CY7C133
CY7C143
2K ×16双口静态RAM
特点
真正的双端口存储器单元允许
同时读取相同的内存位置
2K ×16组织
0.65微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速访问： 25/35/55 NS
较低的工作功耗：我
CC
= 150 mA（典型值）
完全异步操作
主CY7C133扩展数据总线宽度为32位或
更多的使用从CY7C143
对CY7C133 BUSY输出标志;在繁忙的输入标志
CY7C143
可提供68引脚PLCC
功能说明
该CY7C133和CY7C143是高速CMOS 2K 16
双口静态RAM 。提供两个端口允许
无关的访问的任何位置在存储器中。该CY7C133
可以用作任一个独立的16位双端口静态
RAM或作为主双端口RAM中结合
CY7C143从需要32位双端口器件或系统
更大字宽。这是一个需要解决的应用
共享或缓冲的数据，如高速缓冲存储器的DSP ，
位片，或者多处理器设计。
每个端口都有独立的控制引脚;片选（ CE ） ，
写使能（ R / W
UB
中，R / W的
LB
）和输出使能（ OE ） 。
该端口正在试图访问相同的BUSY信号
位置当前正由其他端口进行访问。一
自动断电功能独立于控制
每个端口的片选（ CE）引脚。
该CY7C133和CY7C143是68引脚PLCC可用。
逻辑框图
CE
L
读/写
LUB
CE
R
读/写
RUB
读/写
LLB
OE
L
读/写
RLB
OE
R
I / O
8L
- I / O
15L
I / O
0L
- I / O
7L
忙
L[1]
A
10L
A
0L
地址
解码器
I / O
控制
I / O
控制
I / O
8R
- I / O
15R
I / O
0R
- I / O
7R
忙
R
[ ]
1
内存
ARRAY
地址
解码器
A
10R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
LUB
读/写
LLB
ARBITRA
化
逻辑
（ CY7C133 ONLY）
CE
R
OE
R
读/写
RUB
读/写
RLB
注意：
1. CY7C133 （硕士） ： BUSY为开漏输出，需要上拉电阻。 CY7C143 （从） ： BUSY输入。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06036牧师* B
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年6月22日
CY7C133
CY7C143
引脚配置
68引脚LCC / PLCC
顶视图
I / O 3L
I / O 2L
I / O 1L
I / O 0L
V CC
R / WLUB
R / WLLB
OEL
I / O 6L
I / O 5L
I / O 8L
I / O 7L
I / O 4L
A10L
A9L
A8L
A7L
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
2728 29 30 3132 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
I/O8R
I/O9R
I / O
10R
I / O
11R
I / O
12R
I / O
13R
I / O
14R
I / O
15R
GND
读/写
RUB
读/写
RLB
OE
A
10R
A9R
A
8R
A7R
A6R
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
忙
L
CE
L
CE
R
忙
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
9 8 7 6
I / O
9L
I / O
10L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
13L
I / O
14L
I / O
15L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
7C133
7C143
选购指南
7C133-25
7C143-25
最大访问时间
典型工作电流I
CC
典型待机电流为我
SB1
25
170
40
7C133-35
7C143-35
35
160
30
7C133-55
7C143-55
55
150
20
单位
ns
mA
mA
文件编号： 38-06036牧师* B
分页： 13 2
CY7C133
CY7C143
架构
该CY7C133 （主）和CY7C143 （从）由一个
中的每个双端口RAM单元的16位， 2K字阵列的I / O的
和地址线和控制信号（CE， OE ， R / W） 。这些
控制引脚允许独立访问读取或写入任何
位置在存储器中。为了处理同时写入/读取到相同的
位置，繁忙的引脚提供的每个端口上。该CY7C133和
CY7C143必须通过CE控制的自动断电功能。
每个端口具有其自己的输出使能控制（OE ），其
允许将数据从设备中读取。
一个主站和尽可能多的奴隶根据需要可
并联地连接到扩展数据总线宽度为16位
增量。主繁忙的输出连接到
奴隶的BUSY输入。写从器件必须延迟
直到后BUSY输入已解决（T
BLC
或T
BLA
） 。否则，该
从属芯片可以争期间开始写周期
的情况。
流通工作
该CY7C133 / 143具有流过的体系结构，设施
大老重复（实际上延长）的操作时，
收到丢失的端口忙。 BUSY信号应
解释为没有准备好。如果BUSY一个端口处于激活状态时，
端口应该等待BUSY变为无效，然后延长
操作它执行下一个循环。时机
图名为“定时与港到港延迟波形” illus-
trates ，其中正确的端口写入的地址的情况下，并
左端口读出相同的地址。该数据是正确的
端口刚刚写入流经左侧，并且是有效的任
t
DDD
左端口的写选通，或下降沿后
t
DDD
被写入的数据之后变得稳定。
数据保持方式
该CY7C133 / 143设计了电池备份的初衷。
数据保持电压，电源电流，保证了
温度。以下规则确保数据保存：
1.芯片使能（ CE ）必须在数据保持高举行，与 -
在V
CC
到V
CC
– 0.2V.
2. CE必须保持V之间
CC
- 0.2V和V 70 ％
CC
在上电和断电的过渡。
3. RAM就可以开始操作>吨
RC
经过V
CC
到达
最低工作电压（ 4.5V ） 。
定时
数据保持方式
V
CC
4.5V
V
CC
＆ GT ;
2.0V
4.5V
t
RC
V
IH
功能说明
写操作
数据必须被设置为T的时间
SD
上升沿之前
读/写的，以保证有效的写入。写操作
不论是由R / W引脚控制（见写周期第1波）或
CE引脚（见写周期第2波） 。两个读/写引脚（ R / W
UB
和读/写
LB
）被用于分离的IO的上和下字节。
对于非竞争的操作所需的输入归纳于
表1中。
如果一个位置被一个端口，另一写入
尝试读出该位置的端口，一个端口到端口的流通
延迟必须发生之前的数据被读出到输出;
否则数据读取不确定性。数据将是有效
在油口T
DDD
后的数据被呈现在其他端口上。
读操作
当读取装置，用户必须断言二者在OE
和CE引脚。数据将用T
ACE
CE或T后
美国能源部
之后， OE是
断言。
忙
该CY7C133 （主）提供片上仲裁解决
同时内存位置访问（争） 。
表2
显示BUSY哪里断言条件的夏日。如果两个
端口“ CE都断言和地址匹配时T内
PS
of
对方，忙逻辑将确定哪个端口访问。如果T
PS
被侵犯，一个端口肯定会获得批准的位置，但
哪一个是不可预测的。 BUSY将变吨
BLA
经过
地址匹配或T
BLC
经过CE为低电平。所有8的结果
仲裁可能性总结在
表3中。
BUSY是一个开放的
漏极输出，需要上拉电阻。
CE
V
CC
到V
CC
– 0.2V
参数
ICC
DR1
注意：
2. CE = V
CC
, V
in
= GND到V
CC
, T
A
= 25°C 。此参数是保证，但未经测试。
测试条件
[2]
@ VCC
DR
= 2V
马克斯。
1.5
单位
mA
文件编号： 38-06036牧师* B
第13 3
CY7C133
CY7C143
表1.非争鸣读/写控制
控制
读/写
LB
X
L
L
H
L
H
H
H
读/写
UB
X
L
H
L
H
L
H
H
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
L
L
H
H
L
H
I / O
0
-I / O
8
高Z
DATA IN
DATA IN
数据输出
DATA IN
高Z
数据输出
高Z
I / O
I / O
9
-I / O
17
高Z
DATA IN
数据输出
DATA IN
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
手术
取消：掉电
写两个字节
写低字节，读高字节
读低字节，写入最高字节
写低字节
写高字节
读取两个字节
高阻抗输出
表2.地址BUSY仲裁
输入
CE
L
X
H
X
L
CE
R
X
X
H
L
地址
L
地址
R
不匹配
MATCH
MATCH
MATCH
忙
L
H
H
H
注3
输出
忙
R
H
H
H
注3
正常
正常
正常
写禁止
[4]
功能
32位主/从双端口存储器系统
读/写
左
CY7C133
忙
忙
右
读/写
5V
读/写
CY7C143
忙
5V
读/写
忙
表3.仲裁结果
PORT
例
1
2
3
4
5
6
7
8
左
读
读
读
读
写
写
写
写
右
读
读
写
写
读
读
写
写
获奖端口
L
R
L
R
L
R
L
R
两个端口读
两个端口读
l端口读取OK R气口禁止写
R气口写入OK L端口的数据可能无效
l端口写入OK R气口的数据可能无效
R气口读取OK L端口写抑制
l端口写入OK R气口禁止写
R气口写入OK L端口写抑制
结果
注意事项：
3.端口仲裁的失败者将获得BUSY = “ L” （ BUSY
L
或忙
R
变为“L” ） 。忙
L
和BUSY
R
能不能同时为低电平。
4.写操作被禁止向左侧端口忙时
L
为LOW 。写操作被禁止，以正确的端口忙时
R
是低的。
文件编号： 38-06036牧师* B
第13 4
CY7C133
CY7C143
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚48至引脚24） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
.....................................................0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
................................................. 3.5V
至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0
°
C至+70
°
C
40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
7C133-25
7C143-25
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出短路
当前
[6, 7]
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
CE = V
IL
,
输出开路，女= F
MAX[8]
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
170
170
40
40
100
100
3
3
90
90
5
5
I
OL
= 4.0毫安
I
OL
= 16.0
mA
[5]
2.2
0.8
+5
+5
200
250
290
60
75
140
160
15
15
120
140
mA
mA
mA
mA
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
分钟。
2.4
0.4
0.5
V
V
A
A
mA
mA
典型值。
马克斯。
单位
V
V
待机电流两个端口， TTL CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
IH
, f = f
MAX[8]
输入
待机电流的一个端口， TTL
输入
待机电流两个端口，
CMOS输入
待机电流的一个港口，
CMOS输入
CE
L
或CE
R
＆ GT ; V
IH
，主动港
输出开路，女= F
MAX[8]
两个端口CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
CC
–
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ;
0.2V ， F = 0
I
SB4
一个端口CE
L
或CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ， Com'l
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
IND 。
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，有效输出端口打开，
f = f
MAX[8]
电气特性
在工作范围（续）
7C133-35
7C143-35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
5
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 4.0毫安
I
OL
= 16.0毫安
[5]
2.2
0.8
+5
5
分钟。
2.4
0.4
0.5
2.2
0.8
+5
典型值。
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
0.5
V
V
A
7C133-55
7C143-55
典型值。
马克斯。
单位
V
V
注意事项：
5. BUSY引脚只。
短路6.持续时间不得超过30秒钟。
7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
8.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环以1 /吨的读周期的最大频率
RC
使用AC测试波形GND的输入电平为3V 。
文件编号： 38-06036牧师* B
第13个5
CY7C133
CY7C143
2K ×16双口静态RAM
特点
真正的双端口存储器单元允许
同时读取相同的内存位置
2K ×16组织
0.65微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速访问： 25/35/55 NS
较低的工作功耗：我
CC
= 150 mA（典型值）
完全异步操作
主CY7C133扩展数据总线宽度为32位或
更多的使用从CY7C143
对CY7C133 BUSY输出标志;在繁忙的输入标志
CY7C143
可提供68引脚PLCC
功能说明
该CY7C133和CY7C143是高速CMOS 2K 16
双口静态RAM 。提供两个端口允许
无关的访问的任何位置在存储器中。该CY7C133
可以用作任一个独立的16位双端口静态
RAM或作为主双端口RAM中结合
CY7C143从需要32位双端口器件或系统
更大字宽。这是一个需要解决的应用
共享或缓冲的数据，如高速缓冲存储器的DSP ，
位片，或者多处理器设计。
每个端口都有独立的控制引脚;片选（ CE ） ，
写使能（ R / W
UB
中，R / W的
LB
）和输出使能（ OE ） 。
该端口正在试图访问相同的BUSY信号
位置当前正由其他端口进行访问。一
自动断电功能独立于控制
每个端口的片选（ CE）引脚。
该CY7C133和CY7C143是68引脚PLCC可用。
逻辑框图
CE
L
读/写
LUB
CE
R
读/写
RUB
读/写
LLB
OE
L
读/写
RLB
OE
R
I / O
8L
- I / O
15L
I / O
0L
- I / O
7L
忙
L[1]
A
10L
A
0L
地址
解码器
I / O
控制
I / O
控制
I / O
8R
- I / O
15R
I / O
0R
- I / O
7R
忙
R
[ ]
1
内存
ARRAY
地址
解码器
A
10R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
LUB
读/写
LLB
ARBITRA
化
逻辑
（ CY7C133 ONLY）
CE
R
OE
R
读/写
RUB
读/写
RLB
注意：
1. CY7C133 （硕士） ： BUSY为开漏输出，需要上拉电阻。 CY7C143 （从） ： BUSY输入。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06036牧师* B
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年6月22日
CY7C133
CY7C143
引脚配置
68引脚LCC / PLCC
顶视图
I / O 3L
I / O 2L
I / O 1L
I / O 0L
V CC
R / WLUB
R / WLLB
OEL
I / O 6L
I / O 5L
I / O 8L
I / O 7L
I / O 4L
A10L
A9L
A8L
A7L
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
2728 29 30 3132 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
I/O8R
I/O9R
I / O
10R
I / O
11R
I / O
12R
I / O
13R
I / O
14R
I / O
15R
GND
读/写
RUB
读/写
RLB
OE
A
10R
A9R
A
8R
A7R
A6R
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
忙
L
CE
L
CE
R
忙
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
9 8 7 6
I / O
9L
I / O
10L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
13L
I / O
14L
I / O
15L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
7C133
7C143
选购指南
7C133-25
7C143-25
最大访问时间
典型工作电流I
CC
典型待机电流为我
SB1
25
170
40
7C133-35
7C143-35
35
160
30
7C133-55
7C143-55
55
150
20
单位
ns
mA
mA
文件编号： 38-06036牧师* B
分页： 13 2
CY7C133
CY7C143
架构
该CY7C133 （主）和CY7C143 （从）由一个
中的每个双端口RAM单元的16位， 2K字阵列的I / O的
和地址线和控制信号（CE， OE ， R / W） 。这些
控制引脚允许独立访问读取或写入任何
位置在存储器中。为了处理同时写入/读取到相同的
位置，繁忙的引脚提供的每个端口上。该CY7C133和
CY7C143必须通过CE控制的自动断电功能。
每个端口具有其自己的输出使能控制（OE ），其
允许将数据从设备中读取。
一个主站和尽可能多的奴隶根据需要可
并联地连接到扩展数据总线宽度为16位
增量。主繁忙的输出连接到
奴隶的BUSY输入。写从器件必须延迟
直到后BUSY输入已解决（T
BLC
或T
BLA
） 。否则，该
从属芯片可以争期间开始写周期
的情况。
流通工作
该CY7C133 / 143具有流过的体系结构，设施
大老重复（实际上延长）的操作时，
收到丢失的端口忙。 BUSY信号应
解释为没有准备好。如果BUSY一个端口处于激活状态时，
端口应该等待BUSY变为无效，然后延长
操作它执行下一个循环。时机
图名为“定时与港到港延迟波形” illus-
trates ，其中正确的端口写入的地址的情况下，并
左端口读出相同的地址。该数据是正确的
端口刚刚写入流经左侧，并且是有效的任
t
DDD
左端口的写选通，或下降沿后
t
DDD
被写入的数据之后变得稳定。
数据保持方式
该CY7C133 / 143设计了电池备份的初衷。
数据保持电压，电源电流，保证了
温度。以下规则确保数据保存：
1.芯片使能（ CE ）必须在数据保持高举行，与 -
在V
CC
到V
CC
– 0.2V.
2. CE必须保持V之间
CC
- 0.2V和V 70 ％
CC
在上电和断电的过渡。
3. RAM就可以开始操作>吨
RC
经过V
CC
到达
最低工作电压（ 4.5V ） 。
定时
数据保持方式
V
CC
4.5V
V
CC
＆ GT ;
2.0V
4.5V
t
RC
V
IH
功能说明
写操作
数据必须被设置为T的时间
SD
上升沿之前
读/写的，以保证有效的写入。写操作
不论是由R / W引脚控制（见写周期第1波）或
CE引脚（见写周期第2波） 。两个读/写引脚（ R / W
UB
和读/写
LB
）被用于分离的IO的上和下字节。
对于非竞争的操作所需的输入归纳于
表1中。
如果一个位置被一个端口，另一写入
尝试读出该位置的端口，一个端口到端口的流通
延迟必须发生之前的数据被读出到输出;
否则数据读取不确定性。数据将是有效
在油口T
DDD
后的数据被呈现在其他端口上。
读操作
当读取装置，用户必须断言二者在OE
和CE引脚。数据将用T
ACE
CE或T后
美国能源部
之后， OE是
断言。
忙
该CY7C133 （主）提供片上仲裁解决
同时内存位置访问（争） 。
表2
显示BUSY哪里断言条件的夏日。如果两个
端口“ CE都断言和地址匹配时T内
PS
of
对方，忙逻辑将确定哪个端口访问。如果T
PS
被侵犯，一个端口肯定会获得批准的位置，但
哪一个是不可预测的。 BUSY将变吨
BLA
经过
地址匹配或T
BLC
经过CE为低电平。所有8的结果
仲裁可能性总结在
表3中。
BUSY是一个开放的
漏极输出，需要上拉电阻。
CE
V
CC
到V
CC
– 0.2V
参数
ICC
DR1
注意：
2. CE = V
CC
, V
in
= GND到V
CC
, T
A
= 25°C 。此参数是保证，但未经测试。
测试条件
[2]
@ VCC
DR
= 2V
马克斯。
1.5
单位
mA
文件编号： 38-06036牧师* B
第13 3
CY7C133
CY7C143
表1.非争鸣读/写控制
控制
读/写
LB
X
L
L
H
L
H
H
H
读/写
UB
X
L
H
L
H
L
H
H
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
L
L
H
H
L
H
I / O
0
-I / O
8
高Z
DATA IN
DATA IN
数据输出
DATA IN
高Z
数据输出
高Z
I / O
I / O
9
-I / O
17
高Z
DATA IN
数据输出
DATA IN
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
手术
取消：掉电
写两个字节
写低字节，读高字节
读低字节，写入最高字节
写低字节
写高字节
读取两个字节
高阻抗输出
表2.地址BUSY仲裁
输入
CE
L
X
H
X
L
CE
R
X
X
H
L
地址
L
地址
R
不匹配
MATCH
MATCH
MATCH
忙
L
H
H
H
注3
输出
忙
R
H
H
H
注3
正常
正常
正常
写禁止
[4]
功能
32位主/从双端口存储器系统
读/写
左
CY7C133
忙
忙
右
读/写
5V
读/写
CY7C143
忙
5V
读/写
忙
表3.仲裁结果
PORT
例
1
2
3
4
5
6
7
8
左
读
读
读
读
写
写
写
写
右
读
读
写
写
读
读
写
写
获奖端口
L
R
L
R
L
R
L
R
两个端口读
两个端口读
l端口读取OK R气口禁止写
R气口写入OK L端口的数据可能无效
l端口写入OK R气口的数据可能无效
R气口读取OK L端口写抑制
l端口写入OK R气口禁止写
R气口写入OK L端口写抑制
结果
注意事项：
3.端口仲裁的失败者将获得BUSY = “ L” （ BUSY
L
或忙
R
变为“L” ） 。忙
L
和BUSY
R
能不能同时为低电平。
4.写操作被禁止向左侧端口忙时
L
为LOW 。写操作被禁止，以正确的端口忙时
R
是低的。
文件编号： 38-06036牧师* B
第13 4
CY7C133
CY7C143
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚48至引脚24） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
.....................................................0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
................................................. 3.5V
至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0
°
C至+70
°
C
40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
7C133-25
7C143-25
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出短路
当前
[6, 7]
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
CE = V
IL
,
输出开路，女= F
MAX[8]
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
170
170
40
40
100
100
3
3
90
90
5
5
I
OL
= 4.0毫安
I
OL
= 16.0
mA
[5]
2.2
0.8
+5
+5
200
250
290
60
75
140
160
15
15
120
140
mA
mA
mA
mA
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
分钟。
2.4
0.4
0.5
V
V
A
A
mA
mA
典型值。
马克斯。
单位
V
V
待机电流两个端口， TTL CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
IH
, f = f
MAX[8]
输入
待机电流的一个端口， TTL
输入
待机电流两个端口，
CMOS输入
待机电流的一个港口，
CMOS输入
CE
L
或CE
R
＆ GT ; V
IH
，主动港
输出开路，女= F
MAX[8]
两个端口CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
CC
–
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ;
0.2V ， F = 0
I
SB4
一个端口CE
L
或CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ， Com'l
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
IND 。
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，有效输出端口打开，
f = f
MAX[8]
电气特性
在工作范围（续）
7C133-35
7C143-35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
5
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 4.0毫安
I
OL
= 16.0毫安
[5]
2.2
0.8
+5
5
分钟。
2.4
0.4
0.5
2.2
0.8
+5
典型值。
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
0.5
V
V
A
7C133-55
7C143-55
典型值。
马克斯。
单位
V
V
注意事项：
5. BUSY引脚只。
短路6.持续时间不得超过30秒钟。
7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
8.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环以1 /吨的读周期的最大频率
RC
使用AC测试波形GND的输入电平为3V 。
文件编号： 38-06036牧师* B
第13个5
QQ：2881677436 复制
