CY7C1062AV25
512K ×32静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- 745毫瓦（最大）
工作2.5 ± 0.2V的电压
1.5V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和CE
3
特点
提供非无铅119球间距球栅阵列
包
功能说明
该CY7C1062AV25是一个高性能的CMOS静态
RAM由32位组织为524,288字。
写入设备是通过使所述芯片来实现
（ CE
1,
CE
2
和CE
3
LOW ），并强迫写使能（ WE）
输入低电平。如果字节使能A（B
A
）为低电平，然后从我的数据输入/输出
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到指定的位置
地址引脚（A
0
至A
18
） 。如果字节使能B （B
B
）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
18
).
同样，B
C
和B
D
与I / O引脚对应的I / O
16
到I / O
23
和I / O
24
到I / O
31
上。
从设备读通过使芯片实现
（ CE
1,
CE
2
和CE
3
LOW ），而迫使输出使能
（ OE ）低和写使能（ WE） HIGH 。如果第一字节
启用（B
A
）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
允许B （B
B
）为低电平，然后从存储器中的数据将出现在
I / O
8
到I / O
15
。同样，B
c
和B
D
对应于第三和
第四字节。见真值表在此数据表的背面
用于读取和写入模式的完整描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
31
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1,
CE
2
或CE
3
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时，
字节选择禁用（B
A-D
高） ，或在写入期间
操作（ CE
1,
CE
2
和CE
3
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1062AV25可在119焊球间距球栅
阵列（ PBGA ）封装。
逻辑框图
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
行解码器
512K ×32
ARRAY
输出缓冲器
检测放大器
WE
CE
1
CE
2
CE
3
OE
B
A
B
B
B
C
B
D
I / O
0
-I / O
31
COLUMN
解码器
A 10
A 11
A 12
A 13
A 14
A 15
A 16
A 17
A 18
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05333修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月10日
[+ ]反馈
控制逻辑
CY7C1062AV25
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[1]
.... -0.5V至+ 3.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.5V
±
0.2V
DC电气特性
在整个工作范围
–10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大值，女= F
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
Com'l / Ind'l
Com'l / Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 1.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.0
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
275
100
50
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
Com'l / Ind'l
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 2.5V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
[3]
50
产量
Z
0
= 50
V
TH
= V
DD
/2
30 pF的
包括所有的组件
测试设备R1 317Ω
2.3V
90%
GND
上升时间> 1 V / ns的
戴维南等效
167
产量
10%
90%
10%
下降时间：
> 1 V / ns的
所有的输入脉冲
(a)
2.5V
包括输出
夹具
范围
5 pF的
(b)
R2
351
1.73V
(c)
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
3.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
（ 2.3V ） 。只要1毫秒（T
动力
）到达后，
最小工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 1.5V ）的电压。
文件编号： 38-05333修订版**
第3 9
[+ ]反馈
CY7C1062AV25
AC开关特性
在整个工作范围
[4]
–10
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE
1
，CE
2
，或CE
3
低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[6]
WE低到高-Z
[6]
字节使能，以结束写的
7
10
7
7
0
0
7
5.5
0
3
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
（典型值）的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
，CE
2
，或CE
3
低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高来高-Z
[6]
描述
分钟。
1
10
马克斯。
单位
ms
ns
10
3
10
5
1
5
3
5
0
10
5
1
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE
1
，CE
2
，或CE
3
低到低Z
[6]
CE
1
，CE
2
，或CE
3
高来高-Z
[6]
CE
1
，CE
2
，或CE
3
低到电
[7]
CE
1
，CE
2
，或CE
3
高到掉电
[7]
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
[6]
字节禁止以高阻
[6]
注意事项：
4.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.1V的参考电平， 0输入脉冲电平为2.3V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和输电线路的负荷。试验条件为读周期利用输出负载在交流测试负载（ a）中，除非另有说明，如图所示。
5.这部分有一个稳压器，降压电压从2.3V至2V内部。吨
动力
时，必须首先提供一个读/写操作是前
开始。
6. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
, t
HZBE
和叔
LZOE
, t
LZCE
, t
LZWE
和叔
LZBE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±200 mV的自稳态电压。
7.这些参数由设计保证，未经测试。
8.存储器的内部写入时间由CE1低，CE 2高， CE3低的重叠所定义，和WE为低电平。该芯片能必须有效和WE
必须为低来启动写操作，以及任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据的建立时间和保持时间应参考
到终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05333修订版**
第4页第9
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