1CY7C1006B
CY7C106B
CY7C1006B
256K ×4的静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12 ns的
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 495毫瓦
低待机功耗
- 275毫瓦
2.0V数据保留（可选）
—
100
W
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
使能（ CE ） ，一个低电平有效输出使能（ OE ）和
三态驱动器。这些设备有一个自动pow-
ER-下降功能，可降低功耗更
超过65％时，设备被取消。
写入设备被以芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在这四个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
3
）将被写入的位置的试样
田间的地址引脚（A
0
至A
17
).
从设备读入通过取片烯实现
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在四个I / O引脚。
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被放置在一个
高阻抗，当设备被取消状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE和WE LOW ） 。
该CY7C106B是在一个标准的400密耳范围内的SOJ可用;
该CY7C1006B可在一个标准的300密耳宽SOJ 。
功能说明
该CY7C106B和CY7C1006B是高性能
CMOS静态RAM， 4位组织为262,144字。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
CE
OE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
输入缓冲器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
检测放大器
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
V
CC
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
C106B–2
512 x 512 x 4
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
CE
WE
OE
C106B–1
选购指南
7C106B-12
7C1006B-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
最长待机
电流（mA ）
12
90
50
7C106B-15
7C1006B-15
15
80
30
7C106B-20
7C1006B-20
20
75
30
7C106B-25
7C1006B-25
25
70
30
7C106B-35
35
60
25
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05037牧师**
A
0
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C106B
CY7C1006B
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
范围
广告
产业
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
环境
温度
[2]
0
°
C至+70
°
C
–45
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V
±
10%
文件编号： 38-05037牧师**
第10 2
CY7C106B
CY7C1006B
电气特性
在整个工作范围
7C106B-12
7C1006B-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
Com'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
+5
–300
90
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C106B-15
7C1006B-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
+5
–300
80
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C106B-20
7C1006B-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
+5
–300
75
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
50
30
30
mA
I
SB2
10
10
10
mA
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
70
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–5
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
60
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
30
25
mA
I
SB2
10
10
mA
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
文件编号： 38-05037牧师**
第10 3
CY7C106B
CY7C1006B
电容
[4]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
7
10
10
单位
pF
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 480
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2 GND
255
上升时间< 1V / ns的
R1 480
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间< 1V / ns的
(a)
相当于：
产量
戴维南等效
167
1.73V
(b)
C106B–3
C106B–4
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05037牧师**
第10 4
CY7C106B
CY7C1006B
开关特性
在整个工作范围
[5]
7C106B - 12 7C106B - 15 7C106B - 20 7C106B - 25
7C1006B - 12 7C1006B - 15 7C1006B - 20 7C1006B - 25
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
12
10
10
0
0
10
7
0
2
6
0
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
3
6
0
15
20
15
15
0
0
15
10
0
3
8
0
6
3
7
0
20
25
20
20
0
0
20
15
0
3
10
3
12
6
0
7
3
8
0
25
35
25
25
0
0
25
20
0
3
10
12
12
3
15
7
0
8
3
10
0
35
15
15
3
20
8
0
10
3
10
20
20
3
25
10
0
10
25
25
3
35
10
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
7C106B-35
分钟。
MAX 。 UNIT
写周期
[8, 9]
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠定义和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，而无论这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05037牧师**
第10个5
1CY7C1006B
CY7C106B
CY7C1006B
256K ×4的静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12 ns的
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 495毫瓦
低待机功耗
- 275毫瓦
2.0V数据保留（可选）
—
100
W
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
使能（ CE ） ，一个低电平有效输出使能（ OE ）和
三态驱动器。这些设备有一个自动pow-
ER-下降功能，可降低功耗更
超过65％时，设备被取消。
写入设备被以芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在这四个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
3
）将被写入的位置的试样
田间的地址引脚（A
0
至A
17
).
从设备读入通过取片烯实现
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在四个I / O引脚。
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被放置在一个
高阻抗，当设备被取消状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE和WE LOW ） 。
该CY7C106B是在一个标准的400密耳范围内的SOJ可用;
该CY7C1006B可在一个标准的300密耳宽SOJ 。
功能说明
该CY7C106B和CY7C1006B是高性能
CMOS静态RAM， 4位组织为262,144字。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
CE
OE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
输入缓冲器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
检测放大器
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
V
CC
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
C106B–2
512 x 512 x 4
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
CE
WE
OE
C106B–1
选购指南
7C106B-12
7C1006B-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作
电流（mA ）
最长待机
电流（mA ）
12
90
50
7C106B-15
7C1006B-15
15
80
30
7C106B-20
7C1006B-20
20
75
30
7C106B-25
7C1006B-25
25
70
30
7C106B-35
35
60
25
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05037牧师**
A
0
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C106B
CY7C1006B
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
范围
广告
产业
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
环境
温度
[2]
0
°
C至+70
°
C
–45
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V
±
10%
文件编号： 38-05037牧师**
第10 2
CY7C106B
CY7C1006B
电气特性
在整个工作范围
7C106B-12
7C1006B-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
Com'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
+5
–300
90
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C106B-15
7C1006B-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
+5
–300
80
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C106B-20
7C1006B-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
+5
–300
75
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
50
30
30
mA
I
SB2
10
10
10
mA
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
70
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–5
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
–300
60
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
30
25
mA
I
SB2
10
10
mA
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
文件编号： 38-05037牧师**
第10 3
CY7C106B
CY7C1006B
电容
[4]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
7
10
10
单位
pF
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 480
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2 GND
255
上升时间< 1V / ns的
R1 480
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间< 1V / ns的
(a)
相当于：
产量
戴维南等效
167
1.73V
(b)
C106B–3
C106B–4
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05037牧师**
第10 4
CY7C106B
CY7C1006B
开关特性
在整个工作范围
[5]
7C106B - 12 7C106B - 15 7C106B - 20 7C106B - 25
7C1006B - 12 7C1006B - 15 7C1006B - 20 7C1006B - 25
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
12
10
10
0
0
10
7
0
2
6
0
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
3
6
0
15
20
15
15
0
0
15
10
0
3
8
0
6
3
7
0
20
25
20
20
0
0
20
15
0
3
10
3
12
6
0
7
3
8
0
25
35
25
25
0
0
25
20
0
3
10
12
12
3
15
7
0
8
3
10
0
35
15
15
3
20
8
0
10
3
10
20
20
3
25
10
0
10
25
25
3
35
10
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
7C106B-35
分钟。
MAX 。 UNIT
写周期
[8, 9]
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠定义和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，而无论这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05037牧师**
第10个5
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