CY7C1061AV33
1M ×16静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 8 ，10，12纳秒
低有功功率
- 1080兆瓦（最大）
工作3.3 ± 0.3V的电压
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
和CE
2
特点
在地址引脚指定的（A
0
至A
19
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过
I / O
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
19
).
从设备读通过使芯片实现
通过采取CE
1
LOW和CE
2
高而迫使输出
启用（ OE ）低和写使能（ WE） HIGH 。如果字节
低使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。见真值表在这个数据的背后
片读写模式下的完整描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
HIGH / CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE HIGH ）时，
BHE和BLE被禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或在
写操作（ CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该CY7C1061AV33可在一个54引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）引脚，以及一个
48球精细间距球栅阵列（ FBGA ）封装。
功能说明
该CY7C1061AV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为1,048,576字。
写入设备是通过使所述芯片来实现
（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ），而强迫写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入的位置
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
TSOP II （顶视图）
I / O
12
V
CC
I / O
13
I / O
14
V
SS
I / O
15
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
BHE
CE
1
V
CC
WE
CE
2
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
I / O
0
V
CC
I / O
1
I / O
2
V
SS
I / O
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1M ×16
ARRAY
4096 x 4096
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
2
CE
1
OE
BLE
I / O
11
V
SS
I / O
10
I / O
9
V
CC
I / O
8
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
OE
V
SS
DNU （不使用）
BLE
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
7
V
SS
I / O
6
I / O
5
V
CC
I / O
4
行解码器
选购指南
-8
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
广告
产业
商业/工业
8
300
300
50
-10
10
275
275
50
-12
12
260
260
50
mA
单位
ns
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05256牧师* D
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2003年2月21日
CY7C1061AV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC电气特性
在整个工作范围
-8
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大值，女= F
最大
=
1/t
RC
CE
2
< = V
IL
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
CE
2
< = 0.3V
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
商用/
产业
广告
产业
输出漏电流接地< V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
300
300
70
2.0
–0.3
–1
–1
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
275
275
70
2.0
–0.3
–1
–1
-10
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
260
260
70
-12
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
I
SB2
50
50
50
mA
电容
[2]
参数
C
IN
包
Z54
BA48
C
OUT
Z54
BA48
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
描述
输入电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
pF
pF
I / O容量
8
10
文件编号： 38-05256牧师* D
第11 3
CY7C1061AV33
交流测试负载和波形
[3]
50
产量
Z
0
= 50
30 pF的*
V
TH
= 1.5V
3.3V
产量
5 pF的*
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
351
R1 317
(a)
*容性负载由所有的COM的
在测试环境中的元件。
所有的输入脉冲
3.3V
90%
GND
上升时间> 1V / ns的
10%
90%
10%
下降时间：
> 1V / ns的
(c)
AC开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
写周期时间
CE
1
LOW / CE
2
HIGH到写入结束
V
CC
（典型值）的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW / CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[6]
CE
1
LOW / CE
2
前高后低-Z
[6]
CE
1
HIGH / CE
2
从低到高-Z
[6]
CE
1
LOW / CE
2
HIGH到Power -UP
[7]
CE
1
HIGH / CE
2
低
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
掉电
[7]
字节使能到数据有效
描述
[4]
-8
分钟。
1
8
8
3
8
5
1
5
3
5
0
8
5
1
5
8
6
10
7
1
0
3
1
3
马克斯。
分钟。
1
10
-10
马克斯。
分钟。
1
12
10
3
10
5
1
5
3
5
0
10
5
1
5
12
8
-12
马克斯。
单位
ms
ns
12
12
6
6
6
12
6
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
3.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
（ 3.0V ） 。只要1毫秒（T
动力
）到达后，
最小工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 2.0V ）的电压。
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
并指定传输线的负载。试验条件为交流测试负载的读周期利用输出部分地示出加载） ，除非另有规定。
5.这部分有一个电压调节器降压为3V的电压在内部2V 。吨
动力
时，必须在读/写操作前初始提供
被启动。
6. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
, t
HZBE
和T
LZOE
, t
LZCE
, t
\\ LZWE
, t
LZBE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±200
从毫伏
稳态电压。
7.这些参数由设计保证，未经测试。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
LOW （ CE
2
HIGH ）和WE低。芯片使必须是活动和WE和字节使能必须的
低到开始写，以及任何这些信号的转换可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间，应参照的
导致该终止写信号的边沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05256牧师* D
第11 4
CY7C1061AV33
AC开关特性
在工作范围（续）
[4]
-8
参数
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
描述
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[6]
WE低到高-Z
[6]
字节使能，以结束写的
6
分钟。
6
0
0
6
5
0
3
5
7
马克斯。
分钟。
7
0
0
7
5.5
0
3
5
8
-10
马克斯。
分钟。
8
0
0
8
6
0
3
6
-12
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
10.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
。 CE2 = V
IH
.
11.我们是高读周期。
文件编号： 38-05256牧师* D
第11个5
CY7C1061AV33
1M ×16静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 8 ，10，12纳秒
低有功功率
- 1080兆瓦（最大）
工作3.3 ± 0.3V的电压
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
和CE
2
特点
在地址引脚指定的（A
0
至A
19
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过
I / O
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
19
).
从设备读通过使芯片实现
通过采取CE
1
LOW和CE
2
高而迫使输出
启用（ OE ）低和写使能（ WE） HIGH 。如果字节
低使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。见真值表在这个数据的背后
片读写模式下的完整描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
HIGH / CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE HIGH ）时，
BHE和BLE被禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或在
写操作（ CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该CY7C1061AV33可在一个54引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）引脚，以及一个
48球精细间距球栅阵列（ FBGA ）封装。
功能说明
该CY7C1061AV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为1,048,576字。
写入设备是通过使所述芯片来实现
（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ），而强迫写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入的位置
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
TSOP II （顶视图）
I / O
12
V
CC
I / O
13
I / O
14
V
SS
I / O
15
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
BHE
CE
1
V
CC
WE
CE
2
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
I / O
0
V
CC
I / O
1
I / O
2
V
SS
I / O
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1M ×16
ARRAY
4096 x 4096
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
2
CE
1
OE
BLE
I / O
11
V
SS
I / O
10
I / O
9
V
CC
I / O
8
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
OE
V
SS
DNU （不使用）
BLE
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
7
V
SS
I / O
6
I / O
5
V
CC
I / O
4
行解码器
选购指南
-8
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
广告
产业
商业/工业
8
300
300
50
-10
10
275
275
50
-12
12
260
260
50
mA
单位
ns
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05256牧师* D
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2003年2月21日
CY7C1061AV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC电气特性
在整个工作范围
-8
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大值，女= F
最大
=
1/t
RC
CE
2
< = V
IL
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
CE
2
< = 0.3V
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
商用/
产业
广告
产业
输出漏电流接地< V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
300
300
70
2.0
–0.3
–1
–1
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
275
275
70
2.0
–0.3
–1
–1
-10
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
260
260
70
-12
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
I
SB2
50
50
50
mA
电容
[2]
参数
C
IN
包
Z54
BA48
C
OUT
Z54
BA48
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
描述
输入电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
pF
pF
I / O容量
8
10
文件编号： 38-05256牧师* D
第11 3
CY7C1061AV33
交流测试负载和波形
[3]
50
产量
Z
0
= 50
30 pF的*
V
TH
= 1.5V
3.3V
产量
5 pF的*
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
351
R1 317
(a)
*容性负载由所有的COM的
在测试环境中的元件。
所有的输入脉冲
3.3V
90%
GND
上升时间> 1V / ns的
10%
90%
10%
下降时间：
> 1V / ns的
(c)
AC开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
写周期时间
CE
1
LOW / CE
2
HIGH到写入结束
V
CC
（典型值）的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW / CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[6]
CE
1
LOW / CE
2
前高后低-Z
[6]
CE
1
HIGH / CE
2
从低到高-Z
[6]
CE
1
LOW / CE
2
HIGH到Power -UP
[7]
CE
1
HIGH / CE
2
低
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
掉电
[7]
字节使能到数据有效
描述
[4]
-8
分钟。
1
8
8
3
8
5
1
5
3
5
0
8
5
1
5
8
6
10
7
1
0
3
1
3
马克斯。
分钟。
1
10
-10
马克斯。
分钟。
1
12
10
3
10
5
1
5
3
5
0
10
5
1
5
12
8
-12
马克斯。
单位
ms
ns
12
12
6
6
6
12
6
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
3.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
（ 3.0V ） 。只要1毫秒（T
动力
）到达后，
最小工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 2.0V ）的电压。
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
并指定传输线的负载。试验条件为交流测试负载的读周期利用输出部分地示出加载） ，除非另有规定。
5.这部分有一个电压调节器降压为3V的电压在内部2V 。吨
动力
时，必须在读/写操作前初始提供
被启动。
6. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
, t
HZBE
和T
LZOE
, t
LZCE
, t
\\ LZWE
, t
LZBE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±200
从毫伏
稳态电压。
7.这些参数由设计保证，未经测试。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
LOW （ CE
2
HIGH ）和WE低。芯片使必须是活动和WE和字节使能必须的
低到开始写，以及任何这些信号的转换可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间，应参照的
导致该终止写信号的边沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05256牧师* D
第11 4
CY7C1061AV33
AC开关特性
在工作范围（续）
[4]
-8
参数
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
描述
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[6]
WE低到高-Z
[6]
字节使能，以结束写的
6
分钟。
6
0
0
6
5
0
3
5
7
马克斯。
分钟。
7
0
0
7
5.5
0
3
5
8
-10
马克斯。
分钟。
8
0
0
8
6
0
3
6
-12
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
10.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
。 CE2 = V
IH
.
11.我们是高读周期。
文件编号： 38-05256牧师* D
第11个5
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