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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1326页 > CY7C1041DV33-12VXE
CY7C1041DV33
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C1041CV33
高速
— t
AA
± 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 90毫安， 10纳秒（工业）
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 10毫安
2.0 V数据保留
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
可提供无铅48球VFBGA ， 44引脚（ 400密耳）
模压SOJ和44引脚TSOP II封装
功能说明
[1]
该CY7C1041DV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为256K字。写入设备
通过取芯片使能（ CE）和写使能完成
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从I / O引脚（数据I / O
0
-I / O
7
） ，被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
–A
17
） 。如果高字节使能
（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
8
-I / O
15
）被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
–A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
- I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
-I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作过程中
（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1041DV33可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）引脚，以及
为48球精细间距球栅阵列（ FBGA ）封装。
逻辑框图
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
256K × 16
COLUMN
解码器
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
BHE
WE
CE
OE
BLE
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05473牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月17日
[+ ]反馈
CY7C1041DV33
选购指南
-10 （工业）
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
10
90
10
-12 （汽车）
[2]
12
95
15
单位
ns
mA
mA
销刀豆网络gurations
48球FBGA小
（ TOP VIEW ）
1
BLE
I / O
0
I / O
1
V
SS
V
CC
I / O
6
I / O
7
NC
2
OE
BHE
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
6
NC
I / O
8
I / O
9
V
CC
V
SS
A
B
C
D
E
F
G
H
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
SOJ
TSOP II
顶视图
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
I / O
13
I / O
14
WE
A
11
I / O
15
NC
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
记
2.汽车的产品信息是初步。
文件编号： 38-05473牧师* D
第14页2
[+ ]反馈
CY7C1041DV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
.... -0.3V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
.....................................- 0.3V至V
CC
+0.3V
DC输入
电压
[3]
..................................–0.3V
到V
CC
+0.3V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............. ............................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
范围
产业
汽车
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
3.3V
±
0.3V
速度
10纳秒
12纳秒
DC电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH[3]
V
IL[3]
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高
电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大值，女= F
最大
= 1/t
RC
100MHz
83MHz
66MHz
40MHz
I
SB1
自动CE
掉电
目前-TTL输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
-10 （工业）
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
90
80
70
60
20
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
-12 （汽车）
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
-
95
85
75
25
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB2
自动CE
最大。 V
CC
,
掉电
CE > V
CC
– 0.3V,
目前- CMOS输入V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
10
15
mA
记
3.最小电压为2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05473牧师* D
第14页3
[+ ]反馈
CY7C1041DV33
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[4]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在
3 × 4.5英寸，
四层印刷电路
板
FBGA
包
27.89
14.74
SOJ
包
57.91
36.73
TSOP II
包
50.66
17.17
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[5]
10 ns的设备
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
上升时间： 1 V / ns的
(a)
高阻抗特性
R 317
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
(c)
(b)
下降时间： 1 V / ns的
30 pF的*
Z = 50
所有的输入脉冲
90%
GND
10%
90%
10%
3.0V
笔记
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05473牧师* D
第14页4
[+ ]反馈
CY7C1041DV33
AC开关特性
在整个工作范围
[6]
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[9]
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
0
6
0
10
5
0
6
3
5
0
12
6
0
5
3
6
3
10
5
0
6
100
10
10
3
12
6
100
12
12
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
-10 （工业）
分钟。
马克斯。
-12 （汽车）
分钟。
马克斯。
单位
笔记
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
8. t
HZOE
, t
HZCE
,t
HZBE
和T
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容的（c）部分。当输出输入高电平的转换测量
阻抗状态。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
文件编号： 38-05473牧师* D
第14页5
[+ ]反馈
CY7C1041DV33
4兆位（ 256千× 16 ）静态RAM
4兆位（ 256千× 16 ）静态RAM
特点
■
功能说明
该CY7C1041DV33是一种高性能的CMOS静态RAM
组织为256 K字×16位。写入装置，以
芯片使能（ CE）和写使能（ WE）输入低。如果低字节
使能（ BLE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
0
到I / O
7
）是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
到A
17
).
如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
8
到I / O
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
到A
17
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出使能
（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果是BLE
低电平，然后从存储器位置被指定的数据
地址引脚出现在I / O
0
到I / O
7
。如果BHE为低电平，则数据
从内存出现在I / O
8
到I / O
15
。见
真值表上
第10页
用于读取和写入模式的完整描述。
的输入和输出管脚（ I / O的
0
到I / O
15
）被放置在一个高
阻抗时，取消选择器件（ CE HIGH）状态，
输出被禁止（ OE高） ， BHE和BLE被禁用
（BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE低电平和WE
低） 。
该CY7C1041DV33可在一个标准的44引脚400密耳
广SOJ和44引脚TSOP II封装中心的电力和
地（革命）的引脚和48球细间距球栅
阵列（ FBGA ）封装。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
温度范围
工业： -40 ° C至85°C
[1]
： -40 ° C至85°C
汽车-A
[1]
汽车-E
： -40 ° C至125°C
引脚和功能与CY7C1041CV33兼容
高速
t
AA
= 10纳秒
低有功功率
I
CC
= 90 mA的10纳秒（工业）
CMOS的低待机功耗
I
SB2
= 10毫安
2.0 V数据保留
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
可提供无铅48球VFBGA ， 44引脚（ 400 mil）的模
SOJ ，和44引脚TSOP II封装
■
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
256K × 16
COLUMN
解码器
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
BHE
WE
CE
OE
BLE
记
1.汽车产品信息是初步。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05473牧师* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月24日
[+ ]反馈
CY7C1041DV33
目录
选型指南................................................ ................ 3
引脚配置................................................ ............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
直流电气特性.......................................... 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
AC开关特性......................................... 6
数据保持特性....................................... 7
数据保存波形............................................... 7
开关波形................................................ ...... 7
真值表................................................ ...................... 10
订购信息................................................ ...... 11
订购代码定义......................................... 11
包图................................................ .......... 12
与缩略语................................................. ....................... 15
文档约定................................................ 15
计量单位............................................... ........ 15
文档历史记录页............................................... .. 16
销售，解决方案和法律信息...................... 17
全球销售和设计支持....................... 17
产品................................................. ................... 17
的PSoC解决方案................................................ ......... 17
文件编号： 38-05473牧师* I
第17页2
[+ ]反馈
CY7C1041DV33
选购指南
描述
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
-10 （工业）
10
90
10
-10 （汽车-A ）
[2]
10
90
10
-12 （汽车-E ）
[2]
12
95
15
单位
ns
mA
mA
引脚配置
图1. 48球VFBGA （引脚1 ）
[3, 4]
1
BLE
IO
0
IO
1
V
SS
V
CC
IO
6
IO
7
NC
2
OE
BHE
IO
2
IO
3
IO
4
IO
5
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
IO
10
6
NC
IO
8
IO
9
A
B
C
D
E
F
G
H
图2. 48球VFBGA （引脚2 ）
[3, 4]
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
NC
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
NC
IO
0
IO
2
V
CC
V
SS
IO
6
IO
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
IO
11
V
CC
IO
12
IO
13
WE
A
11
V
SS
IO
14
IO
15
NC
图3. 44引脚SOJ / TSOP II
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
V
CC
V
SS
IO
4
IO
5
IO
6
IO
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
IO
15
IO
14
IO
13
IO
12
V
SS
V
CC
IO
11
IO
10
IO
9
IO
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
笔记
2.汽车的产品信息是初步。
3. NC引脚没有连接上的芯片。
4. 1引脚兼容CY7C1041CV33和引脚2是JEDEC标准。两者之间的区别是，在较高和较低的字节的I / O （输入/输出
[7:0]
和I / O
[15:8]
球）进行交换。
文件编号： 38-05473牧师* I
第17页3
[+ ]反馈
CY7C1041DV33
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度-65 ................................
°C
+150
°C
环境温度与
电源采用........................................... -55
°C
+125
°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[5]
....- 0.3 V至4.6 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5]
................................... 0.3 V到V
CC
+0.3 V
DC输入
电压
[5]
................................ –0.3
V到V
CC
+0.3 V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............ ............................... > 2001 V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
汽车-A
[1]
汽车-E
[1]
环境
温度
V
CC
速度
10纳秒
10纳秒
12纳秒
–40
°C
+85
°C
3.3 V
±
0.3 V
–40
°C
+85
°C
3.3 V
±
0.3 V
–40
°C
+125
°C
3.3 V
±
0.3 V
DC电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH[5]
V
IL[5]
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
测试条件
–10
（工业级）
民
输出高电压V
CC
=最小，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3 V,
或V
IN
< 0.3 V ， F = 0
V
CC
=最小，我
OL
= 8.0毫安
2.4
–
2.0
–0.3
–1
–1
–
–
–
–
–
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
90
80
70
60
20
–10
–12
（汽车-A ）
[6]
（汽车-E ）
[6]
单位
民
最大
民
最大
2.4
–
2.0
–0.3
–1
–1
–
–
–
–
–
–
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
90
80
70
60
20
2.4
–
2.0
–0.3
–1
–1
–
–
–
–
–
–
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
–
95
85
75
15
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB2
–
10
–
10
–
15
mA
笔记
5.最低电压为-2.0 V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2 V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
6.汽车的产品信息是初步。
文件编号： 38-05473牧师* I
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[+ ]反馈
CY7C1041DV33
电容
[7]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25
°C,
F = 1MHz时， V
CC
= 3.3 V
最大
8
8
单位
pF
pF
热阻
[7]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
4层印刷电路板
FBGA
包
27.89
14.74
SOJ
包
57.91
36.73
TSOP II
包
50.66
17.17
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
交流测试负载和波形图如下。
[8]
10 ns的设备
产量
50
Ω
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
高阻抗特性
3.3V
产量
5 pF的
R2
351Ω
(c)
R 317Ω
1.5V
上升时间： 1 V / ns的
(a)
(b)
下降时间： 1 V / ns的
30 pF的*
Z = 50
Ω
3.0V
GND
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
笔记
7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
8. AC特性（高阻除外）均采用所示的负载条件下测试
交流测试负载和波形
（ a）中。高阻抗特性进行测试，以便所有速度
使用（c）中所示的测试负载。
文件编号： 38-05473牧师* I
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[+ ]反馈
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