初步
CY7C1071AV33
32兆位（ 2M ×16 ）静态RAM
特点
高密度32 - Mbit的SRAM
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 450毫安
工作3.3 ± 0.3V的电压
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
提供标准的119球FBGA
低使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到在AD-指定的位置
礼服销（A
0
至A
20
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
20
).
从设备读通过使芯片实现
通过采取CE HIGH ，而迫使输出使能（ OE ）低
和写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）是
低电平，然后从存储器位置被指定的数据
地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能
（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据将出现在I / O
8
to
I / O
15
。见真值表本数据手册的后面的
读写模式，完整的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
LOW ）时，输出被禁用（ OE HIGH ）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作过程中
（CE高电平和WE为低电平） 。
该CY7C1071AV33可在一个119 -球栅阵列
（ FBGA ）封装。
功能说明
该CY7C1071AV33是3.3V高性能的32兆位
静态RAM （16位）组织为2,097,152字。
写入设备是通过使芯片（CE完成
HIGH ），而强迫写使能（ WE）输入低电平。如果字节
逻辑框图
数据的驱动程序
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
2048K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
A
20
CE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05634修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2005年9月1日
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对
GND
[1]
.... –0.5V
至+ 4.6V
范围
广告
产业
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
....................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
CY7C1071AV33
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ± 0.3V
DC电气特性
在整个工作范围
-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大值，女= F
最大
= 1/t
RC
Com'l / Ind'l
CE < = V
白细胞介素，
最大。 V
CC
,V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
CE < = 0.3V ，最大V
CC
,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l / Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–2
–2
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+2
+2
450
140
2.0
–0.3
–2
–2
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+2
+2
400
140
-12
马克斯。
单位
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
I
SB2
100
100
mA
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
I / O容量
描述
输入电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
12
15
单位
pF
pF
热阻
[2]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[2]
热阻
（结点到外壳）
[2]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
全包
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05634修订版**
第10 3
初步
交流测试负载和波形
[3]
50Ω
产量
Z
0
= 50Ω
30 pF的*
V
TH
= 1.5V
3.3V
产量
5 pF的*
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R1 317Ω
CY7C1071AV33
R2
351Ω
(a)
*容性负载由所有的
在测试环境中的部件。
所有的输入脉冲
3.3V
90%
GND
上升时间> 1 V / ns的
10%
90%
10%
下降时间：
> 1 V / ns的
[4]
(c)
AC开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
写周期时间
CE为高电平写入结束
V
CC
（典型值）的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE HIGH到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[6]
CE高到低-Z
[6]
CE低到高-Z
[6]
CE HIGH到电
[7]
CE低到掉电
[7]
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
描述
-10
分钟。
1
10
10
3
10
5
1
5
3
5
0
10
10
1
5
10
7
12
8
1
0
3
1
3
马克斯。
分钟。
1
12
-12
马克斯。
单位
ms
ns
12
12
6
6
6
12
12
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
3.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
（ 3.0V ） 。只要1毫秒（T
动力
）到达后，
最小工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 2.0V ）的电压。
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
并指定传输线的负载。测试条件为AC试验载荷的读周期使用输出部分所示装） ，除非指定
否则。
5. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
6. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
, t
HZBE
和T
LZOE
, t
LZCE
, t
\\ LZWE
, t
LZBE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±200
毫伏从稳态电压。
7.这些参数由设计保证，未经测试。
8.存储器的内部写时间由CE的高电平和低电平WE的重叠限定。芯片使必须是活动和WE和字节使能必须低
开始写，以及任何这些信号的转换可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间应参考的领先
该终止写信号的边沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05634修订版**
第10 4
初步
AC开关特性
在工作范围（续）
[4]
-10
参数
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
描述
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[6]
CY7C1071AV33
-12
马克斯。
分钟。
8
0
0
8
6
0
3
5
7
8
6
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。
7
0
0
7
5.5
0
3
WE低到高-Z
[6]
字节使能，以结束写的
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[2]
t
R[10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
Com'l / Ind'l
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE < 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
[11]
分钟。
2.0
100
0
最大
单位
V
mA
ns
μs
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[11, 13]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
10.测试条件的前提吨
f
< 3纳秒。
11.无输入可能超过V
CC
+ 0.3V.
12.设备被连续地选择。 OE ， BHE和/或BHE = V
IL
。 CE = V
IH
.
13.我们是高的读周期。
文件编号： 38-05634修订版**
第10个5
QQ：2880707522 复制
