD
V
SSQ
V
DDQ
DQD
DQD
DQPd
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
CY7C1484V33
(2M × 36)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb NC
NC
DQB
NC
DQB
V
DDQ
V
DDQ
V
SSQ
V
SSQ
NC
DQB
NC
DQB
DQB DQB
DQB DQB
V
SSQ
V
SSQ
V
DDQ
V
DDQ
DQB DQB
DQB DQB
NC
V
SS
V
DD
NC
NC
V
DD
V
SS
ZZ
DQA DQB
DQA DQB
V
DDQ
V
DDQ
V
SSQ
V
SSQ
DQA DQB
DQA DQB
DQA DPB
NC
DQA
V
SSQ
V
SSQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
DQA
NC
DQA
DQPa NC
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
A
A
CE
1
CE
2
NC
NC
BW
b
BW
a
CE
3
V
DD
V
SS
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
CY7C1485V33
(4M × 18)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
A
NC
NC
V
DDQ
V
SSQ
NC
DPA
DQA
DQA
V
SSQ
V
DDQ
DQA
DQA
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQA
DQA
V
DDQ
V
SSQ
DQA
DQA
NC
NC
V
SSQ
V
DDQ
NC
NC
NC
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
模式
A
A
A
A
A
1
A
0
A
A
V
SS
V
DD
A
A
A
A
A
A
A
A
A
模式
A
A
A
A
A
1
A
0
A
V
SS
V
DD
文件编号： 38-05285修订版**
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
第29页3
初步
销刀豆网络gurations
（续）
119球BGA焊球
CY7C1484V33 （ 2M × 36 ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQC
DQC
V
DDQ
DQC
DQC
V
DDQ
DQD
DQD
V
DDQ
DQD
DQD
NC
NC
V
DDQ
2
A
A
A
DQPc
DQC
DQC
DQC
DQC
V
DD
DQD
DQD
DQD
DQD
DQPd
A
A
TMS
3
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
BW
c
V
SS
NC
V
SS
BW
d
V
SS
V
SS
V
SS
模式
A
TDI
4
ADSP
ADSC
V
DD
NC
CE
1
OE
ADV
GW
V
DD
CLK
NC
BWE
A1
A0
V
DD
A
TCK
5
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
BW
b
V
SS
NC
V
SS
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
NC
A
TDO
6
A
A
A
DQPb
DQB
DQB
DQB
DQB
V
DD
DQA
DQA
DQA
DQA
DQPa
A
A
NC
7
V
DDQ
NC
NC
DQB
DQB
V
DDQ
DQB
DQB
V
DDQ
DQA
DQA
V
DDQ
DQA
DQA
NC
ZZ
V
DDQ
CY7C1484V33
CY7C1485V33
CY7C1485V33 （ 4M × 18 ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQB
NC
V
DDQ
NC
DQB
V
DDQ
NC
DQB
V
DDQ
DQB
NC
NC
A
V
DDQ
2
A
A
A
NC
DQB
NC
DQB
NC
V
DD
DQB
NC
DQB
NC
DQPb
A
A
TMS
3
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
BW
b
V
SS
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
模式
A
TDI
4
ADSP
ADSC
V
DD
NC
CE
1
OE
ADV
GW
V
DD
CLK
NC
BWE
A1
A0
V
DD
A
TCK
5
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
V
SS
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
NC
A
TDO
6
A
A
A
DQPa
NC
DQA
NC
DQA
V
DD
NC
DQA
NC
DQA
NC
A
A
NC
7
V
DDQ
NC
NC
NC
DQA
V
DDQ
DQA
NC
V
DDQ
DQA
NC
V
DDQ
NC
DQA
NC
ZZ
V
DDQ
文件编号： 38-05285修订版**
第29页4
初步
销刀豆网络gurations
（续）
165球FBGA凹凸（这个包提供的机会的基础上）
CY7C1484V33 （ 2M × 36 ） -11 × 15的FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
NC
DPC
DQC
DQC
DQC
DQC
NC
DQD
DQD
DQD
DQD
DPD
NC
模式
CY7C1484V33
CY7C1485V33
2
A
A
NC
DQC
DQC
DQC
DQC
V
SS
DQD
DQD
DQD
DQD
NC
A
A
3
CE
1
CE
2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
4
BW
c
BW
d
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
A
5
BW
b
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDI
TMS
6
CE
3
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
A1
A0
7
BWE
GW
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
TDO
TCK
8
ADSC
OE
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
A
9
ADV
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
10
A
A
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
NC
DQA
DQA
DQA
DQA
NC
A
A
11
NC
144M
DPB
DQB
DQB
DQB
DQB
ZZ
DQA
DQA
DQA
DQA
DPA
A
A
CY7C1485V33 （ 4M × 18 ） -11 × 15的FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
DPB
NC
模式
2
A
A
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
V
SS
NC
NC
NC
NC
NC
A
A
3
CE
1
CE
2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
4
BW
b
NC
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
A
5
NC
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDI
TMS
6
CE
3
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
A1
A0
7
BWE
GW
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
TDO
TCK
8
ADSC
OE
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
A
9
ADV
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
10
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQA
DQA
DQA
DQA
NC
A
A
11
A
144M
DPA
DQA
DQA
DQA
DQA
ZZ
NC
NC
NC
NC
NC
A
A
引脚德网络nitions
引脚名称
A0
A1
A
BW
a
BW
b
BW
c
BW
d
GW
I / O
输入 -
同步
输入 -
同步
引脚说明
用于选择的地址位置中的一个地址输入。
采样上升沿
如果ADSP ADSC或低电平有效的CLK和CE认证
1,
CE
2
和CE
3
采样活跃。一
[1:0]
喂2位计数器。
字节写选择输入，低电平有效。
合格与BWE进行字节写入到
SRAM 。采样在CLK的上升沿。
输入 -
同步
全局写使能输入，低电平有效。
当在CLK ，一个上升沿置位低
全局写进行（所有字节写入，无论价值的BW
A，B ， C，D
和
BWE ） 。
文件编号： 38-05285修订版**
第29页5
初步
CY7C1484V33
CY7C1485V33
2M ×36 / 4M x 18位流水线DCD SRAM
特点
快时钟速度： 250 ，200，和167兆赫
提供高性能3-1-1-1接入速率
快速访问时间： 2.6 ， 3.0 ，和3.4纳秒
最适合深度拓展
单3.3V -5 ％至+ 5 ％电源V
DD
单独的V
DDQ
为3.3V或2.5V
常见的数据输入和数据输出
字节写使能和全局写控制
芯片启用地址管道
地址，数据和控制寄存器
内部自定时写周期
突发控制引脚（交错或线性爆裂
序）
针对便携式应用自动断电
高密度，高速包
针对BGA封装的版本JTAG边界扫描
可在119球BGA凸点和100引脚TQFP
包（ CY7C1484V33和CY7C1485V33 ） 。
165球FBGA将在有机会的基础课程。
（请联系赛普拉斯销售或营销）
内部突发操作。所有的同步输入端通过门控
由一个正沿触发时钟输入控制寄存器
（CLK） 。同步输入包括所有地址，所有的数据
输入地址流水线芯片使能（ CE ） ，突发控制
输入（ ADSC ， ADSP和ADV ） ，写入启用（ BW
a
， BW
b
,
BW
c
， BW
d
和BWE ）和全局写（ GW ） 。
异步输入包括输出使能（ OE ）和
突发模式控制（ MODE ） 。的数据（ DQX ）和数据
奇偶校验（ DPX ）输出，通过OE启用，也是异步的。
DQA ， B，C ， D和DPA ， B， C，D适用于CY7C1484V33和DQA ，B
和DPA ，B适用于CY7C1485V33 。的a，b ，c和d每一个都是
8位宽中的DQ的情况下与宽的情况下，一个比特
的DP 。
地址和芯片使注册的任
地址状态处理器（ ADSP ）或地址状态
控制器（ ADSC ）输入引脚。随后一阵地址
可以在内部产生的突发超前作为控制
销（ ADV ） 。
地址，数据输入，并写入控制记录片
启动自定时写周期。写周期可以是一个
4个字节宽的写控制输入作为控制。
单个字节写入允许写入单个字节。 BW
a
控制DQA和DPA 。 BW
b
控制DQB和DPB 。 BW
c
控制DQC和DPD 。 BW
d
控制DQ和DPD 。 BW
a
， BW
b
,
BW
c
， BW
d
可以活动只有BWE为低。 GW是
低导致要写入的所有字节。写直通
功能允许在该输出写入可用数据
立即一个读周期。该器件还集成了
流水线使能电路，易于扩展的深度不
惩罚系统性能。
该CY7C1484V33 / CY7C1485V33都是双循环
取消CY7C1484V33的parts.All输入和输出，
CY7C1485V33是JEDEC标准JESD8-5兼容。
功能说明
赛普拉斯同步突发SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计采用了先进的
单层多晶硅三层金属工艺。每
存储单元由六个晶体管。
该CY7C1484V33和CY7C1485V33集成的SRAM
2097152 × 36 / 4194304 × 18的SRAM单元具有先进
同步外围电路和一个2位计数器，用于
选购指南
CY7C1484V33-
250
CY7C1485V33-
250
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
阴影区域包含预览。
CY7C1484V33-
200
CY7C1485V33-
200
3.0
待定
待定
CY7C1484V33-
167
CY7C1485V33-
167
3.4
待定
待定
单位
ns
mA
mA
2.6
待定
待定
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05285修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年1月18日
初步
逻辑框图
CY7C1484V33-2M × 36
模式
(A
[1;0]
) 2
CLK
ADV
ADSC
ADSP
A
[20:0]
GW
BWE
BW
d
BW
c
D
BW
b
D
BW
a
CE
1
CE
2
CE
3
D
BURST Q
0
CE计数器
Q
1
CLR
Q
21
19
D
地址
CE注册
D
DQ
d
， DP
d
BYTEWRITE
注册
DQ
c
， DP
c
BYTEWRITE
注册
DQ
b
， DP
b
BYTEWRITE
注册
DQ
a
， DP
a
BYTEWRITE
注册
ENABLE CE
注册
Q
19
21
CY7C1484V33
CY7C1485V33
2M × 36
内存
ARRAY
D
Q
Q
Q
36
Q
36
D使能延时Q
注册
OE
ZZ
睡觉
控制
产量
注册
CLK
输入
注册
CLK
DQ
A，B ， C，D
DP
A，B ， C，D
CY7C1485V33-4M × 18
模式
(A
[1;0]
) 2
CLK
ADV
ADSC
ADSP
A
[21:0]
GW
BWE
BW
b
BW
a
BURST Q
0
CE计数器
Q
1
CLR
Q
22
20
D
地址
CE注册
D
DQ
b
， DP
b
BYTEWRITE
注册
DQ
a
， DP
a
BYTEWRITE
注册
Q
20
22
4M × 18
内存
ARRAY
D
Q
CE
1
CE
2
CE
3
18
D
ENABLE CE
CE注册
Q
18
D使能延时Q
注册
OE
ZZ
睡觉
控制
产量
注册
CLK
输入
注册
CLK
DQ
A，B
DP
A，B
文件编号： 38-05285修订版**
第29页2
初步
销刀豆网络gurations
100引脚TQFP
（ TOP VIEW ）
CY7C1484V33
CY7C1485V33
A
A
CE
1
CE
2
BW
d
BW
c
BW
b
BW
a
CE
3
V
DD
V
SS
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
A
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
DQPc
DQC
DQC
V
DDQ
V
SSQ
DQC
DQC
DQC
DQC
V
SSQ
V
DDQ
DQC
DQC
NC
V
DD
NC
V
SS
DQD
DQD
V
DDQ
V
SSQ
DQD
DQD
DQD
DQD
V
SSQ
V
DDQ
DQD
DQD
DQPd
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
CY7C1484V33
(2M × 36)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQPb NC
NC
DQB
NC
DQB
V
DDQ
V
DDQ
V
SSQ
V
SSQ
NC
DQB
NC
DQB
DQB DQB
DQB DQB
V
SSQ
V
SSQ
V
DDQ
V
DDQ
DQB DQB
DQB DQB
NC
V
SS
V
DD
NC
NC
V
DD
V
SS
ZZ
DQA DQB
DQA DQB
V
DDQ
V
DDQ
V
SSQ
V
SSQ
DQA DQB
DQA DQB
DQA DPB
NC
DQA
V
SSQ
V
SSQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
DQA
NC
DQA
DQPa NC
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
A
A
CE
1
CE
2
NC
NC
BW
b
BW
a
CE
3
V
DD
V
SS
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
CY7C1485V33
(4M × 18)
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
A
NC
NC
V
DDQ
V
SSQ
NC
DPA
DQA
DQA
V
SSQ
V
DDQ
DQA
DQA
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQA
DQA
V
DDQ
V
SSQ
DQA
DQA
NC
NC
V
SSQ
V
DDQ
NC
NC
NC
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
模式
A
A
A
A
A
1
A
0
A
A
V
SS
V
DD
A
A
A
A
A
A
A
A
A
模式
A
A
A
A
A
1
A
0
A
V
SS
V
DD
文件编号： 38-05285修订版**
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
第29页3
初步
销刀豆网络gurations
（续）
119球BGA焊球
CY7C1484V33 （ 2M × 36 ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQC
DQC
V
DDQ
DQC
DQC
V
DDQ
DQD
DQD
V
DDQ
DQD
DQD
NC
NC
V
DDQ
2
A
A
A
DQPc
DQC
DQC
DQC
DQC
V
DD
DQD
DQD
DQD
DQD
DQPd
A
A
TMS
3
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
BW
c
V
SS
NC
V
SS
BW
d
V
SS
V
SS
V
SS
模式
A
TDI
4
ADSP
ADSC
V
DD
NC
CE
1
OE
ADV
GW
V
DD
CLK
NC
BWE
A1
A0
V
DD
A
TCK
5
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
BW
b
V
SS
NC
V
SS
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
NC
A
TDO
6
A
A
A
DQPb
DQB
DQB
DQB
DQB
V
DD
DQA
DQA
DQA
DQA
DQPa
A
A
NC
7
V
DDQ
NC
NC
DQB
DQB
V
DDQ
DQB
DQB
V
DDQ
DQA
DQA
V
DDQ
DQA
DQA
NC
ZZ
V
DDQ
CY7C1484V33
CY7C1485V33
CY7C1485V33 （ 4M × 18 ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQB
NC
V
DDQ
NC
DQB
V
DDQ
NC
DQB
V
DDQ
DQB
NC
NC
A
V
DDQ
2
A
A
A
NC
DQB
NC
DQB
NC
V
DD
DQB
NC
DQB
NC
DQPb
A
A
TMS
3
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
BW
b
V
SS
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
模式
A
TDI
4
ADSP
ADSC
V
DD
NC
CE
1
OE
ADV
GW
V
DD
CLK
NC
BWE
A1
A0
V
DD
A
TCK
5
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
V
SS
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
NC
A
TDO
6
A
A
A
DQPa
NC
DQA
NC
DQA
V
DD
NC
DQA
NC
DQA
NC
A
A
NC
7
V
DDQ
NC
NC
NC
DQA
V
DDQ
DQA
NC
V
DDQ
DQA
NC
V
DDQ
NC
DQA
NC
ZZ
V
DDQ
文件编号： 38-05285修订版**
第29页4
初步
销刀豆网络gurations
（续）
165球FBGA凹凸（这个包提供的机会的基础上）
CY7C1484V33 （ 2M × 36 ） -11 × 15的FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
NC
DPC
DQC
DQC
DQC
DQC
NC
DQD
DQD
DQD
DQD
DPD
NC
模式
CY7C1484V33
CY7C1485V33
2
A
A
NC
DQC
DQC
DQC
DQC
V
SS
DQD
DQD
DQD
DQD
NC
A
A
3
CE
1
CE
2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
4
BW
c
BW
d
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
A
5
BW
b
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDI
TMS
6
CE
3
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
A1
A0
7
BWE
GW
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
TDO
TCK
8
ADSC
OE
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
A
9
ADV
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
10
A
A
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
NC
DQA
DQA
DQA
DQA
NC
A
A
11
NC
144M
DPB
DQB
DQB
DQB
DQB
ZZ
DQA
DQA
DQA
DQA
DPA
A
A
CY7C1485V33 （ 4M × 18 ） -11 × 15的FBGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
DPB
NC
模式
2
A
A
NC
DQB
DQB
DQB
DQB
V
SS
NC
NC
NC
NC
NC
A
A
3
CE
1
CE
2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
4
BW
b
NC
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
A
5
NC
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDI
TMS
6
CE
3
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
A1
A0
7
BWE
GW
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
TDO
TCK
8
ADSC
OE
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
A
9
ADV
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
10
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQA
DQA
DQA
DQA
NC
A
A
11
A
144M
DPA
DQA
DQA
DQA
DQA
ZZ
NC
NC
NC
NC
NC
A
A
引脚德网络nitions
引脚名称
A0
A1
A
BW
a
BW
b
BW
c
BW
d
GW
I / O
输入 -
同步
输入 -
同步
引脚说明
用于选择的地址位置中的一个地址输入。
采样上升沿
如果ADSP ADSC或低电平有效的CLK和CE认证
1,
CE
2
和CE
3
采样活跃。一
[1:0]
喂2位计数器。
字节写选择输入，低电平有效。
合格与BWE进行字节写入到
SRAM 。采样在CLK的上升沿。
输入 -
同步
全局写使能输入，低电平有效。
当在CLK ，一个上升沿置位低
全局写进行（所有字节写入，无论价值的BW
A，B ， C，D
和
BWE ） 。
文件编号： 38-05285修订版**
第29页5
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CCF-553K48FKR36
CY7C1480V33-250AXI
C2LA-221K
CY7C136-55JI
CAT93C76VE-T2
CD6297
CDH45-1R5M
CTB06-600B
CEP-1109
COP8SGF544D7
CY7C1556V18-333BZXI
CDALA10M7GA086
CRZ36
CAT25C64U20A
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    -
    -
    -
    -
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CY7C1485V33-167BGC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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