CY7C135
CY7C1342
4K ×8双端口静态RAM和4K ×8
双端口SRAM与信号灯
特点
真正的双端口存储器单元允许simulta-
neous读取相同的内存位置
4K ×8的组织
0.65微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速访问： 15纳秒
低工作功耗：我
CC
= 160毫安（最大）
完全异步操作
自动断电
信号量包含在7C1342以允许软件
端口之间的握手
提供52引脚PLCC
无铅封装
功能说明
该CY7C135和CY7C1342是高速CMOS 4K ×8
双口静态RAM 。该CY7C1342包括信号灯
提供给分配的双端口RAM的部分的装置
或任何共享资源。提供两个端口允许
自主，异步访问读取和写入
在内存中的任何位置。应用领域包括interpro-
处理器/多处理器设计，通信状态
缓冲和双端口视频/图形内存。
每个端口都有独立的控制引脚：芯片使能（ CE ） ，
读或写使能（ R / W） ，并输出使能（OE ） 。该
CY7C135适于那些不需要系统
芯片上的仲裁或不能耐受的等待状态。因此，
用户必须注意，同时访问的位置
是可能的。信号量提供的CY7C1342到
协助港口之间进行仲裁。该信号的逻辑是
由八个共享锁。只有一方可以控制
锁存器（信号量）在任何时间。信号量的控制
表示共享资源在使用中。自动
掉电功能每个端口上独立控制
由芯片使能（ CE ）引脚或SEM引脚（ CY7C1342只） 。
该CY7C135和CY7C1342是52引脚PLCC可用。
逻辑框图
读/写
L
CE
L
OE
L
读/写
R
CE
R
OE
R
I / O
7L
I / O
0L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
7R
I / O
0R
A
11L
A
0L
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
解码器
A
11R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
SEMAPHORE
仲裁
（仅7C1342 ）
CE
R
OE
R
读/写
R
（仅7C1342 ）
SEM
R
（仅7C1342 ），扫描电镜
L
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06038牧师* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2005年9月6日
CY7C135
CY7C1342
选购指南
最大访问时间
最大工作
当前
最长待机
目前的我
SB1
7C135-15
7C1342-15
15
220
60
7C135-20
7C1342-20
20
190
50
7C135-25
7C1342-25
25
180
40
7C135-35
7C1342-35
35
160
30
7C135-55
7C1342-55
55
160
30
单位
ns
mA
mA
广告
广告
销刀豆网络gurations
PLCC
顶视图
CER
读/写
R
N / C
A11R
A10R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
NC
I / O
7R
CER
读/写
R
SEMR
A11R
A10R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
NC
I / O
7R
A
11L
N / C
读/写
L
CEL
VCC
SEM L
读/写
L
CEL
VCC
A0L
OEL
A
10L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
7C135
40
39
38
37
36
35
34
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
NC
GND
I/O0R
I/O1R
I/O2R
I/O3R
I/O4R
I/O5R
I/O6R
I/O4L
I/O5L
I/O6L
I/O7L
A0L
OEL
A
10L
A
11L
PLCC
顶视图
7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
7C1342
40
39
38
37
36
35
34
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
NC
GND
I/O0R
I/O1R
I/O2R
I/O3R
I/O4R
I/O5R
I/O6R
引脚德网络nitions
左侧端口
A
0L–11L
CE
L
OE
L
读/写
L
正确的端口
A
0R–11R
CE
R
OE
R
读/写
R
地址线
芯片使能
OUTPUT ENABLE
读/写使能
描述
SEM
R
信号灯启用。当低电平时，允许访问八个信号灯。三
SEM
L
（ CY7C1342只）（ CY7C1342只）至少显著地址线的位将确定哪个信号量，以便写入或读出。
在I / O
0
引脚被写入信号时使用。信号量是由写作要求
一个0到相应的位置。
文件编号： 38-06038牧师* C
第12页2
I/O4L
I/O5L
I/O6L
I/O7L
CY7C135
CY7C1342
最大额定值
[1]
储存温度..................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用..............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚48至引脚24） ........................................... 。 -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. .. -0.5V至+ 7.0V
DC输入
电压
[2]
......................................... -3.0V至+ 7.0V
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
7C135-15
7C1342-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
工作电流
待机电流
（两个端口TTL电平）
待机电流
（一个端口TTL电平）
GND
≤
V
I
≤
V
CC
输出禁用，
GND
≤
V
O
≤
V
CC
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
,
f = f
MAX[3]
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
,
f = f
MAX[3]
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
125
115
15
15
130
120
60
50
–10
–10
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
2.2
0.8
+10
+10
220
–10
–10
2.4
0.4
2.2
0.8
+10
+10
190
–10
–10
7C135-20
7C1342-20
2.4
0.4
2.2
0.8
+10
+10
180
190
40
50
110
120
15
30
100
115
mA
mA
mA
mA
7C135-25
7C1342-25
2.4
0.4
V
V
V
V
A
A
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
待机电流
两个端口CE和CE
R
≥
（这两个端口CMOS电平）V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.2V
或V
IN
≤
0.2V ， F = 0
[3]
待机电流
（一个端口CMOS电平）
一个端口CE
L
or
CE
R
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V,
活动端口输出，
f = f
MAX[3]
I
SB4
注意事项：
1.任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
2.脉冲宽度< 20纳秒。
3. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。 F = 0表示无地址或控制线变化。这仅适用于在输入CMOS电平
待我
SB3
.
文件编号： 38-06038牧师* C
第12页3
CY7C135
CY7C1342
电气特性
在工作范围（续）
7C135-35
7C1342-35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
工作电流
待机电流
（两个端口TTL电平）
待机电流
（一个端口TTL电平）
GND
≤
V
I
≤
V
CC
输出禁用， GND
≤
V
O
≤
V
CC
V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
, f = f
MAX[3]
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
, f = f
MAX[3]
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
–10
–10
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
2.2
0.8
+10
+10
160
180
30
40
100
110
15
30
90
100
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
2.2
0.8
+10
+10
160
180
30
40
100
110
15
30
90
100
mA
mA
mA
mA
马克斯。
7C135-55
7C1342-55
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
待机电流
两个端口CE和CE
R
≥
V
CC
– 0.2V,
（这两个端口CMOS电平）V
IN
≥
V
CC
– 0.2V
或V
IN
≤
0.2V ， F = 0
[3]
待机电流
（一个端口CMOS电平）
一个端口CE
L
或CE
R
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V,
有源端口输出，女= F
MAX[3]
I
SB4
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
R1 = 893
产量
C = 30 pF的
R1 = 347
产量
C = 30 pF的
V
TH
= 1.4V
（一）正常负载（负载1 ）
（二）戴维宁等效（负载1 ）
R
TH
= 250
产量
C = 5 pF的
R
TH
= 250
V
X
（三）三态延迟（负载3 ）
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
90%
90%
10%
≤
3纳秒
≤
3纳秒
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-06038牧师* C
第12页4
CY7C135
CY7C1342
开关特性
在整个工作范围
[5]
7C135-15
7C1342-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE[6,7,8]
t
HZOE[6,7,8]
t
LZCE[6,7,8]
t
HZCE[6,7,8]
t
PU[8]
t
PD[8]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE[7,8]
t
LZWE[7,8]
t
WDD[9]
t
DDD[9]
读周期时间
地址到数据有效
从地址输出保持
变化
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE低到通电
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
把脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
写脉冲数据延迟
写数据有效读取数据
有效
SEM标志更新脉冲
（ OE或SEM ）
SEM标志写阅读时间
SEM国旗竞争窗口
10
5
5
3
30
25
15
12
12
2
0
12
10
0
10
3
40
30
0
15
20
15
15
2
0
15
13
0
13
3
50
30
3
10
0
20
25
20
20
2
0
20
15
0
15
3
60
35
3
10
3
13
0
25
35
30
30
2
0
25
15
0
20
3
70
40
3
15
10
3
13
3
15
0
35
55
50
50
2
0
50
25
0
25
15
15
3
20
13
3
15
3
20
0
55
20
20
3
25
15
3
20
3
25
25
25
3
35
20
3
25
35
35
3
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C135-20
7C1342-20
分钟。
马克斯。
7C135-25
7C1342-25
分钟。
马克斯。
7C135-35
7C1342-35
分钟。
马克斯。
7C135-55
7C1342-55
分钟。
马克斯。
单位
写周期
SEMAPHORE时序
[10]
t
SOP
t
SWRD
t
SPS
10
5
5
10
5
5
15
5
5
15
5
5
ns
ns
ns
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
使用7.测试条件负载3 。
8.此参数是保证，但未经测试。
9.有关端口到端口延迟通过RAM单元的信息写入端口读取端口，请参阅读取时序与端口到端口延迟波形。
10.信号灯时间仅适用于CY7C1342 。
文件编号： 38-06038牧师* C
第12页5
CY7C135
CY7C1342
4K ×8双端口静态RAM和4K ×8双端口
SRAM与信号灯
特点
真正的双端口存储器单元允许simulta-
neous读取相同的内存位置
4K ×8的组织
0.65微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速访问： 15纳秒
较低的工作功耗：我
CC
= 160毫安（最大）
完全异步操作
自动断电
信号量包含在7C1342以允许软件
端口之间的握手
可提供52引脚PLCC
功能说明
该CY7C135和CY7C1342是高速CMOS 4K ×8
双口静态RAM 。该CY7C1342包括信号灯
提供给分配的双端口RAM的部分的装置
或任何共享资源。两个端口的可允许IN-
供养，异步访问读取和写入任何
位置在存储器中。应用领域包括interproces-
SOR /多处理器设计，通讯状态缓冲，
和双端口视频/图形内存。
每个端口都有独立的控制引脚：芯片使能（ CE ） ，
读或写使能（ R / W） ，并输出使能（OE ） 。该
CY7C135适于那些不需要系统
芯片上的仲裁或不能耐受的等待状态。因此，
用户必须注意，同时访问的位置
是可能的。信号量提供的CY7C1342到AS-i
SIST港口之间进行仲裁。信号灯逻辑的COM -
珍贵的八共享锁。只有一侧可控制
锁存器（信号量），在任何时候。信号量indi-控制
凯茨该共享资源在使用中。自动pow-
呃向下功能是通过一个独立地控制每个端口上
芯片使能（ CE ）引脚或SEM引脚（仅CY7C1342 ） 。
该CY7C135和CY7C1342是52引脚PLCC可用。
逻辑框图
读/写
L
CE
L
OE
L
读/写
R
CE
R
OE
R
I / O
7L
I / O
0L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
7R
I / O
0R
A
11L
A
0L
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
解码器
A
11R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
SEMAPHORE
仲裁
（仅7C1342 ）
CE
R
OE
R
读/写
R
（仅7C1342 ）
（仅7C1342 ），扫描电镜
L
SEM
R
1342–1
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06038牧师* B
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2004年6月22日
CY7C135
CY7C1342
选购指南
7C135–15
7C1342–15
15
220
60
7C135–20
7C1342–20
20
190
50
7C135–25
7C1342–25
25
180
40
7C135–35
7C1342–35
35
160
30
7C135–55
7C1342–55
55
160
30
最大访问时间（纳秒）
最大工作
广告
电流（mA ）
最长待机
广告
目前的我
SB1
（MA ）
销刀豆网络gurations
PLCC
顶视图
CER
读/写
R
N / C
A11R
A10R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
NC
I / O
7R
A0L
OEL
A
10L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
A
11L
N / C
读/写
L
CEL
VCC
7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
7C135
40
39
38
37
36
35
34
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
NC
GND
I/O0R
I/O1R
I/O2R
I/O3R
I/O4R
I/O5R
I/O6R
I / O 4L
I / O 5L
I / O 6L
I / O 7L
1342–3
PLCC
顶视图
CER
读/写
R
SEMR
A11R
A10R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
NC
I / O
7R
A0L
OEL
A
10L
A
11L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
I / O 4L
I / O 5L
I / O 6L
I / O 7L
SEM L
读/写
L
CEL
VCC
7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
7C1342
40
39
38
37
36
35
34
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
NC
GND
I/O0R
I/O1R
I/O2R
I/O3R
I/O4R
I/O5R
I/O6R
1342–4
引脚德网络nitions
左侧端口
A
0L–11L
CE
L
OE
L
读/写
L
SEM
L
（仅CY7C1342 ）
正确的端口
A
0R–11R
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
R
（仅CY7C1342 ）
描述
地址线
芯片使能
OUTPUT ENABLE
读/写使能
信号灯启用。当低电平时，允许访问八个信号灯。该
地址线的三个最低显著位将确定写入该信号量
或阅读。在I / O
0
引脚被写入信号时使用。信号量要求
通过写入一个0到各自的位置。
文件编号： 38-06038牧师* B
第12页2
CY7C135
CY7C1342
最大额定值
[1]
储存温度..................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用..............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚48至引脚24） ........................................... 。 -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. .. -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压
[2]
......................................... -3.0V至+ 7.0V
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
[4]
7C135–15
7C1342–1
5
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
工作电流
待机电流
（两个端口TTL电平）
待机电流
（一个端口TTL电平）
GND
≤
V
I
≤
V
CC
输出禁用，
GND
≤
V
O
≤
V
CC
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
,
f = f
MAX[5]
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
,
f = f
MAX[5]
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
125
115
15
15
130
120
60
50
–10
–10
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
2.2
0.8
+10
+10
220
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
2.2
0.8
+10
+10
190
–10
–10
最大
.
7C135–20
7C1342–2
0
民
.
2.4
0.4
2.2
0.8
+10
+10
180
190
40
50
110
120
15
30
100
115
mA
mA
mA
mA
最大
.
7C135–25
7C1342–25
分钟。
2.4
0.4
最大
.
UNI
t
V
V
V
V
A
A
mA
待机电流
两个端口CE和CE
R
≥
（这两个端口CMOS电平）V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.2V
或V
IN
≤
0.2V ， F = 0
[5]
待机电流
（一个端口CMOS电平）
一个端口CE
L
or
CE
R
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V,
有源端口输出， F =
f
MAX[5]
I
SB4
注意事项：
1.任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
2.脉冲宽度< 20纳秒。
3. T
A
是外壳温度的「即时」 。
4.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
5. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。 F = 0表示无地址或控制线变化。这仅适用于在输入CMOS电平的待机我
SB3
.
文件编号： 38-06038牧师* B
第12页3
CY7C135
CY7C1342
电气特性
在整个工作范围
[4]
（续）
7C135–35
7C1342–35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
工作电流
待机电流
（两个端口TTL电平）
待机电流
（一个端口TTL电平）
GND
≤
V
I
≤
V
CC
输出禁用， GND
≤
V
O
≤
V
CC
V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
, f = f
最大
[5]
7C135–55
7C1342–55
分钟。
2.4
马克斯。
0.4
2.2
0.8
–10
–10
+10
+10
160
180
30
40
100
110
15
30
90
100
mA
mA
mA
mA
单位
V
V
V
V
A
A
mA
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
分钟。
2.4
马克斯。
0.4
2.2
0.8
–10
–10
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
, f = f
MAX[5]
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
+10
+10
160
180
30
40
100
110
15
30
90
100
待机电流
两个端口CE和CE
R
≥
V
CC
– 0.2V,
（这两个端口CMOS电平）V
IN
≥
V
CC
– 0.2V
或V
IN
≤
0.2V ， F = 0
[5]
待机电流
（一个端口CMOS电平）
一个端口CE
L
或CE
R
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V,
有源端口输出，女= F
MAX[5]
I
SB4
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
R1= 893
产量
C = 30pF的
R1= 347
产量
C = 30pF的
V
TH
= 1.4V
（一）正常负载（负载1 ）
1342–5
R
TH
= 250
R
TH
= 250
产量
C = 5 pF的
V
X
（三）三态延迟（负载3 ）
1342–7
（二）戴维宁等效（负载1 ）
1342–6
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
90%
90%
10%
≤
3纳秒
1342–8
≤
3纳秒
注意：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-06038牧师* B
第12页4
CY7C135
CY7C1342
开关特性
在整个工作范围
[7, 8]
7C135–15
7C1342–15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE[9,10,11]
t
LZCE[9,10,11]
t
HZCE[9,10,11]
t
PU[11]
t
PD[11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE[10,11]
t
LZWE[10,11]
t
WDD[12]
t
DDD[12]
读周期时间
地址到数据有效
从输出保持
地址变更
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE低到通电
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
把脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
写脉冲数据延迟
写数据有效阅读
数据有效
SEM标志更新脉冲
（ OE或SEM ）
SEM标志写阅读时间
SEM国旗竞争窗口
10
5
5
3
30
25
15
12
12
2
0
12
10
0
10
3
40
30
0
15
20
15
15
2
0
15
13
0
13
3
50
30
3
10
3
10
0
20
25
20
20
2
0
20
15
0
15
3
60
35
3
13
0
25
35
30
30
2
0
25
15
0
20
3
70
40
3
15
10
3
13
3
15
0
35
55
50
50
2
0
50
25
0
25
15
15
3
20
13
3
15
3
20
0
55
20
20
3
25
15
3
20
3
25
25
25
3
35
20
3
25
35
35
3
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C135–20
7C1342–20
分钟。
马克斯。
7C135–25
7C1342–25
分钟。
马克斯。
7C135–35
7C1342–35
分钟。
马克斯。
7C135–55
7C1342–55
分钟。
马克斯。
单位
t
HZOE[9,10,11]
OE高到高Z
写周期
SEMAPHORE时序
[13]
t
SOP
t
SWRD
t
SPS
10
5
5
10
5
5
15
5
5
15
5
5
ns
ns
ns
注意事项：
7.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
8.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
9.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
用10试验条件为负载3 。
11.此参数是保证，但未经测试。
12.有关端口到端口延迟通过RAM单元的信息写入端口读取端口，请参阅读取时序与端口到端口延迟波形。
13.信号灯时间仅适用于CY7C1342 。
文件编号： 38-06038牧师* B
第12页5
CY7C135
CY7C1342
4K ×8双端口静态RAM和4K ×8双端口
SRAM与信号灯
特点
真正的双端口存储器单元允许simulta-
neous读取相同的内存位置
4K ×8的组织
0.65微米CMOS工艺，以获得最佳速度/功耗
高速访问： 15纳秒
较低的工作功耗：我
CC
= 160毫安（最大）
完全异步操作
自动断电
信号量包含在7C1342以允许软件
端口之间的握手
可提供52引脚PLCC
功能说明
该CY7C135和CY7C1342是高速CMOS 4K ×8
双口静态RAM 。该CY7C1342包括信号灯
提供给分配的双端口RAM的部分的装置
或任何共享资源。两个端口的可允许IN-
供养，异步访问读取和写入任何
位置在存储器中。应用领域包括interproces-
SOR /多处理器设计，通讯状态缓冲，
和双端口视频/图形内存。
每个端口都有独立的控制引脚：芯片使能（ CE ） ，
读或写使能（ R / W） ，并输出使能（OE ） 。该
CY7C135适于那些不需要系统
芯片上的仲裁或不能耐受的等待状态。因此，
用户必须注意，同时访问的位置
是可能的。信号量提供的CY7C1342到AS-i
SIST港口之间进行仲裁。信号灯逻辑的COM -
珍贵的八共享锁。只有一侧可控制
锁存器（信号量），在任何时候。信号量indi-控制
凯茨该共享资源在使用中。自动pow-
呃向下功能是通过一个独立地控制每个端口上
芯片使能（ CE ）引脚或SEM引脚（仅CY7C1342 ） 。
该CY7C135和CY7C1342是52引脚PLCC可用。
逻辑框图
读/写
L
CE
L
OE
L
读/写
R
CE
R
OE
R
I / O
7L
I / O
0L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
7R
I / O
0R
A
11L
A
0L
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
解码器
A
11R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
SEMAPHORE
仲裁
（仅7C1342 ）
CE
R
OE
R
读/写
R
（仅7C1342 ）
（仅7C1342 ），扫描电镜
L
SEM
R
1342–1
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06038牧师* B
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2004年6月22日
CY7C135
CY7C1342
选购指南
7C135–15
7C1342–15
15
220
60
7C135–20
7C1342–20
20
190
50
7C135–25
7C1342–25
25
180
40
7C135–35
7C1342–35
35
160
30
7C135–55
7C1342–55
55
160
30
最大访问时间（纳秒）
最大工作
广告
电流（mA ）
最长待机
广告
目前的我
SB1
（MA ）
销刀豆网络gurations
PLCC
顶视图
CER
读/写
R
N / C
A11R
A10R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
NC
I / O
7R
A0L
OEL
A
10L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
A
11L
N / C
读/写
L
CEL
VCC
7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
7C135
40
39
38
37
36
35
34
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
NC
GND
I/O0R
I/O1R
I/O2R
I/O3R
I/O4R
I/O5R
I/O6R
I / O 4L
I / O 5L
I / O 6L
I / O 7L
1342–3
PLCC
顶视图
CER
读/写
R
SEMR
A11R
A10R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
NC
I / O
7R
A0L
OEL
A
10L
A
11L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
I / O 4L
I / O 5L
I / O 6L
I / O 7L
SEM L
读/写
L
CEL
VCC
7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
7C1342
40
39
38
37
36
35
34
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
NC
GND
I/O0R
I/O1R
I/O2R
I/O3R
I/O4R
I/O5R
I/O6R
1342–4
引脚德网络nitions
左侧端口
A
0L–11L
CE
L
OE
L
读/写
L
SEM
L
（仅CY7C1342 ）
正确的端口
A
0R–11R
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
R
（仅CY7C1342 ）
描述
地址线
芯片使能
OUTPUT ENABLE
读/写使能
信号灯启用。当低电平时，允许访问八个信号灯。该
地址线的三个最低显著位将确定写入该信号量
或阅读。在I / O
0
引脚被写入信号时使用。信号量要求
通过写入一个0到各自的位置。
文件编号： 38-06038牧师* B
第12页2
CY7C135
CY7C1342
最大额定值
[1]
储存温度..................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用..............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚48至引脚24） ........................................... 。 -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. .. -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压
[2]
......................................... -3.0V至+ 7.0V
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
[4]
7C135–15
7C1342–1
5
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
工作电流
待机电流
（两个端口TTL电平）
待机电流
（一个端口TTL电平）
GND
≤
V
I
≤
V
CC
输出禁用，
GND
≤
V
O
≤
V
CC
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
,
f = f
MAX[5]
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
,
f = f
MAX[5]
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
125
115
15
15
130
120
60
50
–10
–10
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
2.2
0.8
+10
+10
220
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
2.2
0.8
+10
+10
190
–10
–10
最大
.
7C135–20
7C1342–2
0
民
.
2.4
0.4
2.2
0.8
+10
+10
180
190
40
50
110
120
15
30
100
115
mA
mA
mA
mA
最大
.
7C135–25
7C1342–25
分钟。
2.4
0.4
最大
.
UNI
t
V
V
V
V
A
A
mA
待机电流
两个端口CE和CE
R
≥
（这两个端口CMOS电平）V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.2V
或V
IN
≤
0.2V ， F = 0
[5]
待机电流
（一个端口CMOS电平）
一个端口CE
L
or
CE
R
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V,
有源端口输出， F =
f
MAX[5]
I
SB4
注意事项：
1.任何输入或I / O引脚上的电压不能超过电期间的电源引脚。
2.脉冲宽度< 20纳秒。
3. T
A
是外壳温度的「即时」 。
4.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
5. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。 F = 0表示无地址或控制线变化。这仅适用于在输入CMOS电平的待机我
SB3
.
文件编号： 38-06038牧师* B
第12页3
CY7C135
CY7C1342
电气特性
在整个工作范围
[4]
（续）
7C135–35
7C1342–35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
工作电流
待机电流
（两个端口TTL电平）
待机电流
（一个端口TTL电平）
GND
≤
V
I
≤
V
CC
输出禁用， GND
≤
V
O
≤
V
CC
V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
, f = f
最大
[5]
7C135–55
7C1342–55
分钟。
2.4
马克斯。
0.4
2.2
0.8
–10
–10
+10
+10
160
180
30
40
100
110
15
30
90
100
mA
mA
mA
mA
单位
V
V
V
V
A
A
mA
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
分钟。
2.4
马克斯。
0.4
2.2
0.8
–10
–10
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
, f = f
MAX[5]
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
Com'l
IND 。
+10
+10
160
180
30
40
100
110
15
30
90
100
待机电流
两个端口CE和CE
R
≥
V
CC
– 0.2V,
（这两个端口CMOS电平）V
IN
≥
V
CC
– 0.2V
或V
IN
≤
0.2V ， F = 0
[5]
待机电流
（一个端口CMOS电平）
一个端口CE
L
或CE
R
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V,
有源端口输出，女= F
MAX[5]
I
SB4
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
R1= 893
产量
C = 30pF的
R1= 347
产量
C = 30pF的
V
TH
= 1.4V
（一）正常负载（负载1 ）
1342–5
R
TH
= 250
R
TH
= 250
产量
C = 5 pF的
V
X
（三）三态延迟（负载3 ）
1342–7
（二）戴维宁等效（负载1 ）
1342–6
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
90%
90%
10%
≤
3纳秒
1342–8
≤
3纳秒
注意：
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-06038牧师* B
第12页4
CY7C135
CY7C1342
开关特性
在整个工作范围
[7, 8]
7C135–15
7C1342–15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE[9,10,11]
t
LZCE[9,10,11]
t
HZCE[9,10,11]
t
PU[11]
t
PD[11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE[10,11]
t
LZWE[10,11]
t
WDD[12]
t
DDD[12]
读周期时间
地址到数据有效
从输出保持
地址变更
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE低到通电
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
把脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
写脉冲数据延迟
写数据有效阅读
数据有效
SEM标志更新脉冲
（ OE或SEM ）
SEM标志写阅读时间
SEM国旗竞争窗口
10
5
5
3
30
25
15
12
12
2
0
12
10
0
10
3
40
30
0
15
20
15
15
2
0
15
13
0
13
3
50
30
3
10
3
10
0
20
25
20
20
2
0
20
15
0
15
3
60
35
3
13
0
25
35
30
30
2
0
25
15
0
20
3
70
40
3
15
10
3
13
3
15
0
35
55
50
50
2
0
50
25
0
25
15
15
3
20
13
3
15
3
20
0
55
20
20
3
25
15
3
20
3
25
25
25
3
35
20
3
25
35
35
3
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C135–20
7C1342–20
分钟。
马克斯。
7C135–25
7C1342–25
分钟。
马克斯。
7C135–35
7C1342–35
分钟。
马克斯。
7C135–55
7C1342–55
分钟。
马克斯。
单位
t
HZOE[9,10,11]
OE高到高Z
写周期
SEMAPHORE时序
[13]
t
SOP
t
SWRD
t
SPS
10
5
5
10
5
5
15
5
5
15
5
5
ns
ns
ns
注意事项：
7.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
8.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
9.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
用10试验条件为负载3 。
11.此参数是保证，但未经测试。
12.有关端口到端口延迟通过RAM单元的信息写入端口读取端口，请参阅读取时序与端口到端口延迟波形。
13.信号灯时间仅适用于CY7C1342 。
文件编号： 38-06038牧师* B
第12页5
QQ：2880707522 复制
