【CY7C1079DV3332兆位（ 4米× 8 ）静态RAM32兆位（ 4米× 8 ）静态RAM特点】,IC型号CY7C1079DV33-12BAXI,CY7C1079DV33-12BAXI PDF资料,CY7C1079DV33-12BAXI经销商,ic,电子元器件-51电子网

CY7C1079DV33

32兆位（ 4米× 8 ）静态RAM

特点

■

功能说明

该CY7C1079DV33是一种高性能的CMOS静态RAM

由8位， 4,194,304字。

写入装置，以芯片启用（ CE

[1]

）和写使能

（ WE）输入低电平。在8个I / O引脚的数据（I / O

通过I / O

)

将被写入的地址引脚指定的位置（A

至A

从设备中读取，需要芯片使能（ CE

[1]

）和LOW

输出使能（ OE ）低，而强迫写使能（ WE）

HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容

由地址引脚指定的位置上出现I / O引脚。

SEE

真值表（单芯片使能）第9页

对于一个完整的

读写模式的描述。

的输入和输出管脚（ I / O的

通过I / O

）被放置在一个高

当取消选择器件阻抗状态（ CE

[1]

高），

输出被禁用（ OE高），或写操作过程中

（ CE

[1]

低和WE低）。

该CY7C1079DV33是采用48球FBGA封装。

高速

= 12 ns的

低有功功率

= 250毫安12纳秒

CMOS的低待机功耗

SB2

= 50毫安

3.3 ± 0.3 V工作电压

2.0 V数据保留

取消的时候自动断电

TTL兼容的输入和输出

可提供无铅48球FBGA封装

■

逻辑框图

输入缓冲器

行解码器

检测放大器

4M ×8

ARRAY

= 10

COLUMN

解码器

[1]

记

1. BGA封装器件在单个CE和CE双选件提供。本数据手册，对于双CE设备， CE是指CE的内部逻辑组合

和

这样，当CE

为低和CE

为高电平，CE为低。对于所有其他情况下， CE为高电平。

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 001-50282修订版* D

198冠军苑

圣荷西

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2011年4月27日

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CY7C1079DV33

选型指南................................................ ................ 3

引脚配置................................................ ............. 3

最大额定值................................................ ............. 4

经营范围................................................ ............... 4

直流电气特性.......................................... 4

电容................................................. ..................... 5

热阻................................................ .......... 5

数据保持特性....................................... 5

AC开关特性......................................... 6

开关波形................................................ ...... 7

真值表（单芯片使能） .................................... 9

真值表（双芯片使能） ....................................... 9

订购信息................................................ ...... 10

订购代码定义......................................... 10

包图................................................ .......... 11

与缩略语................................................. ....................... 12

文档约定................................................ 12

计量单位............................................... ........ 12

文档历史记录页............................................... .. 13

销售，解决方案和法律信息...................... 14

全球销售和设计支持....................... 14

产品................................................. ................... 14

的PSoC解决方案................................................ ......... 14

文件编号： 001-50282修订版* D

第14页2

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CY7C1079DV33

选购指南

描述

最大访问时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

–12

250

单位

引脚配置

图1. 48球FBGA （单芯片使能）

[2]

图2. 48球FBGA （双芯片使能）

[2]

记

2. NC引脚未连接到模具上。

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CY7C1079DV33

最大额定值

超出最大额定值可能会缩短的使用寿命

装置。这些用户指导未经测试。

存储温度-65 ...............................

+150

环境温度与

电源采用.......................................... -55

+125

在V电源电压

相对于GND

[3]

..- 0.5 V至4.6 V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[3]

................................. -0.5 V到V

+ 0.5 V

直流输入电压

[3]

............................. -0.5 V到V

+ 0.5 V

目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安

静电放电电压.......................................... > 2001年V

（ MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流............................................... ..... > 200毫安

工作范围

范围

产业

环境

温度

–40

+85

3.3 V

0.3 V

DC电气特性

在整个工作范围

参数

SB1

SB2

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

[3]

输入漏电流

输出漏电流

工作电源电流

CE自动断电

电流 - TTL输入

CE自动断电

目前-CMOS输入

GND < V

＆ LT ; V

GND < V

OUT

＆ LT ; V

，输出禁用

=最大值，女= F

最大

= 1/t

RC ，

OUT

= 0毫安CMOS

水平

MAX V

，CE

[4]

＆ GT ; V

或V

＆ LT ; V

, f = f

最大

MAX V

，CE

[4]

＆ GT ; V

– 0.3 V,

＆ GT ; V

- 0.3 V或V

< 0.3 V ， F = 0

测试条件

=最小，我

= -4.0毫安

=最小，我

= 8.0毫安

–12

民

2.4

–

2.0

–0.3

–1

–

最大

–

0.4

+ 0.3

0.8

250

单位

笔记

3. V

（分钟）= -2.0 V和V

（MAX） = V

+ 2 V为小于20纳秒的脉冲持续时间。

4. BGA封装器件在单个CE和CE双选件提供。本数据手册，对于双CE设备， CE是指CE的内部逻辑组合

和

这样，当CE

为低和CE

为高电平，CE为低。对于所有其他情况下， CE为高电平。

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CY7C1079DV33

电容

最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。

参数

OUT

描述

输入电容

I / O容量

测试条件

= 25

F = 1MHz时， V

= 3.3 V

48球FBGA

单位

热阻

最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。

参数

描述

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

图3. AC测试负载和波形

[5]

产量

= 50

30 pF的*

所有的输入脉冲

90%

10%

90%

10%

= 1.5 V

高阻抗特性

3.3 V

产量

5 pF的*

3.0 V

GND

上升时间> 1 V / ns的

INCLUDING

夹具

范围

(b)

351

R1 317

测试条件

静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸， 4层印刷

电路板

48球FBGA

30.91

13.60

单位

° C / W

(a)

容性负载由

的的所有组件

测试环境

(c)

下降时间：

> 1 V / ns的

数据保持特性

在整个工作范围

参数

CCDR

CDR的[7]

R [ 8]

描述

数据保留

数据保持电流

芯片取消到数据保留时间

手术恢复时间

图4.数据保存波形

数据保持方式

条件

= 2 V ， CE

[6]

＆ GT ; V

– 0.2 V,

＆ GT ; V

- 0.2 V或V

< 0.2 V

民

–

典型值

–

最大

–

单位

[6]

3.0 V

CDR

＆ GT ;

2 V

3.0 V

笔记

5.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V

(3.0 V). 100

动力

）达到最低工作后，

正常SRAM操作开始，包括降低V

向数据保留（Ⅴ

CCDR

， 2.0 V）的电压。

6. BGA封装器件在单个CE和CE双选件提供。本数据手册，对于双CE设备， CE是指CE的内部逻辑组合

和

这样，当CE

为低和CE

为高电平，CE为低。对于所有其他情况下， CE为高电平。

7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

8.全面的设备运行需要的线性V

从V坡道

到V

CC（分钟）

＆ GT ; 50

或稳定在V

CC（分钟）

＆ GT ; 50

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