初步
CY7C1399D
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C1399B
单3.3V电源
适用于低电压高速缓存存储器的应用
高速
— t
AA
= 8纳秒
低有功功率
— I
CC
= 60毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 1.2 MA（ “L”版本）
数据保持在2.0V
采用28 SOJ和28 TSOP I无铅封装
功能说明
[1]
该CY7C1399D是一个高性能的3.3V的CMOS静态
内存由8位， 32,768字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片使能（CE ）提供及
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。该
设备具有自动断电功能，减少了
功耗取消的时候。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置
通过地址本上的地址引脚（A解决
0
至A
14
） 。读取装置，通过选择完成
该设备并启用输出， CE和OE低电平有效，
虽然我们仍然处于非活动状态还是很高的。在这些条件下
的位置通过对信息处理的内容
地址引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。该CY7C1399D是28针标准可用
300密耳宽SOJ和TSOP I型无铅封装。
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
行解码器
I / O
2
检测放大器
32K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
10
A
11
A
12
A
13
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
14
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05467牧师* C
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年1月10日
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
CY7C1399D
直流输入电压
[2]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
3.3V
±300
mV
3.3V
±300
mV
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
电气特性
在整个工作范围
7C1399D-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路
当前
[3]
V
CC
工作电源
当前
CE自动断电
电流 - TTL输入
CE自动断电
电流 - CMOS输入
[4]
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
,
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
,f = f
最大
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
–300
60
10
L
10
3.0
1.2
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
7C1399D-12
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
–300
50
10
10
3.0
1.2
7C1399D-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
CE自动断电
电流 - TTL输入
CE自动断电
电流 - CMOS输入
[4]
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
,
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
L
输出短路电流
[3]
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
–300
40
10
10
3.0
1.2
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
最大。 V
CC
，CE
≥
V
CC
– 0.3V, V
IN
≥
V
CC
–
0.3V或V
IN
≤
0.3V,
L
WE
≥V
CC
- 0.3V或WE
≤0.3V,
f = f
最大
最大。 V
CC
，CE
≥
V
CC
–0.3V, V
IN
≥
V
CC
–
0.3V或V
IN
≤
0.3V ， WE≥V
CC
-0.3V或
L
WE≤ 0.3V ，女= F
最大
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
4.器件消耗低待机电流，无论在地址转换。
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05467牧师* C
第10 3
初步
电容
[5]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
输出电容
描述
输入电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
5
6
6
CY7C1399D
单位
pF
pF
pF
热阻
[5]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[5]
热阻
（结点到外壳）
[5]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
ALL - 套餐
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
10 ns的设备
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
Z = 50
12 -NS设备
R1 317
30 pF的*
3.3V
产量
30pF
R2
351
(a)
相当于：
戴维南等效
167
产量
1.73V
INCLUDING
夹具
范围
(b)
高阻抗特性：
R1 317
所有的输入脉冲
3.0V
10%
GND
≤
3纳秒
90%
90%
10%
≤
3纳秒
3.3V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(c)
R2
351
(d)
开关特性
在整个工作范围
[7]
1399D-10
参数
读周期
t
power[6]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高到高Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
3
0
5
3
3
10
5
0
5
3
100
10
10
3
12
5
0
6
100
12
12
3
15
6
100
15
15
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
1399D-12
分钟。
马克斯。
1399D-15
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
6. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
7.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和电容C
L
= 30 pF的。
文件编号： 38-05467牧师* C
第10 4
初步
开关特性
在工作范围（续）
[7]
1399D-10
参数
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[10]
我们前高后低
Z
[8]
3
10
8
7
0
0
7
5
0
7
3
12
8
8
0
0
8
7
0
7
3
15
10
10
0
0
10
8
0
描述
CE高到高阻
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
0
10
分钟。
马克斯。
5
0
12
1399D-12
分钟。
马克斯。
6
0
CY7C1399D
1399D-15
分钟。
马克斯。
7
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
ns
ns
注意事项：
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
10.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号终止
由高去写。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05467牧师* C
第10个5
QQ：2880707522 复制
