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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第474页 > CY7C1473V33
初步
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流通型
SRAM与NOBL 架构
特点
无总线延迟 ( NOBL )架构消除
读写周期之间的死循环。
可支持高达133 MHz的总线操作零
等待状态
- 数据传送在每个时钟
引脚兼容,功能上等同于ZBT
器件
内部自定时输出缓冲控制,以消除
需要使用参考
注册的投入流通型操作
字节写能力
3.3V / 2.5V的I / O电源
快速时钟到输出时间
- 6.5纳秒( 133 - MHz器件)
- 8.5纳秒( 100 - MHz器件)
时钟使能( CEN )引脚使能时钟和暂停
手术
同步自定时写
异步输出使能
在提供的JEDEC标准的无铅TQFP 100 ,和
165球FBGA封装的CY7C1471V33和
CY7C1473V33 。 209球FBGA封装的
CY7C1475V33.
三个芯片使简单的深度扩展。
使用ZZ自动断电功能可
模式或CE取消。
用于BGA和FBGA封装JTAG边界扫描
连拍能力直线或交错突发订单
低待机功耗
功能说明
[1]
该CY7C1471V33 , CY7C1473V33和CY7C1475V33是
3.3V , 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72同步流通式
专爆的SRAM ,支持真正的无限
背来背读/写操作,而不会插入
等待状态。该CY7C1471V33 , CY7C1473V33和
CY7C1475V33都配备了先进的无公交车
潜伏期( NOBL )逻辑才能启用连续
读/写操作与正在传输的每个数据
时钟周期。该功能极大地提高了吞吐量
通过SRAM数据,特别是在需要的系统的
频繁的写 - 读过渡。
所有同步输入通过输入寄存器控制
通过在时钟的上升沿。时钟输入由合格
时钟使能( CEN )的信号,当其无效
暂停操作和扩展了前面的时钟周期。
从时钟的上升最高接入时延是6.5纳秒( 133 - MHz的
装置) 。
写操作是由两个或四个字节写入控制
选择( BW
X
)和写使能( WE)输入。所有的写操作
带有片上同步自定时写电路进行。
三个同步芯片启用( CE
1
,CE
2
,CE
3
)和一个
异步输出使能( OE )为方便银行
选择和输出三态控制。为了避免总线
争时,输出驱动器同步三态
在写过程的数据部分。
选购指南
133兆赫
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
6.5
335
150
100兆赫
8.5
305
150
单位
ns
mA
mA
注意:
1.对于最佳实践的建议,请参阅赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
在www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05288牧师* E
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年12月5日
初步
1
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
逻辑框图 - CY7C1473V33 ( 4M ×18 )
A0, A1, A
模式
CLK
CEN
C
CE
ADV / LD
C
写地址
注册
地址
注册
A1
D1
A0
D0
Q1 A1 “
A0'
Q0
BURST
逻辑
ADV / LD
BW
A
BW
B
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
DRIVERS
内存
ARRAY
S
E
N
S
E
A
M
P
S
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
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O
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T
B
U
F
F
E
R
S
E
的DQ
DQP
A
DQP
B
WE
OE
CE1
CE2
CE3
ZZ
输入
E
注册
读逻辑
睡觉
控制
逻辑框图 - CY7C1471V33 ( 2M ×36 )
A0, A1, A
模式
CLK
CEN
C
CE
ADV / LD
C
写地址
注册
地址
注册
A1
D1
A0
D0
Q1 A1 “
A0'
Q0
BURST
逻辑
ADV / LD
BW
A
BW
B
BW
C
BW
D
WE
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
DRIVERS
内存
ARRAY
S
E
N
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E
A
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P
S
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T
A
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F
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S
E
的DQ
DQP
A
DQP
B
DQP
C
DQP
D
OE
CE1
CE2
CE3
ZZ
输入
E
注册
读逻辑
睡觉
控制
文件编号: 38-05288牧师* E
第29页2
初步
逻辑框图 - CY7C1475V33 ( 1M X 72 )
A0, A1, A
模式
CLK
CEN
C
写地址
注册1
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
地址
寄存器0
A1
A1'
D1
Q1
A0
A0'
BURST
D0
Q0
逻辑
ADV / LD
C
写地址
注册2
ADV / LD
BW
a
BW
b
BW
c
BW
d
BW
e
BW
f
BW
g
BW
h
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
DRIVERS
内存
ARRAY
S
E
N
S
E
A
M
P
S
O
U
T
P
U
T
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E
G
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的DQ
DQP
a
DQP
b
DQP
c
DQP
d
DQP
e
DQP
f
DQP
g
DQP
h
WE
输入
注册1
E
输入
寄存器0
E
OE
CE1
CE2
CE3
ZZ
读逻辑
睡觉
控制
文件编号: 38-05288牧师* E
第29页3
初步
销刀豆网络gurations
100引脚TQFP
BW
D
BW
C
BW
B
BW
A
CEN
CLK
ADV / LD
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
CE
1
CE
2
CE
3
V
DD
V
SS
WE
OE
A
82
A
100
A
99
A
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
A
字节
BYTE
DQP
C
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
V
SS
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
V
SS
V
DDQ
DQ
C
DQ
C
NC
V
DD
NC
V
SS
DQ
D
DQ
D
V
DDQ
V
SS
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
V
SS
V
DDQ
DQ
D
DQ
D
DQP
D
1
2
3
4
5
6
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8
9
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11
12
13
14
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16
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18
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20
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23
24
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28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
81
A
CY7C1471V33
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
44
45
46
47
48
49
50
DQP
B
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
DQP
A
BYTE B
一个字节
39
40
41
42
A1
A0
V
SS
模式
NC / 288M
NC / 144M
V
DD
A
A
A
A
43
A
A
A
文件编号: 38-05288牧师* E
A
A
A
A
A
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初步
销刀豆网络gurations
(续)
100引脚TQFP
BW
B
BW
A
CEN
CLK
ADV / LD
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
CE
1
CE
2
CE
3
V
DD
V
SS
WE
OE
NC
NC
A
82
100
A
99
A
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
A
83
A
NC
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
NC
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
NC
V
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V
SS
DQ
B
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B
V
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V
SS
DQ
B
DQ
B
DQP
B
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
BYTE B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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12
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14
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30
31
32
33
34
35
36
37
38
81
A
CY7C1473V33
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
44
45
46
47
48
49
50
A
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
DQP
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
NC
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
一个字节
39
40
41
42
A1
A0
V
SS
模式
NC / 288M
NC / 144M
V
DD
A
A
A
A
43
A
A
A
A
文件编号: 38-05288牧师* E
A
A
A
A
A
第29页5
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )
流通SRAM与NOBL 架构
特点
无总线延迟 ( NOBL )架构,消除死
读写周期之间循环
支持高达133 MHz的总线操作零等待状态
- 数据传送在每个时钟
引脚兼容,功能上等同于ZBT 设备
内部自定时输出缓冲控制,以消除
需要使用参考
注册的输入,流经操作
字节写能力
3.3V / 2.5V IO电源(V
DDQ
)
快速时钟到输出时间
- 6.5纳秒( 133 - MHz器件)
时钟使能( CEN )引脚使能时钟和暂停
手术
同步自定时写
异步输出使能( OE )
CY7C1471V33 , CY7C1473V33可用
JEDEC标准的无铅100引脚TQFP无铅和
非无铅165球FBGA封装。 CY7C1475V33
在提供无铅和无无铅209球FBGA
三芯片使能( CE
1
,CE
2
,CE
3
)进行简单的深度
扩张
自动断电功能,可使用ZZ模式或
CE取消
IEEE 1149.1 JTAG边界扫描兼容
连拍能力 - 线性或交错突发订单
低待机功耗
功能说明
[1]
该CY7C1471V33 , CY7C1473V33和CY7C1475V33是
3.3V , 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72同步通过突发流量
专门设计的SRAM ,支持真正的无限
备份到后端的读或写操作,而不会在插入
等待状态。该CY7C1471V33 , CY7C1473V33和
CY7C1475V33都配备了先进的无公交车
潜伏期( NOBL )逻辑才能启用连续的读或
数据传送的每个时钟写入操作
周期。该功能极大地提高了吞吐量
通过SRAM数据,特别是在需要的系统
频繁的写 - 读过渡。
所有同步输入通过输入寄存器控制
通过在时钟的上升沿。时钟输入由合格
时钟使能( CEN )的信号,当其无效
暂停操作和扩展了前面的时钟
从时钟上升cycle.Maximum接入延迟是6.5纳秒
( 133 MHz的设备)。
写操作是由两个或四个字节写选择控制
( BW
X
)和写使能(WE )输入端。所有的写操作进行
带有片上同步自定时写电路。
三个同步芯片启用( CE
1
,CE
2
,CE
3
)和一个
异步输出使能( OE )为方便银行
选择和输出三态控制。为了防止总线冲突,
输出驱动器同步数据时三态
一个写序列部分。
选购指南
133兆赫
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
6.5
305
120
117兆赫
8.5
275
120
单位
ns
mA
mA
1.为了达到最佳实践建议,请参考赛普拉斯应用笔记
AN1064 , SRAM系统的指导。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05288牧师*
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年7月4日
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
逻辑框图 - CY7C1471V33 ( 2M ×36 )
A0, A1, A
模式
CLK
CEN
C
CE
ADV / LD
C
写地址
注册
地址
注册
A1
D1
A0
D0
BURST
逻辑
Q1 A1 “
A0'
Q0
ADV / LD
BW
A
BW
B
BW
C
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WE
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
DRIVERS
内存
ARRAY
S
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A
M
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DQP
A
DQP
B
DQP
C
DQP
D
OE
CE1
CE2
CE3
ZZ
输入
注册
读逻辑
E
睡觉
控制
逻辑框图 - CY7C1473V33 ( 4M ×18 )
A0, A1, A
模式
CLK
C
CE
地址
注册
A1
D1
A0
D0
ADV / LD
C
写地址
注册
A1'
Q1
A0'
Q0
BURST
逻辑
C
EN
ADV / LD
BW一
BW B
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
DRIVERS
内存
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S
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A
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F
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E
的DQ
DQP
A
DQP
B
WE
OE
CE1
CE2
CE3
ZZ
输入
E
注册
读逻辑
睡觉
控制
文件编号: 38-05288牧师*
第32 2
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
逻辑框图 - CY7C1475V33 ( 1M X 72 )
地址
寄存器0
A0, A1, A
模式
CLK
CEN
C
写地址
注册1
ADV / LD
C
A1
A1'
D1
Q1
A0
A0'
D0 Q0爆
逻辑
写地址
注册2
ADV / LD
BW
a
BW
b
BW
c
BW
d
BW
e
BW
f
BW
g
BW
h
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
DRIVERS
内存
ARRAY
S
E
N
S
E
A
M
P
S
O
U
T
P
U
T
R
E
G
I
S
T
E
R
S
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
E
E
DQ S
DQ霸
DQ铅
DQ电脑
DQ钯
DQ PE
DQ Pf的
DQ PG
DQ博士
WE
输入
E
注册1
输入
E
寄存器0
OE
CE1
CE2
CE3
ZZ
读逻辑
休眠控制
文件编号: 38-05288牧师*
第32 3
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
销刀豆网络gurations
100引脚TQFP引脚
BW
D
BW
C
BW
B
BW
A
CE
1
CE
2
CE
3
V
DD
V
SS
CEN
CLK
WE
OE
ADV / LD
A
82
A
100
A
99
A
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
A
字节
BYTE
DQP
C
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
V
SS
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
V
SS
V
DDQ
DQ
C
DQ
C
NC
V
DD
NC
V
SS
DQ
D
DQ
D
V
DDQ
V
SS
DQ
D
DQ
D
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D
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D
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SS
V
DDQ
DQ
D
DQ
D
DQP
D
1
2
3
4
5
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15
16
17
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19
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32
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81
A
CY7C1471V33
80
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78
77
76
75
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73
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69
68
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66
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58
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56
55
54
53
52
51
45
46
47
48
49
50
DQP
B
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
DQP
A
BYTE B
一个字节
39
40
41
42
43
A1
A0
V
SS
模式
V
DD
A
A
A
A
44
A
A
NC/144M
A
A
文件编号: 38-05288牧师*
NC/288M
A
A
A
A
A
第32 4
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
销刀豆网络gurations
(续)
100引脚TQFP引脚
BW
B
BW
A
CE
1
CE
2
CE
3
V
DD
V
SS
CEN
CLK
WE
OE
NC
NC
ADV / LD
A
82
100
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A
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
A
83
A
NC
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
NC
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
NC
V
DD
NC
V
SS
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQP
B
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
BYTE B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
81
A
CY7C1473V33
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
45
46
47
48
49
50
A
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
DQP
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
NC
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
一个字节
39
40
41
42
43
A1
A0
V
SS
模式
V
DD
A
A
A
A
44
A
A
A
NC/144M
NC/288M
A
文件编号: 38-05288牧师*
A
A
A
A
A
第32 5
初步
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流通型
SRAM与NOBL 架构
特点
无总线延迟 ( NOBL )架构消除
读写周期之间的死循环。
可支持高达133 MHz的总线操作零
等待状态
- 数据传送在每个时钟
引脚兼容,功能上等同于ZBT
器件
内部自定时输出缓冲控制,以消除
需要使用参考
注册的投入流通型操作
字节写能力
3.3V / 2.5V的I / O电源
快速时钟到输出时间
- 6.5纳秒( 133 - MHz器件)
- 8.5纳秒( 100 - MHz器件)
时钟使能( CEN )引脚使能时钟和暂停
手术
同步自定时写
异步输出使能
在提供的JEDEC标准的无铅TQFP 100 ,和
165球FBGA封装的CY7C1471V33和
CY7C1473V33 。 209球FBGA封装的
CY7C1475V33.
三个芯片使简单的深度扩展。
使用ZZ自动断电功能可
模式或CE取消。
用于BGA和FBGA封装JTAG边界扫描
连拍能力直线或交错突发订单
低待机功耗
功能说明
[1]
该CY7C1471V33 , CY7C1473V33和CY7C1475V33是
3.3V , 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72同步流通式
专爆的SRAM ,支持真正的无限
背来背读/写操作,而不会插入
等待状态。该CY7C1471V33 , CY7C1473V33和
CY7C1475V33都配备了先进的无公交车
潜伏期( NOBL )逻辑才能启用连续
读/写操作与正在传输的每个数据
时钟周期。该功能极大地提高了吞吐量
通过SRAM数据,特别是在需要的系统的
频繁的写 - 读过渡。
所有同步输入通过输入寄存器控制
通过在时钟的上升沿。时钟输入由合格
时钟使能( CEN )的信号,当其无效
暂停操作和扩展了前面的时钟周期。
从时钟的上升最高接入时延是6.5纳秒( 133 - MHz的
装置) 。
写操作是由两个或四个字节写入控制
选择( BW
X
)和写使能( WE)输入。所有的写操作
带有片上同步自定时写电路进行。
三个同步芯片启用( CE
1
,CE
2
,CE
3
)和一个
异步输出使能( OE )为方便银行
选择和输出三态控制。为了避免总线
争时,输出驱动器同步三态
在写过程的数据部分。
选购指南
133兆赫
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
6.5
335
150
100兆赫
8.5
305
150
单位
ns
mA
mA
注意:
1.对于最佳实践的建议,请参阅赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
在www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05288牧师* E
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年12月5日
初步
1
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
逻辑框图 - CY7C1473V33 ( 4M ×18 )
A0, A1, A
模式
CLK
CEN
C
CE
ADV / LD
C
写地址
注册
地址
注册
A1
D1
A0
D0
Q1 A1 “
A0'
Q0
BURST
逻辑
ADV / LD
BW
A
BW
B
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
DRIVERS
内存
ARRAY
S
E
N
S
E
A
M
P
S
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
E
的DQ
DQP
A
DQP
B
WE
OE
CE1
CE2
CE3
ZZ
输入
E
注册
读逻辑
睡觉
控制
逻辑框图 - CY7C1471V33 ( 2M ×36 )
A0, A1, A
模式
CLK
CEN
C
CE
ADV / LD
C
写地址
注册
地址
注册
A1
D1
A0
D0
Q1 A1 “
A0'
Q0
BURST
逻辑
ADV / LD
BW
A
BW
B
BW
C
BW
D
WE
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
DRIVERS
内存
ARRAY
S
E
N
S
E
A
M
P
S
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
E
的DQ
DQP
A
DQP
B
DQP
C
DQP
D
OE
CE1
CE2
CE3
ZZ
输入
E
注册
读逻辑
睡觉
控制
文件编号: 38-05288牧师* E
第29页2
初步
逻辑框图 - CY7C1475V33 ( 1M X 72 )
A0, A1, A
模式
CLK
CEN
C
写地址
注册1
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
地址
寄存器0
A1
A1'
D1
Q1
A0
A0'
BURST
D0
Q0
逻辑
ADV / LD
C
写地址
注册2
ADV / LD
BW
a
BW
b
BW
c
BW
d
BW
e
BW
f
BW
g
BW
h
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
DRIVERS
内存
ARRAY
S
E
N
S
E
A
M
P
S
O
U
T
P
U
T
R
E
G
I
S
T
E
R
S
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
N
G
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
E
E
的DQ
DQP
a
DQP
b
DQP
c
DQP
d
DQP
e
DQP
f
DQP
g
DQP
h
WE
输入
注册1
E
输入
寄存器0
E
OE
CE1
CE2
CE3
ZZ
读逻辑
睡觉
控制
文件编号: 38-05288牧师* E
第29页3
初步
销刀豆网络gurations
100引脚TQFP
BW
D
BW
C
BW
B
BW
A
CEN
CLK
ADV / LD
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
CE
1
CE
2
CE
3
V
DD
V
SS
WE
OE
A
82
A
100
A
99
A
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
A
字节
BYTE
DQP
C
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
V
SS
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
V
SS
V
DDQ
DQ
C
DQ
C
NC
V
DD
NC
V
SS
DQ
D
DQ
D
V
DDQ
V
SS
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
V
SS
V
DDQ
DQ
D
DQ
D
DQP
D
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
81
A
CY7C1471V33
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
44
45
46
47
48
49
50
DQP
B
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
DQP
A
BYTE B
一个字节
39
40
41
42
A1
A0
V
SS
模式
NC / 288M
NC / 144M
V
DD
A
A
A
A
43
A
A
A
文件编号: 38-05288牧师* E
A
A
A
A
A
A
第29页4
初步
销刀豆网络gurations
(续)
100引脚TQFP
BW
B
BW
A
CEN
CLK
ADV / LD
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
CE
1
CE
2
CE
3
V
DD
V
SS
WE
OE
NC
NC
A
82
100
A
99
A
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
A
83
A
NC
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
NC
DQ
B
DQ
B
V
SS
V
DDQ
DQ
B
DQ
B
NC
V
DD
NC
V
SS
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
DQP
B
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
BYTE B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
81
A
CY7C1473V33
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
44
45
46
47
48
49
50
A
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
DQP
A
DQ
A
DQ
A
V
SS
V
DDQ
DQ
A
DQ
A
V
SS
NC
V
DD
ZZ
DQ
A
DQ
A
V
DDQ
V
SS
DQ
A
DQ
A
NC
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
一个字节
39
40
41
42
A1
A0
V
SS
模式
NC / 288M
NC / 144M
V
DD
A
A
A
A
43
A
A
A
A
文件编号: 38-05288牧师* E
A
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    CY7C1473V33
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CY7C1473V33
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