CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
18兆位的DDR -II + SRAM 2字突发
建筑学（ 2.0周期读延迟）
特点
■
■
■
■
■
■
功能说明
该CY7C1146V18 ， CY7C1157V18 ， CY7C1148V18和
CY7C1150V18是1.8V同步SRAM的流水线
配备了DDR -II +架构。在DDR -II +由一个
SRAM核心具有先进的同步外围电路。
读取和写入地址锁存备用崛起
输入（K）的时钟的边缘。写数据被登记在上升
K和K.读取数据的边缘被驱动的上升沿
K和K的每一个地址位置与两个8位相关
字（ CY7C1146V18 ）或9位字（ CY7C1157V18 ）或18位
字（ CY7C1148V18 ）或36位字（ CY7C1150V18 ），该
相继爆出进入或离开设备。
异步输入包括输出阻抗匹配输入
（ ZQ ） 。同步数据输出（Q ，共享相同的物理
引脚作为输入的数据D）被紧密地匹配到两个输出
回波时钟CQ / CQ ，省去了单独
从每个单独的DDR SRAM的捕获系统中的数据
设计。
所有同步输入都会通过由控制输入寄存器
K或K输入时钟。所有数据输出通过输出
寄存器由K或K输入时钟控制。写的
带有片上同步自定时写电路进行。
18兆位密度（ 2M ×8 ， 2M ×9 ， 1M ×18 ， 512K ×36 ）
300 MHz至375 MHz时钟实现高带宽
2字突发降低地址总线频率
双倍数据速率（ DDR ）接口
（在750 MHz的数据传输） @ 375 MHz的
2.0个时钟周期读取延迟
两个输入时钟（ K和K ）用于精确DDR定时
SRAM仅使用上升沿
在高速路时钟（ CQ和CQ ）简化了数据采集
系统
数据有效引脚（ QVLD ）来表示输出有效数据
同步内部自定时写入
核心V
DD
= 1.8V ± 0.1V ; IO V
DDQ
= 1.4V至V
DD[1]
■
■
■
■
■
HSTL输入和可变驱动HSTL输出缓冲器
■
可在165球FBGA封装（ 13 ×15 ×1.4 MM）
■
提供两种无铅和无无铅封装
■
■
JTAG 1149.1兼容的测试访问端口
延迟锁定环（DLL ），用于精确的数据放置
CON连接gurations
随着2.0次读周期延迟：
CY7C1146V18 - 2M ×8
CY7C1157V18 - 2M ×9
CY7C1148V18 - 1M ×18
CY7C1150V18 - 512K ×36
选购指南
375兆赫
最大工作频率
最大工作电流
375
1020
333兆赫
333
920
300兆赫
300
850
单位
兆赫
mA
记
1. QDR联盟规范V
DDQ
为1.5V + 0.1V 。赛普拉斯QDR器件超过QDR联盟规范，并能够支持V
DDQ
= 1.4V至V
DD
.
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06621修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年6月21日
CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
销刀豆网络gurations
165球FBGA （ 13 ×15 ×1.4 MM）引脚
CY7C1146V18 （ 2M ×8 ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
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M
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CQ
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A
4
读/写
A
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REF
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TMS
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CQ
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NC
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ZQ
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TDI
CY7C1157V18 （ 2M ×9 ）
1
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C
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NC
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A
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读/写
A
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DQ1
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TMS
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CQ
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ZQ
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NC
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TDI
文件编号： 001-06621修订版* C
第27 4
CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
销刀豆网络gurations
（续）
165球FBGA （ 13 ×15 ×1.4 MM）引脚
CY7C1148V18 （ 1M ×18 ）
1
A
B
C
D
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J
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V
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CQ
DQ8
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CY7C1150V18 （ 512K ×36 ）
1
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B
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NC
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DQ33
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DQ35
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TCK
3
DQ18
DQ28
DQ19
DQ20
DQ21
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V
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DQ34
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DQ26
A
4
读/写
A
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V
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DDQ
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NC
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REF
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NC
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NC
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CQ
DQ8
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ZQ
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TDI
NC / 144M NC / 36M
文件编号： 001-06621修订版* C
第27 5
CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
18兆位的DDR -II + SRAM 2字突发
建筑学（ 2.0周期读延迟）
特点
■
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■
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■
功能说明
该CY7C1146V18 ， CY7C1157V18 ， CY7C1148V18和
CY7C1150V18是1.8V同步SRAM的流水线
配备了DDR -II +架构。在DDR -II +由一个
SRAM核心具有先进的同步外围电路。
读取和写入地址锁存备用崛起
输入（K）的时钟的边缘。写数据被登记在上升
K和K.读取数据的边缘被驱动的上升沿
K和K的每一个地址位置与两个8位相关
字（ CY7C1146V18 ）或9位字（ CY7C1157V18 ）或18位
字（ CY7C1148V18 ）或36位字（ CY7C1150V18 ），该
相继爆出进入或离开设备。
异步输入包括输出阻抗匹配输入
（ ZQ ） 。同步数据输出（Q ，共享相同的物理
引脚作为输入的数据D）被紧密地匹配到两个输出
回波时钟CQ / CQ ，省去了单独
从每个单独的DDR SRAM的捕获系统中的数据
设计。
所有同步输入都会通过由控制输入寄存器
K或K输入时钟。所有数据输出通过输出
寄存器由K或K输入时钟控制。写的
带有片上同步自定时写电路进行。
18兆位密度（ 2M ×8 ， 2M ×9 ， 1M ×18 ， 512K ×36 ）
300 MHz至375 MHz时钟实现高带宽
2字突发降低地址总线频率
双倍数据速率（ DDR ）接口
（在750 MHz的数据传输） @ 375 MHz的
2.0个时钟周期读取延迟
两个输入时钟（ K和K ）用于精确DDR定时
SRAM仅使用上升沿
在高速路时钟（ CQ和CQ ）简化了数据采集
系统
数据有效引脚（ QVLD ）来表示输出有效数据
同步内部自定时写入
核心V
DD
= 1.8V ± 0.1V ; IO V
DDQ
= 1.4V至V
DD[1]
■
■
■
■
■
HSTL输入和可变驱动HSTL输出缓冲器
■
可在165球FBGA封装（ 13 ×15 ×1.4 MM）
■
提供两种无铅和无无铅封装
■
■
JTAG 1149.1兼容的测试访问端口
延迟锁定环（DLL ），用于精确的数据放置
CON连接gurations
随着2.0次读周期延迟：
CY7C1146V18 - 2M ×8
CY7C1157V18 - 2M ×9
CY7C1148V18 - 1M ×18
CY7C1150V18 - 512K ×36
选购指南
375兆赫
最大工作频率
最大工作电流
375
1020
333兆赫
333
920
300兆赫
300
850
单位
兆赫
mA
记
1. QDR联盟规范V
DDQ
为1.5V + 0.1V 。赛普拉斯QDR器件超过QDR联盟规范，并能够支持V
DDQ
= 1.4V至V
DD
.
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06621修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年6月21日
CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
销刀豆网络gurations
165球FBGA （ 13 ×15 ×1.4 MM）引脚
CY7C1146V18 （ 2M ×8 ）
1
A
B
C
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CQ
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读/写
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CQ
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CY7C1157V18 （ 2M ×9 ）
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3
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A
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读/写
A
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REF
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NC
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TMS
11
CQ
DQ3
NC
NC
DQ2
NC
NC
ZQ
NC
NC
DQ0
NC
NC
DQ8
TDI
文件编号： 001-06621修订版* C
第27 4
CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
销刀豆网络gurations
（续）
165球FBGA （ 13 ×15 ×1.4 MM）引脚
CY7C1148V18 （ 1M ×18 ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
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DOFF
NC
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NC
NC
NC
NC
TDO
2
NC/72M
DQ9
NC
NC
NC
DQ12
NC
V
REF
NC
NC
DQ15
NC
NC
NC
TCK
3
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NC
NC
DQ10
DQ11
NC
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V
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NC
NC
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A
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读/写
A
V
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0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
NC/36M
NC
DQ7
NC
NC
NC
NC
V
REF
DQ4
NC
NC
DQ1
NC
NC
TMS
11
CQ
DQ8
NC
NC
DQ6
DQ5
NC
ZQ
NC
DQ3
DQ2
NC
NC
DQ0
TDI
CY7C1150V18 （ 512K ×36 ）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
DQ27
NC
DQ29
NC
DQ30
DQ31
V
REF
NC
NC
DQ33
NC
DQ35
NC
TCK
3
DQ18
DQ28
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
V
DDQ
DQ32
DQ23
DQ24
DQ34
DQ25
DQ26
A
4
读/写
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
5
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
6
K
K
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
QVLD
NC
7
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
8
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
9
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
NC/72M
NC
DQ17
NC
DQ15
NC
NC
V
REF
DQ13
DQ12
NC
DQ11
NC
DQ9
TMS
11
CQ
DQ8
DQ7
DQ16
DQ6
DQ5
DQ14
ZQ
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ10
DQ0
TDI
NC / 144M NC / 36M
文件编号： 001-06621修订版* C
第27 5
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