CY7C1046CV33
1M ×4静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 10ns的
低有功功率为10纳秒的速度
- 324毫瓦（最大）
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在这四个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
3
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1046CV33可在一个标准的400密耳宽
32引脚SOJ封装中心的电源和地（革命
任意）引脚排列。
功能说明
[1]
该CY7C1046CV33是一个高性能的CMOS静态
RAM 4位组织为1,048,576字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
输入缓冲器
I / O
0
检测放大器
1M ×4
ARRAY
I / O
1
I / O
2
I / O
3
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
V
CC
GND
I / O
1
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
3
GND
V
CC
I / O
2
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
行解码器
选购指南
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
-8
[2]
8
100
10
-10
10
90
10
-12
12
85
10
-15
15
80
10
单位
ns
mA
mA
注意事项：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
2.阴影区域包含预览。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05003修订版**
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年9月13日
CY7C1046CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.0V – 3.6V
3.0V – 3.6V
DC电气特性
在整个工作范围
-8
[2]
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
测试条件
输出高电压V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
输入高电压
输入低电压
[3]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
2.0
–0.3
–1
–1
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
100
40
2.0
–0.3
–1
–1
2.4
0.4
V
CC
2.0
+ 0.3
0.8
+1
+1
90
40
–0.3
–1
–1
-10
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
85
40
2.0
–0.3
–1
–1
-12
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
80
40
-15
V
V
V
V
A
A
mA
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
自动CE
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
IH
or
-TTL输入
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
自动CE
最大。 V
CC
,
广告
掉电电流CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
-CMOS输入
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
f=0
I
SB2
10
10
10
10
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
6
6
单位
pF
pF
注意事项：
3. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05003修订版**
第2 9
CY7C1046CV33
交流测试负载和波形
[5]
8- ，10- ns的装置：
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
12-， 15 - ns的装置：
3.3V
Z=50
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
(a)
(b)
高阻抗特性：
R 317
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
注意事项：
5. AC特性（除了高Z ）的所有8纳秒和10毫微秒的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用的测试
在图中所示的戴维南负载（ b）所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
文件编号： 38-05003修订版**
第3 9
CY7C1046CV33
AC开关特性
[6]
在整个工作范围
-8
[2]
-10
-12
-15
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
描述
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[9]
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[9]
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[9]
WE低到高-Z
[8, 9]
分钟。
1
8
马克斯。
分钟。
1
10
马克斯。
分钟。
1
12
马克斯。
分钟。
1
15
马克斯。
单位
s
ns
8
3
8
4
0
4
3
4
0
8
8
6
6
0
0
6
4
0
3
4
10
7
7
0
0
7
5
0
3
0
3
0
3
10
3
10
5
0
5
3
5
0
10
12
8
8
0
0
8
6
0
3
5
12
3
12
6
0
6
3
6
0
12
15
10
10
0
0
10
7
0
3
6
15
15
7
7
7
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
[10, 11]
7
ns
注意事项：
6.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
7. t
动力
给时间的电源应该是稳定的，典型的Vcc值，直到所述第一存储器存取能够进行最小量。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，和过渡
这两种信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05003修订版**
第4页第9
CY7C1046CV33
s
开关波形
读周期1号
[14, 15]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[15, 16]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
I
SB
I
CC
高
阻抗
数据输出
注意事项：
12. t
r
＆ LT ; 3纳秒为-10 ， -12 ， -15和速度。
13.没有输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
14.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
15.我们是高读周期。
16.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 38-05003修订版**
第5 9
CY7C1046CV33
1M ×4静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 10ns的
低有功功率为10纳秒的速度
- 324毫瓦（最大）
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在这四个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
3
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1046CV33可在一个标准的400密耳宽
32引脚SOJ封装中心的电源和地（革命
任意）引脚排列。
功能说明
[1]
该CY7C1046CV33是一个高性能的CMOS静态
RAM 4位组织为1,048,576字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
输入缓冲器
I / O
0
检测放大器
1M ×4
ARRAY
I / O
1
I / O
2
I / O
3
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
V
CC
GND
I / O
1
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
3
GND
V
CC
I / O
2
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
行解码器
选购指南
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
-8
[2]
8
100
10
-10
10
90
10
-12
12
85
10
-15
15
80
10
单位
ns
mA
mA
注意事项：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
2.阴影区域包含预览。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05003修订版**
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年9月13日
CY7C1046CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.0V – 3.6V
3.0V – 3.6V
DC电气特性
在整个工作范围
-8
[2]
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
测试条件
输出高电压V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
输入高电压
输入低电压
[3]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
2.0
–0.3
–1
–1
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
100
40
2.0
–0.3
–1
–1
2.4
0.4
V
CC
2.0
+ 0.3
0.8
+1
+1
90
40
–0.3
–1
–1
-10
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
85
40
2.0
–0.3
–1
–1
-12
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
80
40
-15
V
V
V
V
A
A
mA
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
自动CE
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
IH
or
-TTL输入
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
自动CE
最大。 V
CC
,
广告
掉电电流CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
-CMOS输入
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
f=0
I
SB2
10
10
10
10
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
6
6
单位
pF
pF
注意事项：
3. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05003修订版**
第2 9
CY7C1046CV33
交流测试负载和波形
[5]
8- ，10- ns的装置：
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
12-， 15 - ns的装置：
3.3V
Z=50
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
(a)
(b)
高阻抗特性：
R 317
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
注意事项：
5. AC特性（除了高Z ）的所有8纳秒和10毫微秒的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用的测试
在图中所示的戴维南负载（ b）所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
文件编号： 38-05003修订版**
第3 9
CY7C1046CV33
AC开关特性
[6]
在整个工作范围
-8
[2]
-10
-12
-15
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
描述
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[9]
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[9]
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[9]
WE低到高-Z
[8, 9]
分钟。
1
8
马克斯。
分钟。
1
10
马克斯。
分钟。
1
12
马克斯。
分钟。
1
15
马克斯。
单位
s
ns
8
3
8
4
0
4
3
4
0
8
8
6
6
0
0
6
4
0
3
4
10
7
7
0
0
7
5
0
3
0
3
0
3
10
3
10
5
0
5
3
5
0
10
12
8
8
0
0
8
6
0
3
5
12
3
12
6
0
6
3
6
0
12
15
10
10
0
0
10
7
0
3
6
15
15
7
7
7
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
[10, 11]
7
ns
注意事项：
6.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
7. t
动力
给时间的电源应该是稳定的，典型的Vcc值，直到所述第一存储器存取能够进行最小量。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，和过渡
这两种信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05003修订版**
第4页第9
CY7C1046CV33
s
开关波形
读周期1号
[14, 15]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[15, 16]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
I
SB
I
CC
高
阻抗
数据输出
注意事项：
12. t
r
＆ LT ; 3纳秒为-10 ， -12 ， -15和速度。
13.没有输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
14.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
15.我们是高读周期。
16.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 38-05003修订版**
第5 9
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