CY7C1399
32K ×8 3.3V静态RAM
特点
单3.3V电源
适用于低电压高速缓存存储器的应用
高速
- NS 12/15
低有功功率
- 255毫瓦（最大）
CMOS低待机功率（ L）
—
180
W
（最大）中，f = F
最大
2.0V数据保留（L）的
—
40
W
低功耗的α免疫细胞6T
塑料SOJ和TSOP封装
由低电平有效芯片使能（ CE）和主动提供
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。该装置
具有自动断电功能，降低功耗
取消选择时，由多于95％的消耗。
一个低电平有效写使能信号（ WE）控制写入/
读存储器的操作。当CE和WE输入
上的八个数据输入/输出管脚（都为低，数据I / O的
0
通过I / O
7
）写入到由寻址的存储器位置
地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现
并启用输出， CE和OE低电平有效，虽然我们
保持非活动状态还是很高的。在这些条件下， CON组
位置帐篷解决了地址上的信息
引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。该CY7C1399采用28针标准可用
300密耳宽SOJ和TSOP I型包。
功能说明
该CY7C1399是一个高性能的3.3V的CMOS静态随机存取存储器
由8位， 32,768字。易内存扩展
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
行解码器
I / O
2
检测放大器
32K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
C1399–2
I / O
5
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
C1399–1
选购指南
7C1399–12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（ μA ）
最大的CMOS待机电流（ μA ）长
12
60
500
50
7C1399–15
15
55
500
50
7C1399–20
20
50
500
50
7C1399–25
25
45
500
50
7C1399–35
35
40
500
50
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1999年3月25日
CY7C1399
引脚配置
TSOP
顶视图
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
C1399–3
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
3.3V
±300
mV
3.3V
±300
mV
电气特性
在整个工作范围
[1]
7C1399–12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[2]
V
CC
操作
电源电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
L
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+5
–300
60
5
3
500
50
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C1399–15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+5
–300
55
5
3
500
50
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C1399–20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+5
–300
50
5
3
500
50
A
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
自动CE掉电最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
,
电流 - TTL输入
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
,f = f
最大
自动CE掉电最大。 V
CC
，CE
≥
V
CC
– 0.3V, V
IN
≥
电流 - CMOS输入
[3]
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V,
L
WE
≥V
CC
- 0.3V或WE
≤0.3V,
f=f
最大
注意事项：
1.最小电压为 - 2.0V少于20ns的脉冲持续时间。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
3.器件消耗低待机电流，无论在地址转换。
2
CY7C1399
电气特性
在工作范围（续）
7C1399–25
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
输出短路
当前
[2]
V
CC
操作
电源电流
CE自动断电
电流 - TTL输入
CE自动断电
电流 - CMOS输入
[3]
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
,
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
，CE
≥
V
CC
–0.3V, V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V,
WE = V
CC
- 0.3V或0.3V WE≤ ，
f=f
最大
L
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+5
–300
45
5
3
500
L
50
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C1399–35
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+5
–300
40
5
3
500
50
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
A
A
I
SB2
电容
[4]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
输出电容
描述
输入电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
5
6
6
单位
pF
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 317
3.3V
产量
C
L
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
戴维南等效
167
产量
1.73V
R2
351
3.0V
10%
GND
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
≤
3纳秒
C1399–4
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
3
CY7C1399
开关特性
在整个工作范围
[5]
7C1399–12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
7C1399–15
分钟。
15
马克斯。
7C1399–20
分钟。
20
马克斯。
7C1399–25
分钟。
25
马克斯。
7C1399–35
分钟。
35
马克斯。
单位
ns
35
3
35
10
0
7
3
8
0
35
35
20
20
0
0
20
12
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
3
ns
ns
描述
分钟。
12
马克斯。
12
3
12
5
0
5
3
6
0
12
12
8
8
0
0
8
7
0
7
3
3
15
10
10
0
0
10
8
0
0
3
0
3
15
3
15
6
0
6
3
7
0
15
20
12
12
0
0
12
10
0
7
3
20
3
20
7
0
6
3
7
0
20
25
15
15
0
0
15
11
0
7
3
25
25
8
7
8
25
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[8]
WE高到低Z
[6]
写周期
[8, 9]
7
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[4]
t
R[4]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
分钟。
2.0
200
20
0
t
RC
马克斯。
单位
V
A
A
ns
ns
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和电容C
L
= 30 pF的。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
4
QQ：2881677436 复制
