009
CY7C109
CY7C1009
128K ×8静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- （最大值， 12纳秒） 1017毫瓦
CMOS低待机功耗
- （最大） 55毫瓦， 4兆瓦（低功率版）
2.0V数据保留（低功率版）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
高电平有效芯片使能（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能
（OE）和三态驱动器。写器件是accom-
通过采取芯片plished启用一个（ CE
1
）和写使能（WE ）
投入低和芯片使能2 （ CE
2
）输入高。数据
在8个I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到
在地址引脚指定位置（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该CY7C109是标准的400密耳宽SOJ提供
32脚TSOP I型封装。该CY7C1009是可用
300密耳宽SOJ封装。该CY7C1009和CY7C109
在所有其它方面功能上等同的。
功能说明
该CY7C109 / CY7C1009是一个高性能的CMOS stat-
IC RAM由8位， 131,072字。容易记忆
扩展是由一个低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，一
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512 x 256 x 8
ARRAY
109–2
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
109–3
I / O
3
I / O
4
I / O
5
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
109–1
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
低功耗版本
阴影区域包含的初步信息。
7C109-10
7C1009-10
10
195
10
2
7C109-12
7C1009-12
12
185
10
2
7C109-15
7C1009-15
15
155
10
2
7C109-20
7C1009-20
20
140
10
—
7C109-25
7C1009-25
25
135
10
—
7C109-35
7C1009-35
35
125
10
—
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05032牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C109
CY7C1009
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
40°C
至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
电气特性
在整个工作范围
[3]
7C109-10
7C1009-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或CE
2
＆ LT ; 0.3V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
L
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
195
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C109-12
7C1009-12
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
185
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C109-15
7C1009–15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
155
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
45
45
40
mA
I
SB2
10
2
10
2
10
2
mA
阴影区域包含的初步信息。
文件编号： 38-05032牧师**
第12页2
CY7C109
CY7C1009
电气特性
在工作范围（续）
7C109-20
7C1009-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或CE
2
＆ LT ; 0.3V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
140
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C109-25
7C1009-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
135
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C109-35
7C1009-35
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
125
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
30
30
25
mA
I
SB2
10
10
10
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
R1 480
R1 480
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
3.0V
90%
10%
90%
10%
所有的输入脉冲
≤
3ns
≤
3纳秒
109–3
109–4
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
文件编号： 38-05032牧师**
第12页3
CY7C109
CY7C1009
开关特性
[3, 5]
在整个工作范围
7C109-10
7C1009-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
HIGH到数据
有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[7]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[6, 7]
CE
1
低到电， CE
2
高
上电
CE
1
高到掉电， CE
2
低
掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
10
8
8
0
0
8
6
0
3
5
0
10
3
5
0
12
0
5
3
6
0
15
3
10
5
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C109-12
7C1009-12
分钟。
马克斯。
7C109-15
7C1009-15
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[8,9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
阴影区域包含的初步信息。
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
HIGH开始写，
和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05032牧师**
第12页4
009
CY7C109
CY7C1009
128K ×8静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- （最大值， 12纳秒） 1017毫瓦
CMOS低待机功耗
- （最大） 55毫瓦， 4兆瓦（低功率版）
2.0V数据保留（低功率版）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
高电平有效芯片使能（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能
（OE）和三态驱动器。写器件是accom-
通过采取芯片plished启用一个（ CE
1
）和写使能（WE ）
投入低和芯片使能2 （ CE
2
）输入高。数据
在8个I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到
在地址引脚指定位置（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该CY7C109是标准的400密耳宽SOJ提供
32脚TSOP I型封装。该CY7C1009是可用
300密耳宽SOJ封装。该CY7C1009和CY7C109
在所有其它方面功能上等同的。
功能说明
该CY7C109 / CY7C1009是一个高性能的CMOS stat-
IC RAM由8位， 131,072字。容易记忆
扩展是由一个低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，一
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512 x 256 x 8
ARRAY
109–2
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
109–3
I / O
3
I / O
4
I / O
5
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
109–1
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
低功耗版本
阴影区域包含的初步信息。
7C109-10
7C1009-10
10
195
10
2
7C109-12
7C1009-12
12
185
10
2
7C109-15
7C1009-15
15
155
10
2
7C109-20
7C1009-20
20
140
10
—
7C109-25
7C1009-25
25
135
10
—
7C109-35
7C1009-35
35
125
10
—
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05032牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C109
CY7C1009
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
40°C
至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
电气特性
在整个工作范围
[3]
7C109-10
7C1009-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或CE
2
＆ LT ; 0.3V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
L
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
195
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C109-12
7C1009-12
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
185
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C109-15
7C1009–15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
155
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
45
45
40
mA
I
SB2
10
2
10
2
10
2
mA
阴影区域包含的初步信息。
文件编号： 38-05032牧师**
第12页2
CY7C109
CY7C1009
电气特性
在工作范围（续）
7C109-20
7C1009-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或CE
2
＆ LT ; 0.3V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
140
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C109-25
7C1009-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
135
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C109-35
7C1009-35
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
125
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
30
30
25
mA
I
SB2
10
10
10
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
R1 480
R1 480
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
3.0V
90%
10%
90%
10%
所有的输入脉冲
≤
3ns
≤
3纳秒
109–3
109–4
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
文件编号： 38-05032牧师**
第12页3
CY7C109
CY7C1009
开关特性
[3, 5]
在整个工作范围
7C109-10
7C1009-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
HIGH到数据
有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[7]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[6, 7]
CE
1
低到电， CE
2
高
上电
CE
1
高到掉电， CE
2
低
掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
10
8
8
0
0
8
6
0
3
5
0
10
3
5
0
12
0
5
3
6
0
15
3
10
5
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C109-12
7C1009-12
分钟。
马克斯。
7C109-15
7C1009-15
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[8,9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
阴影区域包含的初步信息。
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
HIGH开始写，
和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05032牧师**
第12页4
