CY7C1049CV33
4兆位（ 512K ×8）静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- 324毫瓦（最大）
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
功能说明
[1]
该CY7C1049CV33是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 524,288字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1049CV33是标准的400密耳范围内可用
36引脚SOJ封装和44引脚TSOP II封装中心
电源线和地线（革命）的引脚。
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
TSOP II
顶视图
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
GND
I / O
2
I / O
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
7
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
NC
注意事项：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅
系统设计指南
赛普拉斯应用笔记，可以在互联网上www.cypress.com上。
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05006牧师* E
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年3月29日
CY7C1049CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
-0.5V至+ 4.6VDC
施加电压到输出
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输入电压
[3]
...................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
电气特性
在整个工作范围
-8
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
;
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l / Ind'l
Com'l / Ind'l
Com'l
Ind'l
Com'l / Ind'l
测试条件
V
CC
=分钟;我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=敏。我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
100
110
40
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
90
100
40
2.0
–0.3
–1
–1
-10
分钟。
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
85
95
40
-12
分钟。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
Com'l / Ind'l
10
10
10
mA
电气特性
在整个工作范围
-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l / Ind'l
汽车
Com'l / Ind'l
汽车
Com'l
Ind'l
汽车
注意：
3. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
-20
马克斯。
0.4
分钟。
2.4
0.4
2.0
–0.3
–1
-
–1
-
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
-
+1
-
80
90
-
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
测试条件
V
CC
=分钟;我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=敏。我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
2.0
–0.3
–1
–20
–1
–20
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+20
+1
+20
80
90
95
文件编号： 38-05006牧师* E
第11 3
CY7C1049CV33
电气特性
在工作范围（续）
-15
参数
I
SB1
描述
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
测试条件
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
;
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l / Ind'l
汽车
Com'l / Ind'l
汽车
分钟。
马克斯。
40
45
10
15
分钟。
-20
马克斯。
40
-
10
-
单位
mA
mA
mA
mA
I
SB2
热阻
[4]
参数
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循
标准测试方法
和程序
测量热
阻抗，按照EIA /
JESD51.
36引脚SOJ 36引脚SOJ 44 - TSOP- II 44 - TSOP- II
（非无铅） （无铅） （非无铅） （无铅）单位
46.51
18.8
46.51
18.8
41.66
10.56
41.66
10.56
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
[5]
8- ，10- ns的装置：
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
12-， 15-， 20 - ns的设备：
Z = 50
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
(a)
高阻抗特性：
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
(b)
R 317
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
注意事项：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. AC特性（除了高Z ）的所有8纳秒和10毫微秒的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用的测试
在图中所示的戴维南负载（ b）所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
文件编号： 38-05006牧师* E
第11 4
CY7C1049CV33
AC开关特性
在整个工作范围
[6]
-8
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[9]
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[9]
WE低到高-Z
[8, 9]
8
6
6
0
0
6
4
0
3
4
0
8
10
7
7
0
0
7
5
0
3
5
3
4
0
10
12
8
8
0
0
8
6
0
3
6
0
4
3
5
0
12
3
8
4
0
5
3
6
1
8
8
3
10
5
0
6
1
10
10
3
12
6
1
12
12
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-10
马克斯。
分钟。
-12
马克斯。
单位
写周期
[10, 11]
阴影区域包含预览。
AC开关特性
在整个工作范围
[6]
-15
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
1
15
15
3
15
7
1
20
20
3
20
8
s
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
注意事项：
6.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
7. t
动力
给时间的电源应该是稳定的，典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，和过渡要么
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05006牧师* E
第11个5
CY7C1049CV33
4兆位（ 512K ×8）静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- 324毫瓦（最大）
2.0V数据保留
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
功能说明
[1]
该CY7C1049CV33是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 524,288字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1049CV33是标准的400密耳范围内可用
36引脚SOJ封装和44引脚TSOP II封装中心
电源线和地线（革命）的引脚。
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
TSOP II
顶视图
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
GND
I / O
2
I / O
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
7
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
NC
注意事项：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05006牧师* C
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年7月19日
CY7C1049CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
.................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
.... -0.5V至+ 4.6V
电气特性
在整个工作范围
参
TER
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
-8
[]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入负载电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
Com'l / Ind'l
汽车
I
OZ
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
OUT
＆ LT ;
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l / Ind'l
汽车
Com'l
Ind'l
汽车
I
SB1
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
最大。 V
CC
， CE > Com'l / Ind'l
V
IH
; V
IN
＆ GT ; V
IH
或汽车
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
Com'l / Ind'l
CE > V
CC
- 0.3V ，汽车
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=分钟;我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=敏。我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
-
–1
-
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
-
+1
-
100
110
-
40
-
10
-
2.0
–0.3
–1
-
–1
-
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
-
+1
-
90
100
-
40
-
10
-
2.0
–0.3
–1
-
–1
-
-10
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
-
+1
-
85
95
-
40
-
10
-
2.0
–0.3
–1
–20
–1
–20
-12
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+20
+1
+20
80
90
95
40
45
10
15
-15
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
I
CC
I
SB2
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[4]
参数
描述
测试条件
36引脚SOJ
（非
无铅）
46.51
36引脚SOJ
（无铅）
46.51
44-TSOP-II
（非
无铅）
41.66
44-TSOP-II
（无铅）
41.66
单位
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻测试条件遵循
标准测试方法
（路口
和程序
环境）
热电阻测量热
（结点到外壳）的阻抗，按照EIA /
JESD51.
18.8
18.8
10.56
10.56
° C / W
注意事项：
3. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05006牧师* C
第3 9
CY7C1049CV33
交流测试负载和波形
[5]
8- ，10- ns的装置：
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
12-， 15 - ns的装置：
Z = 50
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
(a)
高阻抗特性：
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
(b)
R 317
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
AC开关特性
[6]
在整个工作范围
-8
[]
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[9]
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
周期
[10, 11]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[9]
WE低到高-Z
[8, 9]
8
6
6
0
0
6
4
0
3
4
10
7
7
0
0
7
5
0
3
5
12
8
8
0
0
8
6
0
3
6
15
10
10
0
0
10
7
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
8
3
4
0
10
0
4
3
5
0
12
3
8
4
0
5
3
6
0
15
1
8
8
3
10
5
0
6
3
7
1
10
10
3
12
6
0
7
1
12
12
1
15
15
3
15
7
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-10
马克斯。
分钟。
-12
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
单位
注意事项：
5. AC特性（除了高Z ）的所有8纳秒和10毫微秒的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用的测试
在图中所示的戴维南负载（ b）所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
文件编号： 38-05006牧师* C
第4页第9
CY7C1049CV33
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[13, 14]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
数据输出
V
CC
供应
当前
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
I
SB
I
CC
高
阻抗
注意事项：
6.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
7. t
动力
给时间的电源应该是稳定的，典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，而无论这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
12.设备被连续地选择。 OE ，CE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
文件编号： 38-05006牧师* C
第5 9
CY7C1049CV33
4兆位（ 512K ×8）静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- 324毫瓦（最大）
2.0V数据保留
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
功能说明
[1]
该CY7C1049CV33是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 524,288字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1049CV33是标准的400密耳范围内可用
36引脚SOJ封装和44引脚TSOP II封装中心
电源线和地线（革命）的引脚。
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
TSOP II
顶视图
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
GND
I / O
2
I / O
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
7
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
NC
注意事项：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05006牧师* C
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年7月19日
CY7C1049CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
.................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
.... -0.5V至+ 4.6V
电气特性
在整个工作范围
参
TER
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
-8
[]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入负载电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
Com'l / Ind'l
汽车
I
OZ
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
OUT
＆ LT ;
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l / Ind'l
汽车
Com'l
Ind'l
汽车
I
SB1
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
最大。 V
CC
， CE > Com'l / Ind'l
V
IH
; V
IN
＆ GT ; V
IH
或汽车
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
Com'l / Ind'l
CE > V
CC
- 0.3V ，汽车
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=分钟;我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=敏。我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
-
–1
-
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
-
+1
-
100
110
-
40
-
10
-
2.0
–0.3
–1
-
–1
-
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
-
+1
-
90
100
-
40
-
10
-
2.0
–0.3
–1
-
–1
-
-10
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
-
+1
-
85
95
-
40
-
10
-
2.0
–0.3
–1
–20
–1
–20
-12
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+20
+1
+20
80
90
95
40
45
10
15
-15
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
I
CC
I
SB2
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[4]
参数
描述
测试条件
36引脚SOJ
（非
无铅）
46.51
36引脚SOJ
（无铅）
46.51
44-TSOP-II
（非
无铅）
41.66
44-TSOP-II
（无铅）
41.66
单位
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻测试条件遵循
标准测试方法
（路口
和程序
环境）
热电阻测量热
（结点到外壳）的阻抗，按照EIA /
JESD51.
18.8
18.8
10.56
10.56
° C / W
注意事项：
3. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05006牧师* C
第3 9
CY7C1049CV33
交流测试负载和波形
[5]
8- ，10- ns的装置：
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
12-， 15 - ns的装置：
Z = 50
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
(a)
高阻抗特性：
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
(b)
R 317
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
AC开关特性
[6]
在整个工作范围
-8
[]
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[9]
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
周期
[10, 11]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[9]
WE低到高-Z
[8, 9]
8
6
6
0
0
6
4
0
3
4
10
7
7
0
0
7
5
0
3
5
12
8
8
0
0
8
6
0
3
6
15
10
10
0
0
10
7
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
8
3
4
0
10
0
4
3
5
0
12
3
8
4
0
5
3
6
0
15
1
8
8
3
10
5
0
6
3
7
1
10
10
3
12
6
0
7
1
12
12
1
15
15
3
15
7
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-10
马克斯。
分钟。
-12
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
单位
注意事项：
5. AC特性（除了高Z ）的所有8纳秒和10毫微秒的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用的测试
在图中所示的戴维南负载（ b）所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
文件编号： 38-05006牧师* C
第4页第9
CY7C1049CV33
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[13, 14]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
数据输出
V
CC
供应
当前
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
I
SB
I
CC
高
阻抗
注意事项：
6.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
7. t
动力
给时间的电源应该是稳定的，典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，而无论这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
12.设备被连续地选择。 OE ，CE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
文件编号： 38-05006牧师* C
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