【CY7C1041DV334兆位（ 256千× 16 ）静态RAM4兆位（ 256千× 16 ）静态R】,IC型号CY7C1041DV33-10BVJXI,CY7C1041DV33-10BVJXI PDF资料,CY7C1041DV33-10BVJXI经销商,ic,电子元器件-51电子网

CY7C1041DV33

4兆位（ 256千× 16 ）静态RAM

特点

■

功能说明

该CY7C1041DV33是一种高性能的CMOS静态RAM

组织为256 K字×16位。写入装置，以

芯片使能（ CE）和写使能（ WE）输入低。如果低字节

使能（ BLE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O

到I / O

）是

写入的地址引脚指定的位置（A

到A

如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O

到I / O

）被写入的地址引脚指定的位置

到A

从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出使能

（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果是BLE

低电平，然后从存储器位置被指定的数据

地址引脚出现在I / O

到I / O

。如果BHE为低电平，则数据

从内存出现在I / O

到I / O

。见

真值表上

第10页

用于读取和写入模式的完整描述。

的输入和输出管脚（ I / O的

到I / O

）被放置在一个高

阻抗时，取消选择器件（ CE HIGH）状态，

输出被禁止（ OE高）， BHE和BLE被禁用

（BHE ，BLE高），或者在写操作期间（CE低电平和WE

低）。

该CY7C1041DV33可在一个标准的44引脚400密耳

广SOJ和44引脚TSOP II封装中心的电力和

地（革命）的引脚和48球细间距球栅

阵列（ FBGA ）封装。

为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯

应用说明

AN1064 ， SRAM系统的指导。

温度范围

工业： -40 ° C至85°C

[1]

： -40 ° C至85°C

汽车-A

[1]

汽车-E

： -40 ° C至125°C

引脚和功能与CY7C1041CV33兼容

高速

= 10纳秒

低有功功率

= 90 mA的10纳秒（工业）

CMOS的低待机功耗

SB2

= 10毫安

2.0 V数据保留

取消时自动断电

TTL兼容的输入和输出

易内存扩展CE和OE特点

可提供无铅48球VFBGA ， 44引脚（ 400 mil）的模

SOJ ，和44引脚TSOP II封装

■

逻辑框图

输入缓冲器

行解码器

检测放大器

= 10

256K × 16

COLUMN

解码器

BHE

BLE

记

1.汽车产品信息是初步。

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05473牧师* I

198冠军苑

圣荷西

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2011年1月24日

[+ ]反馈

CY7C1041DV33

选型指南................................................ ................ 3

引脚配置................................................ ............. 3

最大额定值................................................ ............. 4

经营范围................................................ ............... 4

直流电气特性.......................................... 4

电容................................................. ..................... 5

热阻................................................ .......... 5

交流测试负载和波形....................................... 5

AC开关特性......................................... 6

数据保持特性....................................... 7

数据保存波形............................................... 7

开关波形................................................ ...... 7

真值表................................................ ...................... 10

订购信息................................................ ...... 11

订购代码定义......................................... 11

包图................................................ .......... 12

与缩略语................................................. ....................... 15

文档约定................................................ 15

计量单位............................................... ........ 15

文档历史记录页............................................... .. 16

销售，解决方案和法律信息...................... 17

全球销售和设计支持....................... 17

产品................................................. ................... 17

的PSoC解决方案................................................ ......... 17

文件编号： 38-05473牧师* I

第17页2

[+ ]反馈

CY7C1041DV33

选购指南

描述

最大访问时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

-10 （工业）

-10 （汽车-A ）

[2]

-12 （汽车-E ）

[2]

单位

引脚配置

图1. 48球VFBGA （引脚1 ）

[3, 4]

BLE

BHE

图2. 48球VFBGA （引脚2 ）

[3, 4]

BLE

BHE

图3. 44引脚SOJ / TSOP II

BHE

BLE

笔记

2.汽车的产品信息是初步。

3. NC引脚没有连接上的芯片。

4. 1引脚兼容CY7C1041CV33和引脚2是JEDEC标准。两者之间的区别是，在较高和较低的字节的I / O （输入/输出

[7:0]

和I / O

[15:8]

球）进行交换。

文件编号： 38-05473牧师* I

第17页3

[+ ]反馈

CY7C1041DV33

最大额定值

超出最大额定值可能损害的使用寿命

装置。这些用户指导未经测试。

存储温度-65 ................................

°C

+150

°C

环境温度与

电源采用........................................... -55

°C

+125

°C

在V电源电压

相对于GND

[5]

....- 0.3 V至4.6 V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[5]

................................... 0.3 V到V

+0.3 V

DC输入

电压

[5]

................................ –0.3

V到V

+0.3 V

目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安

静电放电电压............ ............................... > 2001 V

（ MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安

工作范围

范围

产业

汽车-A

[1]

汽车-E

[1]

环境

温度

速度

10纳秒

12纳秒

–40

°C

+85

°C

3.3 V

0.3 V

–40

°C

+85

°C

3.3 V

0.3 V

–40

°C

+125

°C

3.3 V

0.3 V

DC电气特性

在整个工作范围

参数

IH[5]

IL[5]

描述

测试条件

–10

（工业级）

民

输出高电压V

=最小，我

= -4.0毫安

输出低电压

输入高电压

输入低电压

输入漏电流接地< V

＆ LT ; V

输出漏

当前

操作

电源电流

GND < V

OUT

＆ LT ; V

，输出

残

=最大，

f = f

最大

= 1/t

100兆赫

83兆赫

66兆赫

40 MHZ

SB1

自动CE

掉电电流

-TTL输入

自动CE

掉电电流

-CMOS输入

MAX V

， CE＆ GT ; V

＆ GT ; V

＆ LT ; V

, f = f

最大

MAX V

CE > V

– 0.3 V,

＆ GT ; V

– 0.3 V,

或V

< 0.3 V ， F = 0

=最小，我

= 8.0毫安

2.4

–

2.0

–0.3

–1

–

最大

–

0.4

+ 0.3

0.8

–10

–12

（汽车-A ）

[6]

（汽车-E ）

[6]

单位

民

最大

民

最大

2.4

–

2.0

–0.3

–1

–

0.4

+ 0.3

0.8

2.4

–

2.0

–0.3

–1

–

0.4

+ 0.3

0.8

–

μA

SB2

–

笔记

5.最低电压为-2.0 V和V

（MAX） = V

+ 2 V为小于20纳秒的脉冲持续时间。

6.汽车的产品信息是初步。

文件编号： 38-05473牧师* I

第17页4

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CY7C1041DV33

电容

[7]

参数

OUT

描述

输入电容

I / O容量

测试条件

= 25

°C,

F = 1MHz时， V

= 3.3 V

最大

单位

热阻

[7]

参数

描述

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

测试条件

静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，

4层印刷电路板

FBGA

包

27.89

14.74

SOJ

包

57.91

36.73

TSOP II

包

50.66

17.17

单位

° C / W

交流测试负载和波形

交流测试负载和波形图如下。

[8]

10 ns的设备

产量

*容性负载由

的的所有组件

测试环境

高阻抗特性

3.3V

产量

5 pF的

351Ω

(c)

R 317Ω

1.5V

上升时间： 1 V / ns的

(a)

(b)

下降时间： 1 V / ns的

30 pF的*

Z = 50

3.0V

GND

所有的输入脉冲

90%

10%

90%

10%

笔记

7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

8. AC特性（高阻除外）均采用所示的负载条件下测试

交流测试负载和波形

（ a）中。高阻抗特性进行测试，以便所有速度

使用（c）中所示的测试负载。

文件编号： 38-05473牧师* I

第17页5

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