049
初步
CY7C1049
512K ×8静态RAM
特点
高速
— t
AA
- 15纳秒
低有功功率
- 1210兆瓦（最大）
CMOS低待机功耗（商业L型）
- 2.75毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 400
W
在2.0V保留）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
由低电平有效的芯片提供使能（CE ） ，有源低
输出使能（OE ）和三态驱动器。写入到设备
副由以芯片使能（ CE ）和write恩完成
能（ WE）输入低。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过
I / O
7
）将被写入的地址所指定的位置
销（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写恩
能（ WE） HIGH 。的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的存储器位置上会出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1049可在一个标准的400密耳宽36针
SOJ封装中心的电源和地（革命）
引脚排列。
功能说明
该CY7C1049是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
8位ganized为524,288字。易内存扩展
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
GND
I / O
2
I/O3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
1049–2
CE
WE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
OE
1049–1
选购指南
7C1049-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机
电流（mA ）
Com'l
Com'l
Ind'l
军事
阴影区域包含预览。
7C1049-15
15
220
8
0.5
9
7C1049-17
17
195
8
0.5
9
7C1049-20
20
185
8
0.5
9
10
7C1049-25
25
180
8
0.5
9
10
12
240
8
L
0.5
9
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05063牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月31日
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
CY7C1049
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
军事
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
4.5V–5.5V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
测试条件
7C1049-12
分钟。
输出高电压V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大。
,
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
Com'l
Ind'l
军事
阴影区域包含预览。
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
7C1049-15
分钟。
2.4
马克斯。
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
220
40
7C1049-17
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.3
+1
+1
195
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
马克斯。
0.4
2.4
2.2
–0.3
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
240
40
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
I
SB2
8
L
0.5
9
10
8
0.5
9
10
8
0.5
9
10
mA
mA
mA
mA
文件编号： 38-05063牧师**
第10 2
初步
电气特性
在工作范围（续）
测试条件
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大。
,
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
Com'l
Ind'l
军事
L
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–1
7C1049-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
185
40
2.2
–0.3
–1
–1
马克斯。
CY7C1049
7C1049-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+1
180
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB2
8
0.5
9
10
8
0.5
9
10
mA
mA
mA
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
3ns
≤
3纳秒
1049–3
1049–4
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
文件编号： 38-05063牧师**
第10 3
初步
开关特性
[4]
在整个工作范围
7C1049-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
0
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
3
6
0
15
17
12
12
0
0
12
8
0
3
0
6
3
7
0
3
12
6
0
7
3
12
12
3
15
7
0
15
15
3
17
描述
分钟。
马克斯。
7C1049-15
分钟。
马克斯。
CY7C1049
7C1049-17
分钟。
马克斯。
单位
ns
17
17
8
7
7
17
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
ns
写周期
[7,8]
阴影区域包含预览。
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，并任过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
8.最小写入周期时间为写周期没有。 3 （我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05063牧师**
第10 4
049
初步
CY7C1049
512K ×8静态RAM
特点
高速
— t
AA
- 15纳秒
低有功功率
- 1210兆瓦（最大）
CMOS低待机功耗（商业L型）
- 2.75毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 400
W
在2.0V保留）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
由低电平有效的芯片提供使能（CE ） ，有源低
输出使能（OE ）和三态驱动器。写入到设备
副由以芯片使能（ CE ）和write恩完成
能（ WE）输入低。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过
I / O
7
）将被写入的地址所指定的位置
销（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写恩
能（ WE） HIGH 。的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的存储器位置上会出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1049可在一个标准的400密耳宽36针
SOJ封装中心的电源和地（革命）
引脚排列。
功能说明
该CY7C1049是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
8位ganized为524,288字。易内存扩展
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
GND
I / O
2
I/O3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
1049–2
CE
WE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
OE
1049–1
选购指南
7C1049-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机
电流（mA ）
Com'l
Com'l
Ind'l
军事
阴影区域包含预览。
7C1049-15
15
220
8
0.5
9
7C1049-17
17
195
8
0.5
9
7C1049-20
20
185
8
0.5
9
10
7C1049-25
25
180
8
0.5
9
10
12
240
8
L
0.5
9
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05063牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月31日
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
CY7C1049
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
军事
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
4.5V–5.5V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
测试条件
7C1049-12
分钟。
输出高电压V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大。
,
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
Com'l
Ind'l
军事
阴影区域包含预览。
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
7C1049-15
分钟。
2.4
马克斯。
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
220
40
7C1049-17
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.3
+1
+1
195
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
马克斯。
0.4
2.4
2.2
–0.3
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
240
40
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
I
SB2
8
L
0.5
9
10
8
0.5
9
10
8
0.5
9
10
mA
mA
mA
mA
文件编号： 38-05063牧师**
第10 2
初步
电气特性
在工作范围（续）
测试条件
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大。
,
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
Com'l
Ind'l
军事
L
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–1
–1
7C1049-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
185
40
2.2
–0.3
–1
–1
马克斯。
CY7C1049
7C1049-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+1
180
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB2
8
0.5
9
10
8
0.5
9
10
mA
mA
mA
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
3ns
≤
3纳秒
1049–3
1049–4
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
文件编号： 38-05063牧师**
第10 3
初步
开关特性
[4]
在整个工作范围
7C1049-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
0
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
3
6
0
15
17
12
12
0
0
12
8
0
3
0
6
3
7
0
3
12
6
0
7
3
12
12
3
15
7
0
15
15
3
17
描述
分钟。
马克斯。
7C1049-15
分钟。
马克斯。
CY7C1049
7C1049-17
分钟。
马克斯。
单位
ns
17
17
8
7
7
17
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
ns
写周期
[7,8]
阴影区域包含预览。
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，并任过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
8.最小写入周期时间为写周期没有。 3 （我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05063牧师**
第10 4
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