046BV33
初步
CY7C1046BV33
1M ×4静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率为10纳秒的速度
- 540毫瓦（最大）
CMOS低待机功耗（L版）
- 1.8毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 400
W
在2.0V保留）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。令状
荷兰国际集团到该设备，采取芯片使能（CE）来完成
和写使能（ WE）输入低电平。在四个I / O引脚上的数据
（ I / O
0
通过I / O
3
）然后被写入到指定的位置
地址引脚（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1046BV33可在一个标准的400密耳宽
32引脚SOJ封装中心的电源和地（ revolution-
元）的引脚排列。
功能说明
该CY7C1046BV33是一个高性能的CMOS静态
RAM 4位组织为1,048,576字。容易记忆
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
输入缓冲器
I / O
0
检测放大器
1M ×4
ARRAY
I / O
1
I / O
2
I / O
3
CE
WE
COLUMN
解码器
动力
下
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
V
CC
GND
I / O
1
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
3
GND
V
CC
I / O
2
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
行解码器
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
OE
1046BV33–1
1046BV33–2
选购指南
7C1046BV33-10 7C1046BV33-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机
电流（mA ）
阴影区域包含预览。
7C1046BV33-15
15
130
8
0.5
10
150
Com'l
L型
8
0.5
12
140
8
0.5
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05170牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年9月21日
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
CY7C1046BV33
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.0V - 3.6V
电气特性
在整个工作范围
7C1046BV33-10 7C1046BV33-12 7C1046BV33-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
测试条件
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.5
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
–1
–1
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
150
20
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
140
20
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
130
20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
输出高电压V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
-TTL输入
自动CE
最大。 V
CC
,
Com'l
掉电电流CE > V
CC
– 0.3V,
L型
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
-CMOS输入
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
f=0
I
SB2
8
0.5
8
0.5
8
0.5
mA
阴影区域包含预览。
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
6
6
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05170牧师**
第2页8
初步
交流测试负载和波形
R1 317
R1 317
CY7C1046BV33
所有的输入脉冲
3.3V
90%
90%
10%
GND
10%
3.3V
产量
30 pF的
3.3V
产量
R2
351
5 pF的
R2
351
INCLUDING
夹具
范围
(a)
INCLUDING
夹具
范围
(b)
上升时间： 1 V / ns的
1046BV33–3
下降时间： 1 V / ns的
1046BV33–4
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
开关特性
[4]
在整个工作范围
7C1046BV33-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
10
7
7
0
0
7
5
0
3
5
0
10
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
3
5
0
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
0
5
3
6
0
15
3
10
4
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1046BV33-12
分钟。
马克斯。
7C1046BV33-15
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[7, 8]
阴影区域包含预览。
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，并任过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
8.最小写入周期时间为写周期没有。 3 （我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05170牧师**
第3页8
初步
s
CY7C1046BV33
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[3]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
Com'l
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
[10]
分钟。
2.0
200
0
10
最大
单位
V
A
ns
s
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
1046BV33–5
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
1046BV33–6
读周期2号（ OE控制）
[12, 13]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
1046BV33-7
高
阻抗
数据输出
I
CC
I
SB
注意事项：
9. t
r
＆ LT ; 3纳秒为-10 ， -12 ， -15和速度。
10.没有输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
11.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 38-05170牧师**
第4页8
初步
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE控制）
[14, 15]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
CY7C1046BV33
1046BV33–8
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[14, 15]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注16
t
HZOE
1046BV33–9
t
HD
数据
IN
有效
注意事项：
14.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
15.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
16.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
文件编号： 38-05170牧师**
第5页8
046BV33
初步
CY7C1046BV33
1M ×4静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率为10纳秒的速度
- 540毫瓦（最大）
CMOS低待机功耗（L版）
- 1.8毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 400
W
在2.0V保留）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。令状
荷兰国际集团到该设备，采取芯片使能（CE）来完成
和写使能（ WE）输入低电平。在四个I / O引脚上的数据
（ I / O
0
通过I / O
3
）然后被写入到指定的位置
地址引脚（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1046BV33可在一个标准的400密耳宽
32引脚SOJ封装中心的电源和地（ revolution-
元）的引脚排列。
功能说明
该CY7C1046BV33是一个高性能的CMOS静态
RAM 4位组织为1,048,576字。容易记忆
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
输入缓冲器
I / O
0
检测放大器
1M ×4
ARRAY
I / O
1
I / O
2
I / O
3
CE
WE
COLUMN
解码器
动力
下
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
V
CC
GND
I / O
1
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
3
GND
V
CC
I / O
2
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
行解码器
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
OE
1046BV33–1
1046BV33–2
选购指南
7C1046BV33-10 7C1046BV33-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机
电流（mA ）
阴影区域包含预览。
7C1046BV33-15
15
130
8
0.5
10
150
Com'l
L型
8
0.5
12
140
8
0.5
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05170牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年9月21日
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
CY7C1046BV33
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.0V - 3.6V
电气特性
在整个工作范围
7C1046BV33-10 7C1046BV33-12 7C1046BV33-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
测试条件
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.5
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
–1
–1
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
150
20
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
140
20
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
130
20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
输出高电压V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
-TTL输入
自动CE
最大。 V
CC
,
Com'l
掉电电流CE > V
CC
– 0.3V,
L型
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
-CMOS输入
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
f=0
I
SB2
8
0.5
8
0.5
8
0.5
mA
阴影区域包含预览。
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
6
6
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05170牧师**
第2页8
初步
交流测试负载和波形
R1 317
R1 317
CY7C1046BV33
所有的输入脉冲
3.3V
90%
90%
10%
GND
10%
3.3V
产量
30 pF的
3.3V
产量
R2
351
5 pF的
R2
351
INCLUDING
夹具
范围
(a)
INCLUDING
夹具
范围
(b)
上升时间： 1 V / ns的
1046BV33–3
下降时间： 1 V / ns的
1046BV33–4
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
开关特性
[4]
在整个工作范围
7C1046BV33-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
10
7
7
0
0
7
5
0
3
5
0
10
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
3
5
0
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
0
5
3
6
0
15
3
10
4
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1046BV33-12
分钟。
马克斯。
7C1046BV33-15
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[7, 8]
阴影区域包含预览。
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，并任过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
8.最小写入周期时间为写周期没有。 3 （我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05170牧师**
第3页8
初步
s
CY7C1046BV33
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[3]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
Com'l
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
[10]
分钟。
2.0
200
0
10
最大
单位
V
A
ns
s
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
1046BV33–5
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
1046BV33–6
读周期2号（ OE控制）
[12, 13]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
1046BV33-7
高
阻抗
数据输出
I
CC
I
SB
注意事项：
9. t
r
＆ LT ; 3纳秒为-10 ， -12 ， -15和速度。
10.没有输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
11.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 38-05170牧师**
第4页8
初步
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE控制）
[14, 15]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
CY7C1046BV33
1046BV33–8
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[14, 15]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注16
t
HZOE
1046BV33–9
t
HD
数据
IN
有效
注意事项：
14.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
15.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
16.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
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第5页8
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