CY7C1399BN
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
单3.3V电源
适用于低电压高速缓存存储器的应用
高速： 12纳秒
低有功功率
- 180毫瓦（最大）
低功耗的α免疫细胞6T
提供无铅和无无铅塑料SOJ和
TSOP I包
膨胀是由一个低有效芯片使能（CE ）提供及
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。该
设备具有自动断电功能，减少了
取消选择时的功耗的95％以上。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置
通过地址本上的地址引脚（A解决
0
至A
14
） 。读取装置，通过选择完成
该设备并启用输出， CE和OE低电平有效，
虽然我们仍然处于非活动状态还是很高的。在这些条件下
的位置通过对信息处理的内容
地址引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。该CY7C1399BN提供28引脚
标准的300密耳宽SOJ和TSOP I型包。
功能说明
[1]
该CY7C1399BN是一个高性能的3.3V的CMOS静态
内存由8位， 32,768字。容易记忆
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
行解码器
I / O
2
检测放大器
32K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
10
A
11
A
12
A
13
选购指南
-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（ μA ）
广告
商业（ L）
产业
汽车-A
12
55
500
50
500
-15
15
50
500
50
500
500
-20
20
45
500
50
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
14
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06490修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月31日
CY7C1399BN
引脚配置
TSOP
顶视图
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC输入
电压
[2]
.................................–0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
3.3V
±300
mV
电气特性
在整个工作范围
[1]
-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流 -
TTL输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
[3]
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
,
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
,
f = f
最大
Comm'l
Comm'l （L）的
Ind'l
自动-A
I
SB2
最大。 V
CC
，CE
≥
V
CC
- 0.3V ， Comm'l
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V,
Comm'l （L）的
WE
≥V
CC
- 0.3V或WE
≤
0.3V,
Ind'l
f = f
最大
自动-A
注意事项：
2.最小电压等于 - 2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.器件消耗低待机电流，无论在地址转换。
-15
分钟。马克斯。
2.4
0.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–5
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+5
50
5
4
5
5
500
50
500
500
50
500
500
2.2
2.4
-20
分钟。
MAX 。 UNIT
V
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+5
45
5
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+5
55
5
4
5
–0.3
–1
–5
500
A
A
A
A
文件编号： 001-06490修订版**
第2页8
CY7C1399BN
电容
[4]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
输出电容
描述
输入电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
5
6
6
单位
pF
pF
pF
交流测试负载和波形
[5]
3.3V
产量
INCLUDING
夹具
范围
C
L
R2
351
R1 317
3.0V
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
≤
3纳秒
相当于：
产量
THVENINEQUIVALENT
167
1.73V
≤
3纳秒
开关特性
在整个工作范围
[5]
-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[8]
WE高到低Z
[6]
3
12
8
8
0
0
8
7
0
7
3
0
12
15
10
10
0
0
10
8
0
7
3
3
6
0
15
20
12
12
0
0
12
10
0
7
0
5
3
7
0
20
3
12
5
0
6
3
7
12
12
3
15
6
0
6
15
15
3
20
7
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
写周期
[8, 9]
注意事项：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和电容C
L
= 30 pF的。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-06490修订版**
第3页8
CY7C1399BN
开关波形
（续）
写周期号1 （我们控制）
[8, 13, 14]
t
WC
地址
CE
t
AW
WE
t
SA
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注15
t
HZOE
数据
IN
有效
t
HD
写周期号2 （ CE控制）
[8, 13, 14]
t
WC
地址
CE
t
SA
t
AW
WE
t
SD
数据I / O
数据
IN
有效
t
HD
t
HA
t
SCE
写周期第3号（我们控制， OE低）
[9, 14]
t
WC
地址
CE
t
AW
WE
t
SA
t
HA
t
SD
数据I / O
注15
t
HZWE
注意事项：
13.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
14.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
15.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
t
HD
数据
IN
有效
t
LZWE
文件编号： 001-06490修订版**
第5页8
CY7C1399BN
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
单3.3V电源
适用于低电压高速缓存存储器的应用
高速： 12纳秒
低有功功率
- 180毫瓦（最大）
低功耗的α免疫细胞6T
提供无铅和无无铅塑料SOJ和
TSOP I包
膨胀是由一个低有效芯片使能（CE ）提供及
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。该
设备具有自动断电功能，减少了
取消选择时的功耗的95％以上。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置
通过地址本上的地址引脚（A解决
0
至A
14
） 。读取装置，通过选择完成
该设备并启用输出， CE和OE低电平有效，
虽然我们仍然处于非活动状态还是很高的。在这些条件下
的位置通过对信息处理的内容
地址引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。该CY7C1399BN提供28引脚
标准的300密耳宽SOJ和TSOP I型包。
功能说明
[1]
该CY7C1399BN是一个高性能的3.3V的CMOS静态
内存由8位， 32,768字。容易记忆
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
行解码器
I / O
2
检测放大器
32K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
10
A
11
A
12
A
13
选购指南
-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（ μA ）
广告
商业（ L）
产业
汽车-A
12
55
500
50
500
-15
15
50
500
50
500
500
-20
20
45
500
50
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
14
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06490修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月31日
[+ ]反馈
CY7C1399BN
引脚配置
TSOP
顶视图
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC输入
电压
[2]
.................................–0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
3.3V
±300
mV
电气特性
在整个工作范围
[1]
-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流 -
TTL输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
[3]
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
,
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
,
f = f
最大
Comm'l
Comm'l （L）的
Ind'l
自动-A
I
SB2
最大。 V
CC
，CE
≥
V
CC
- 0.3V ， Comm'l
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V,
Comm'l （L）的
WE
≥V
CC
- 0.3V或WE
≤
0.3V,
Ind'l
f = f
最大
自动-A
注意事项：
2.最小电压等于 - 2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.器件消耗低待机电流，无论在地址转换。
-15
分钟。马克斯。
2.4
0.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–5
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+5
50
5
4
5
5
500
50
500
500
50
500
500
2.2
2.4
-20
分钟。
MAX 。 UNIT
V
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+5
45
5
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+5
55
5
4
5
–0.3
–1
–5
500
A
A
A
A
文件编号： 001-06490修订版**
第2页8
[+ ]反馈
CY7C1399BN
电容
[4]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
输出电容
描述
输入电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
5
6
6
单位
pF
pF
pF
交流测试负载和波形
[5]
3.3V
产量
INCLUDING
夹具
范围
C
L
R2
351
R1 317
3.0V
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
≤
3纳秒
相当于：
产量
THVENINEQUIVALENT
167
1.73V
≤
3纳秒
开关特性
在整个工作范围
[5]
-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[8]
WE高到低Z
[6]
3
12
8
8
0
0
8
7
0
7
3
0
12
15
10
10
0
0
10
8
0
7
3
3
6
0
15
20
12
12
0
0
12
10
0
7
0
5
3
7
0
20
3
12
5
0
6
3
7
12
12
3
15
6
0
6
15
15
3
20
7
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
写周期
[8, 9]
注意事项：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和电容C
L
= 30 pF的。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-06490修订版**
第3页8
[+ ]反馈
CY7C1399BN
开关波形
（续）
写周期号1 （我们控制）
[8, 13, 14]
t
WC
地址
CE
t
AW
WE
t
SA
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注15
t
HZOE
数据
IN
有效
t
HD
写周期号2 （ CE控制）
[8, 13, 14]
t
WC
地址
CE
t
SA
t
AW
WE
t
SD
数据I / O
数据
IN
有效
t
HD
t
HA
t
SCE
写周期第3号（我们控制， OE低）
[9, 14]
t
WC
地址
CE
t
AW
WE
t
SA
t
HA
t
SD
数据I / O
注15
t
HZWE
注意事项：
13.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
14.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
15.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
t
HD
数据
IN
有效
t
LZWE
文件编号： 001-06490修订版**
第5页8
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