CY7C1009V33
CY7C109V33
128K ×8静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 15，20，为25ns
V
CC
= 3.3V ± 10%
低有功功率
- 432毫瓦（最大）
- 288毫瓦（L版）
CMOS低待机功耗
- 18毫瓦（最大）
- 7.2毫瓦（L版）
2.0V数据保留
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE选项
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
（ CE
1
） ，高电平有效芯片使能（ CE
2
） ，一个低电平有效输出
就把启用（ OE ）和三态驱动器。写入设备
通过取芯片使能一（ CE完成
1
）和写
使能（ WE）输入低电平，芯片使能两（ CE
2
）输入
HIGH 。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）然后
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该CY7C109V33是标准的32引脚可用，
400密耳宽SOJ封装。该CY7C1009V33是可用
32引脚， 300密耳范围内的SOJ封装。该CY7C1009V33和
CY7C109V33是在所有其他方面，功能上等同的。
功能说明
该CY7C109V33 / CY7C1009V33是一个高性能的
CMOS静态RAM由8位， 131,072字。易
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512 x 256 x 8
ARRAY
109V33–2
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
109V33–3
I / O
3
I / O
4
I / O
5
TSOP I
顶视图
（不按比例）
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
109V33–1
选购指南
7C109V33-12 7C109V33-15 7C109V33-20 7C109V33-25
7C1009V33-12 7C1009V33-15 7C1009V33-20 7C1009V33-25
最大访问时间（纳秒）
12
15
20
20
最大工作电流（mA ）
130
120
110
110
最大工作电流（ mA）的低功率版
90
80
70
70
最大的CMOS待机电流（mA ）标准
5
5
5
5
最大的CMOS待机电流（mA ）低功耗版本
2
2
2
2
阴影区域包含的初步信息。
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1999年9月3日
CY7C1009V33
CY7C109V33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
................................. -0.5V到V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.3V
±
300mV
电气特性
在整个工作范围
7C109V33-12
7C1009V33-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或CE
2
＆ LT ; 0.3V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
L
L
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
130
90
25
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C1009V33-15
7C109V33–15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
120
80
20
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
I
SB2
5
2
5
2
mA
阴影区域包含的初步信息。
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是的情况下的温度。
2
CY7C1009V33
CY7C109V33
电气特性
在工作范围（续）
7C1009V33-20
7C109V33-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或CE
2
＆ LT ; 0.3V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
L
L
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
110
70
20
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C1009V33-25
7C109V33-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
110
70
20
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
I
SB2
5
2
5
2
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于：
R2
255
R1 480
R1 480
3V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
≤
3ns
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
109V33–4
109V33–5
戴维南等效
167
1.73V
产量
3
CY7C1009V33
CY7C109V33
开关特性
[4]
在整个工作范围
7C1009V33-12 7C1009V33-15 7C1009V33-20 7C1009V33-25
7C109V33-12 7C109V33-15 7C109V33-20 7C109V33-25
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
HIGH到数据
有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5, 6]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[6]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
CE
1
低到电， CE
2
高
上电
CE
1
高到掉电， CE
2
低
掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH写
结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
[5, 6]
描述
分钟。
12
马克斯。
分钟。
15
马克斯。
分钟。
20
马克斯。
分钟。
20
MAX 。 UNIT
ns
20
ns
ns
20
8
ns
ns
ns
8
ns
ns
8
ns
ns
20
ns
12
3
12
6
0
6
3
6
0
12
0
3
0
3
15
3
15
7
0
7
3
7
0
15
20
3
20
8
0
8
3
8
0
20
写周期
[7,8]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
20
15
15
0
0
15
10
0
3
8
20
15
15
0
0
15
10
0
3
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
WE低到高Z
[5, 6]
阴影区域包含的初步信息。
数据保持特性
在整个工作范围（仅L型）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
条件
没有输入可能超过V
CC
+ 0.5V
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或CE
2
＆ LT ; 0.3V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
分钟。
2.0
200
0
t
RC
最大
单位
V
A
ns
ns
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
HIGH开始写，
和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
8.最小写入周期时间为写周期没有。 3 （我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
4
CY7C1009V33
CY7C109V33
开关波形
读周期1号
[9, 10]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
109V33–6
读周期2号（ OE控制）
[10, 11]
地址
t
RC
CE
1
CE
2
t
ACE
OE
t
美国能源部
数据输出
V
CC
供应
当前
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
ISB
109V33–7
高
阻抗
ICC
写周期第1号（ CE
1
或CE
2
控制）
[12, 13]
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
t
SA
CE
2
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
109V33–8
t
HA
t
HD
注意事项：
9.设备不断选择。 OE ，CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
.
10.我们是高读周期。
11.地址有效之前或重合与CE
1
过渡LOW和CE
2
变为高电平。
12.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
13.如果CE
1
变为高电平或CE
2
变为低电平时同时WE变为高电平时，输出保持在高阻抗状态。
5
QQ：2880707522 复制
