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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1143页 > CY7C1355B-100BGC
CY7C1355B
CY7C1357B
9 -MB ( 256K ×36 / 512K ×18 )流通型
SRAM与NOBL 架构
特点
无总线延迟 ( NOBL )架构消除
读写周期之间的死循环。
可支持高达133 MHz的总线操作零
等待状态
- 数据传送在每个时钟
引脚兼容,功能上等同于ZBT
器件
内部自定时输出缓冲控制,以消除
需要使用参考
注册的投入流通型操作
字节写能力
3.3V / 2.5V的I / O电源
快速时钟到输出时间
- 6.5纳秒( 133 - MHz器件)
- 7.0纳秒( 117 - MHz器件)
- 7.5纳秒( 100 - MHz器件)
时钟使能( CEN )引脚使能时钟和暂停
手术
同步自定时写
异步输出使能
在提供的JEDEC标准的100 TQFP , 119球BGA和
165球FBGA封装
三个芯片使简单的深度扩展。
使用ZZ自动断电功能可
模式或CE取消。
用于BGA和FBGA封装JTAG边界扫描
连拍能力直线或交错突发订单
低待机功耗
功能说明
[1]
该CY7C1355B / CY7C1357B是3.3V , 256K ×36 / 512K ×18
同步流通式突发SRAM专
支持真正的无限回至后端的读/写操作
没有
插入
of
等待
状态。
CY7C1355B / CY7C1357B配备有先进无
总线延迟( NOBL )逻辑才能启用连续
读/写操作与正在传输的每个数据
时钟周期。该功能极大地提高了吞吐量
通过SRAM数据,特别是在需要的系统的
频繁的写 - 读过渡。
所有同步输入通过输入寄存器控制
通过在时钟的上升沿。时钟输入由合格
时钟使能( CEN )的信号,当其无效
暂停操作和扩展了前面的时钟周期。
从时钟的上升最高接入时延是6.5纳秒( 133 - MHz的
装置) 。
写操作是由两个或四个字节写入控制
选择( BW
X
)和写使能( WE)输入。所有的写操作
带有片上同步自定时写电路进行。
三个同步芯片启用( CE
1
,CE
2
,CE
3
)和一个
异步输出使能( OE )为方便银行
选择和输出三态控制。为了避免总线
争时,输出驱动器同步三态
在写过程的数据部分。
选购指南
133兆赫
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
6.5
250
30
117兆赫
7.0
220
30
100兆赫
7.5
180
30
单位
ns
mA
mA
注意:
1.对于最佳实践的建议,请参阅赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
在www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05117牧师* B
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年1月27日
CY7C1355B
CY7C1357B
1
逻辑框图 - CY7C1355B ( 256K ×36 )
A0, A1, A
模式
CLK
CEN
C
CE
ADV / LD
C
写地址
注册
地址
注册
A1
D1
A0
D0
Q1 A1 “
A0'
Q0
BURST
逻辑
ADV / LD
BW
A
BW
B
A0, A1, A
BW
C
写入注册表
地址
与数据一致性
控制逻辑
A1
注册
DRIVERS
内存
ARRAY
S
E
N
S
E
A
M
P
S
D
A
T
A
S
T
E
E
R
I
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G
O
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B
U
F
F
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S
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模式
BW
D
CLK
CEN
WE
C
D1
A0
D0
CE
ADV / LD
C
写地址
注册
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逻辑
Q1 A1 “
A0'
Q0
的DQ
DQP
A
DQP
B
DQP
C
DQP
D
OE
CE1
CE2
CE3
ZZ
输入
E
注册
读逻辑
ADV / LD
BW
A
2
睡觉
控制
BW
B
逻辑框图 - CY7C1357B ( 512K ×18 )
WE
A0, A1, A
模式
CLK
CEN
C
CE
ADV / LD
C
写地址
读逻辑
注册
地址
注册
A1
D1
A0
D0
Q1 A1 “
A0'
Q0
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
DRIVERS
内存
ARRAY
S
E
N
S
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A
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P
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D
A
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A
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B
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逻辑
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CE1
CE2
CE3
ZZ
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注册
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睡觉
控制
ADV / LD
BW
A
BW
B
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
DRIVERS
内存
ARRAY
S
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A
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A
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R
I
N
G
的DQ
DQP
A
DQP
B
WE
OE
CE1
CE2
CE3
ZZ
输入
E
注册
读逻辑
睡觉
控制
文件编号: 38-05117牧师* B
第33 2
CY7C1355B
CY7C1357B
销刀豆网络gurations
100引脚TQFP
BW
B
BW
A
CE
1
CE
2
CE
3
V
DD
V
SS
NC / 18M
BW
D
BW
C
CEN
CLK
ADV / LD
WE
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A
82
100
A
99
A
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
A
字节
BYTE
DQP
C
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
V
SS
DQ
C
DQ
C
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C
DQ
C
V
SS
V
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C
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C
VSS / DNU
V
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NC
V
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1
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16
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19
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28
29
30
31
32
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38
81
A
CY7C1355B
80
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46
47
48
49
50
DQP
B
DQ
B
DQ
B
V
DDQ
V
SS
DQ
B
DQ
B
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B
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B
V
SS
V
DDQ
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B
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B
V
SS
NC
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ZZ
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A
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DDQ
V
SS
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A
DQ
A
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A
DQ
A
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SS
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DDQ
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一个字节
39
40
41
V
DD
A1
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NC / 144M
V
SS
42
NC / 72M
NC / 36M
模式
A
A
A
A
A
A
A
文件编号: 38-05117牧师* B
A
A
A
A
第33 3
CY7C1355B
CY7C1357B
销刀豆网络gurations
(续)
100引脚TQFP
BW
B
BW
A
CE
1
CE
2
CE
3
V
DD
V
SS
NC / 18M
CEN
CLK
ADV / LD
WE
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NC
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A
82
100
A
99
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98
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94
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90
89
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85
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A
NC
NC
NC
V
DDQ
V
SS
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B
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B
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DDQ
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B
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B
VSS / DNU
V
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V
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B
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B
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SS
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NC
NC
BYTE B
1
2
3
4
5
6
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8
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12
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14
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37
38
81
A
CY7C1357B
80
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51
43
44
45
46
47
48
49
50
A
NC
NC
V
DDQ
V
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A
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ZZ
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NC
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SS
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DDQ
NC
NC
NC
一个字节
39
40
41
V
DD
A1
A0
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NC / 144M
V
SS
42
NC / 72M
NC / 36M
模式
A
A
A
A
A
A
A
文件编号: 38-05117牧师* B
A
A
A
A
第33 4
CY7C1355B
CY7C1357B
销刀豆网络gurations
(续)
119球BGA ( 3芯片实现与JTAG )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQ
C
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C
V
DDQ
DQ
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C
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NC
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2
A
CE
2
A
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C
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C
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1
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A
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V
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CLK
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A
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V
SS
V
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V
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B
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NC
V
SS
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V
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V
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V
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A
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6
A
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3
A
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B
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B
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B
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A
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A
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NC
7
V
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A
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A
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V
DDQ
CY7C1357B ( 512K ×18 )
1
A
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V
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NC
V
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V
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NC / 72M
V
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A
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B
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4
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V
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A
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V
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5
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NC
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A
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V
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V
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A
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6
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3
A
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A
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7
V
DDQ
NC
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DDQ
NC
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A
NC
ZZ
V
DDQ
文件编号: 38-05117牧师* B
第33 5
CY7C1355B
CY7C1357B
9 -MB ( 256K ×36 / 512K ×18 )流通型
SRAM与NOBL 架构
特点
无总线延迟 ( NOBL )架构消除
读写周期之间的死循环。
可支持高达133 MHz的总线操作零
等待状态
- 数据传送在每个时钟
引脚兼容,功能上等同于ZBT
器件
内部自定时输出缓冲控制,以消除
需要使用参考
注册的投入流通型操作
字节写能力
3.3V / 2.5V的I / O电源
快速时钟到输出时间
- 6.5纳秒( 133 - MHz器件)
- 7.0纳秒( 117 - MHz器件)
- 7.5纳秒( 100 - MHz器件)
时钟使能( CEN )引脚使能时钟和暂停
手术
同步自定时写
异步输出使能
在提供的JEDEC标准的100 TQFP , 119球BGA和
165球FBGA封装
三个芯片使简单的深度扩展。
使用ZZ自动断电功能可
模式或CE取消。
用于BGA和FBGA封装JTAG边界扫描
连拍能力直线或交错突发订单
低待机功耗
功能说明
[1]
该CY7C1355B / CY7C1357B是3.3V , 256K ×36 / 512K ×18
同步流通式突发SRAM专
支持真正的无限回至后端的读/写操作
没有
插入
of
等待
状态。
CY7C1355B / CY7C1357B配备有先进无
总线延迟( NOBL )逻辑才能启用连续
读/写操作与正在传输的每个数据
时钟周期。该功能极大地提高了吞吐量
通过SRAM数据,特别是在需要的系统的
频繁的写 - 读过渡。
所有同步输入通过输入寄存器控制
通过在时钟的上升沿。时钟输入由合格
时钟使能( CEN )的信号,当其无效
暂停操作和扩展了前面的时钟周期。
从时钟的上升最高接入时延是6.5纳秒( 133 - MHz的
装置) 。
写操作是由两个或四个字节写入控制
选择( BW
X
)和写使能( WE)输入。所有的写操作
带有片上同步自定时写电路进行。
三个同步芯片启用( CE
1
,CE
2
,CE
3
)和一个
异步输出使能( OE )为方便银行
选择和输出三态控制。为了避免总线
争时,输出驱动器同步三态
在写过程的数据部分。
选购指南
133兆赫
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
6.5
250
30
117兆赫
7.0
220
30
100兆赫
7.5
180
30
单位
ns
mA
mA
注意:
1.对于最佳实践的建议,请参阅赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
在www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05117牧师* B
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年1月27日
CY7C1355B
CY7C1357B
1
逻辑框图 - CY7C1355B ( 256K ×36 )
A0, A1, A
模式
CLK
CEN
C
CE
ADV / LD
C
写地址
注册
地址
注册
A1
D1
A0
D0
Q1 A1 “
A0'
Q0
BURST
逻辑
ADV / LD
BW
A
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B
A0, A1, A
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地址
与数据一致性
控制逻辑
A1
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DRIVERS
内存
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C
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注册
BURST
逻辑
Q1 A1 “
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OE
CE1
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输入
E
注册
读逻辑
ADV / LD
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A
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控制
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B
逻辑框图 - CY7C1357B ( 512K ×18 )
WE
A0, A1, A
模式
CLK
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C
CE
ADV / LD
C
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读逻辑
注册
地址
注册
A1
D1
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Q1 A1 “
A0'
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写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
DRIVERS
内存
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S
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逻辑
OE
CE1
CE2
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睡觉
控制
ADV / LD
BW
A
BW
B
写入注册表
与数据一致性
控制逻辑
DRIVERS
内存
ARRAY
S
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A
M
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A
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A
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A
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B
WE
OE
CE1
CE2
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ZZ
输入
E
注册
读逻辑
睡觉
控制
文件编号: 38-05117牧师* B
第33 2
CY7C1355B
CY7C1357B
销刀豆网络gurations
100引脚TQFP
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B
BW
A
CE
1
CE
2
CE
3
V
DD
V
SS
NC / 18M
BW
D
BW
C
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ADV / LD
WE
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98
97
96
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94
93
92
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90
89
88
87
86
85
84
83
A
字节
BYTE
DQP
C
DQ
C
DQ
C
V
DDQ
V
SS
DQ
C
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C
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C
DQ
C
V
SS
V
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C
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VSS / DNU
V
DD
NC
V
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第33 3
CY7C1355B
CY7C1357B
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NC
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40
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文件编号: 38-05117牧师* B
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第33 4
CY7C1355B
CY7C1357B
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ZZ
V
DDQ
文件编号: 38-05117牧师* B
第33 5
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