CY7C106BN
CY7C1006BN
256K ×4的静态RAM
特点
高速
— t
AA
- 15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 495毫瓦
低待机功耗
- 275毫瓦
2.0V数据保留（可选）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
功能说明
该CY7C106BN和CY7C1006BN是高性能
CMOS静态RAM， 4位组织为262,144字。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE ） ，一个低电平有效输出使能（ OE ）和
三态驱动器。这些设备有一个自动
掉电功能，可降低功耗更
超过65％时，设备被取消。
写入设备被以芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在这四个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
3
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读入通过取芯片来实现
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在四个I / O引脚。
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被放置在一个
高阻抗，当设备被取消状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE和WE LOW ） 。
该CY7C106BN是在一个标准的400密耳范围内的SOJ可用;
该CY7C1006BN可在一个标准的300密耳宽SOJ 。
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
CE
OE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
输入缓冲器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
检测放大器
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
V
CC
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
512 x 512 x 4
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
CE
WE
A
0
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
OE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06429修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年2月1日
CY7C106BN
CY7C1006BN
选购指南
7C106BN-15
7C1006BN-15
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
15
80
30
7C106BN-20
7C1006BN-20
20
75
30
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度................................- 65 × C至+ 150 ×C
环境温度与
电源应用............................................- 55 ×C至+ 125 ×C
在V电源电压
CC
相对于GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-45 ° C至+ 85°C
V
CC
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
7C106BN-15
7C1006BN-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入漏电流
输出漏电流
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
工作电源
当前
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
80
30
10
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C106BN-20
7C1006BN-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
75
30
10
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
电容
[4]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
7
10
10
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06429修订版**
第2页8
CY7C106BN
CY7C1006BN
交流测试负载和波形
R1 480
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
GND
255
上升时间< 1V / ns的
R1 480
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间< 1V / ns的
(a)
相当于：
产量
戴维南等效
167
1.73V
(b)
开关特性
在整个工作范围
[5]
7C106B-15
7C1006B-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高
CE低到低
CE高来高
Z
[6, 7]
3
7
0
15
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
20
15
15
0
0
15
10
0
3
8
0
20
Z
[6, 7]
Z
[7]
0
7
3
8
3
15
7
0
8
15
15
3
20
8
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C106B-20
7C1006B-20
分钟。
马克斯。
单位
CE为低电时
CE高到掉电
[8, 9]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠定义和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，并任过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-06429修订版**
第3页8
CY7C106BN
CY7C1006BN
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE控制）
[14, 15]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[14, 15]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
t
HZOE
注意事项：
14.如果CE变为同时我们要HIGH HIGH ，输出保持在高阻抗状态。
15.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
t
HD
数据有效
文件编号： 001-06429修订版**
第5页8
CY7C106BN
CY7C1006BN
256K ×4的静态RAM
特点
高速
— t
AA
- 15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 495毫瓦
低待机功耗
- 275毫瓦
2.0V数据保留（可选）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
功能说明
该CY7C106BN和CY7C1006BN是高性能
CMOS静态RAM， 4位组织为262,144字。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE ） ，一个低电平有效输出使能（ OE ）和
三态驱动器。这些设备有一个自动
掉电功能，可降低功耗更
超过65％时，设备被取消。
写入设备被以芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在这四个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
3
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读入通过取芯片来实现
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在四个I / O引脚。
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被放置在一个
高阻抗，当设备被取消状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE和WE LOW ） 。
该CY7C106BN是在一个标准的400密耳范围内的SOJ可用;
该CY7C1006BN可在一个标准的300密耳宽SOJ 。
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
CE
OE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
输入缓冲器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
检测放大器
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
V
CC
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
512 x 512 x 4
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
CE
WE
A
0
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
OE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06429修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年2月1日
[+ ]反馈
CY7C106BN
CY7C1006BN
选购指南
7C106BN-15
7C1006BN-15
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
15
80
30
7C106BN-20
7C1006BN-20
20
75
30
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度................................- 65 × C至+ 150 ×C
环境温度与
电源应用............................................- 55 ×C至+ 125 ×C
在V电源电压
CC
相对于GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-45 ° C至+ 85°C
V
CC
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
7C106BN-15
7C1006BN-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入漏电流
输出漏电流
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
工作电源
当前
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
80
30
10
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C106BN-20
7C1006BN-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
75
30
10
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
电容
[4]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
7
10
10
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06429修订版**
第2页8
[+ ]反馈
CY7C106BN
CY7C1006BN
交流测试负载和波形
R1 480
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
GND
255
上升时间< 1V / ns的
R1 480
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间< 1V / ns的
(a)
相当于：
产量
戴维南等效
167
1.73V
(b)
开关特性
在整个工作范围
[5]
7C106B-15
7C1006B-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高
CE低到低
CE高来高
Z
[6, 7]
3
7
0
15
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
20
15
15
0
0
15
10
0
3
8
0
20
Z
[6, 7]
Z
[7]
0
7
3
8
3
15
7
0
8
15
15
3
20
8
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C106B-20
7C1006B-20
分钟。
马克斯。
单位
CE为低电时
CE高到掉电
[8, 9]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠定义和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，并任过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-06429修订版**
第3页8
[+ ]反馈
CY7C106BN
CY7C1006BN
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE控制）
[14, 15]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[14, 15]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
t
HZOE
注意事项：
14.如果CE变为同时我们要HIGH HIGH ，输出保持在高阻抗状态。
15.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
t
HD
数据有效
文件编号： 001-06429修订版**
第5页8
[+ ]反馈
CY7C106BN
256K ×4的静态RAM
特点
■
功能说明
该CY7C106BN是一个高性能CMOS静态RAM
4位组织为262,144字。易内存扩展
由低电平有效的芯片提供使能（CE ） ，有源低
输出使能（ OE ）和三态驱动器。这些设备有一个
自动断电功能，可降低功耗
由65％以上时，装置将被取消选择。
写入设备被以芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在这四个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
3
）然后被写入到指定的位置
在地址引脚（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片使能实现
（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写使能
（ WE） HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的位置上会出现的四个I / O的
销。
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被放置在一个高
阻抗，当设备被取消（ CE HIGH）状态，
输出被禁用（ OE高） ，或写操作过程中
（ CE和WE LOW ） 。
该CY7C106BN可在一个标准的400密耳宽SOJ 。
高速
t
AA
- 15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
495毫瓦
低待机功耗
275毫瓦
2.0V数据保留（可选）
取消的时候自动断电
TTL兼容的输入和输出
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
输入缓冲器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
检测放大器
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
512 x 512 x 4
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
CE
WE
15
16
10
12
A
0
13
14
11
17
OE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06429修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2010年3月15日
[+ ]反馈
CY7C106BN
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55 × C到+ 125 ×C
在V电源电压
CC
相对于GND
[1]
.....- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低
电压
[1]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
输入漏电流
输出漏电流
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
工作电源电流
测试条件
V
CC
=最小，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
7C106BN-15
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
80
30
10
最大
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
自动CE掉电电流MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ;
-TTL输入
V
IL
, f = f
最大
自动CE掉电电流MAX V
CC
,
-CMOS输入
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
广告
电容
[4]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
输出电容
描述
输入电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
最大
7
10
10
单位
pF
pF
pF
笔记
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06429修订版**
第3 9
[+ ]反馈
CY7C106BN
图2.交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255Ω
R1 480Ω
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
GND
255Ω
上升时间< 1V / ns的
R1 480Ω
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间< 1V / ns的
(a)
相当于：
产量
戴维南等效
167Ω
1.73V
(b)
开关特性
在整个工作范围
[5]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[6, 7]
CE低到通电
CE高到掉电
0
15
3
7
0
7
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
7C106B-15
民
最大
单位
笔记
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠定义和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，并任过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-06429修订版**
第4页第9
[+ ]反馈
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