CY7C1049B
512K ×8静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12 ns的
低有功功率
- 1320兆瓦（最大）
CMOS低待机功耗（商业L型）
- 2.75毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 400
W
在2.0V保留）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
提供无铅和无无铅36引脚（ 400密耳）
模压SOJ
功能说明
[1]
该CY7C1049B是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 524,288字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。写作
到该设备，采取芯片使能（CE）来实现，并
写使能（ WE）输入低电平。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1049B可在一个标准的400密耳宽
36引脚SOJ封装中心的电源和地（革命
任意）引脚排列。
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
GND
I / O
2
I/O3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05169牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月31日
[+ ]反馈
CY7C1049B
选购指南
-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机
电流（mA ）
广告
产业
广告
L
12
240
8
-
-
-15
15
220
8
-
-
-17
17
195
8
-
0.5
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
4.5V–5.5V
电气特性
在整个工作范围
参数
描述
测试条件
分钟。
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大。
,
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
Com'l
Ind'l
L
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–1
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
240
40
2.2
–0.3
–1
–1
-12
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
220
40
2.2
–0.3
–1
–1
-15
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.3
+1
+1
195
40
-17
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB2
8
-
-
8
-
-
8
0.5
8
mA
mA
mA
注意：
2.最小电压为 - 2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05169牧师* B
第2 9
[+ ]反馈
CY7C1049B
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
≤
3纳秒
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
3纳秒
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05169牧师* B
第3 9
[+ ]反馈
CY7C1049B
开关特性
在整个工作范围
[4]
-12
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
V
CC
（典型值）的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高到高Z
[6, 7]
-15
马克斯。
分钟。
1
15
12
15
3
12
6
15
7
0
6
7
3
6
7
0
12
15
15
12
12
0
0
12
8
0
3
6
7
17
12
12
0
0
12
8
0
3
0
3
0
3
马克斯。
分钟。
1
17
-17
马克斯。
单位
ms
ns
17
17
8
7
7
17
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
ns
描述
分钟。
1
12
3
0
3
0
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
写周期
[8, 9]
12
10
10
0
0
10
7
0
3
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[3]
t
R[10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
Com'l
L V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
[11]
分钟。
2.0
200
0
t
RC
马克斯。
单位
V
A
ns
ns
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5.这部分有一个电压调节器，它由5V电压降压至3.3V内部。吨
动力
时，必须在读/写操作前初始提供
被启动。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，并任过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
10. t
r
< 3ns的所有速度
11.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
文件编号： 38-05169牧师* B
第4页第9
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