CY7C1069BV33
16兆位（ 2M ×8 ）静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- 990毫瓦（最大）
工作3.3 ± 0.3V的电压
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
提供无铅和无无铅54引脚TSOP II
包
功能说明
该CY7C1069BV33是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 2,097,152字。写入
装置是通过使芯片（通过取CE的实现
LOW ）和写使能（ WE）输入低电平。
从设备读通过使芯片实现
（ CE LOW）以及强制的输出使能（ OE ）低
而强迫写使能（ WE） HIGH 。见真值表
在此数据表的背面为一个完整的描述
读写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE LOW和WE低）。
该CY7C1069BV33可在一个54引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）的引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
销刀豆网络gurations
[1, 2]
54针TSOP II （顶视图）
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
2M ×8
ARRAY
I / O
0
-I / O
7
COLUMN
解码器
WE
OE
CE
NC
V
CC
NC
I / O
6
V
SS
I / O
7
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
CE
V
CC
WE
DNU / V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
NC
V
SS
NC
I / O
5
V
CC
I / O
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
OE
V
SS
A
20
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
3
V
SS
I / O
2
NC
DNU / V
SS
行解码器
检测放大器
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
I / O
0
V
CC
I / O
1
NC
V
SS
NC
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
A
20
V
CC
NC
注意事项：
1. DNU / V
CC
销（ ＃ 16 ）必须悬空或连接到V
CC
和DNU / V
SS
引脚（ ＃ 40 ）必须悬空或连接到V
SS
以确保适当的应用程序。
2. NC - 无连接引脚没有连接到芯片。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05694牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日
CY7C1069BV33
选购指南
–10
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
广告
产业
商业/工业
10
275
275
50
–12
12
260
260
50
mA
单位
ns
mA
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
DC电气特性
在整个工作范围
–10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低
电压
[3]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Comm'l /
Ind'l
Comm'l
Ind'l
输入漏电流
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
275
275
70
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
260
260
70
–12
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
输出漏电流接地< V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
I
SB2
50
50
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
[4]
参数
描述
测试条件
TSOP -II
49.95
3.34
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻（结到环境） ，测试条件遵循标准测试
方法和程序，用于测量
热阻（结到管壳）
热阻抗，按照EIA / JESD51 。
注意事项：
3. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05694牧师* B
第2 7
CY7C1069BV33
交流测试负载和波形
[5]
50
产量
Z0 = 50
(a)
V
TH
= 1.5V
3.3V
产量
*包括
夹具
范围
90%
10%
(c)
[6]
R1 317
30 pF的*容性负载由所有的
在测试环境中的部件
所有的输入脉冲
3.3V
GND
上升时间> 1V / ns的
90%
10%
5 pF的*
R2
351
(b)
下降时间： > 1V / ns的
AC开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
周期
[10, 11]
写周期时间
CE撰写完
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[8]
WE低到高-Z
[8]
V
CC
（典型值）的第一接入
[7]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
[8]
CE低到低Z
[8]
CE到高阻
[8]
CE到电
[9]
CE掉电
[9]
描述
–10
分钟。
1
10
10
3
10
5
1
5
3
5
0
10
10
7
7
0
0
7
5.5
0
3
5
12
8
8
0
0
8
6
0
3
0
3
1
3
马克斯。
分钟。
1
12
–12
马克斯。
单位
ms
ns
12
12
6
6
6
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
ns
注意事项：
5.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
（ 3.0V ） 。只要1毫秒（T
动力
）到达后，
最小工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 2.0V ）的电压。
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和输电线路的负荷。试验条件为交流测试负载的读周期利用输出部分地示出加载） ，除非另有规定。
7. t
动力
给时间的电源应该是在典型的Vcc值，直到第一个存储器访问能够进行的最小量。
8. t
HZOE
, t
HZSCE
, t
HZWE
和T
LZOE
, t
LZCE
和叔
LZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±200
mV
从稳态电压。
9，这些参数由设计保证，未经测试。
10.存储器的内部写时间是由重叠定义
CE LOW
和WE低。 CE和我们必须为低电平启动写，和任何的过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05694牧师* B
第3页7
CY7C1069BV33
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE控制）
[15, 16]
t
WC
地址
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
BW
t
SD
DATAI / O
t
HD
t
HA
写周期2号（我们控制， OE低）
[15, 16]
t
WC
地址
CE
t
SCE
t
AW
t
SA
t
PWE
t
HA
WE
t
HZWE
数据I / O
t
LZWE
t
SD
t
HD
真值表
CE
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
I / O
0
-I / O
7
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
掉电
读
写
选择输出禁用
模式
动力
待机（我
SB
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
注意事项：
15.数据的I / O为高阻抗，如果OE = V
IH
.
16.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-05694牧师* B
第5页第7
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