CY7C1041CV33
256K ×16静态RAM
特点
引脚相当于CY7C1041BV33
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- 324毫瓦（最大）
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚上的数据
（ I / O
8
-I / O
15
）被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
–A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
- I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
-I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作过程中
（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1041CV33可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）引脚，以及
为48球精细间距球栅阵列（ FBGA ）封装。
功能说明
[1]
该CY7C1041CV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
-I / O
7
） ，被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
–A
17
） 。如果字节
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K × 16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
选购指南
-8
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
广告
产业
商用/
产业
8
100
110
10
-10
10
90
100
10
-12
12
85
95
10
-15
15
80
90
10
-20
20
75
85
10
单位
ns
mA
mA
mA
阴影区域包含预览。
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05134牧师* D
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年10月18日
CY7C1041CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
直流输入电压
[2]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC电气特性
在整个工作范围
-8
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL[2]
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
测试条件
输出高电压V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大值，女= F
最大
= Comm'l
1/t
RC
梧桐。
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Comm'l
梧桐。
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.4
0.4
-10
2.4
0.4
-12
2.4
0.4
-15
2.4
0.4
-20
2.4
0.4
V
V
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
2.0 V
CC
2.0 V
CC
2.0 V
CC
2.0 V
CC
2.0 V
CC
V
+ 0.3
+ 0.3
+ 0.3
+ 0.3
+ 0.3
–0.3 0.8 –0.3 0.8 –0.3 0.8 –0.3 0.8 –0.3 0.8
–1
–1
+1
+1
100
110
40
–1
–1
+1
+1
90
100
40
–1
–1
+1
+1
85
95
40
–1
–1
+1
+1
80
90
40
–1
–1
+1
+1
75
85
40
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
10
10
10
10
10
mA
阴影区域包含预览。
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
2.最小电压为 - 2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05134牧师* D
第11 3
CY7C1041CV33
AC开关特性
[4]
在整个工作范围
-8
参数
读周期
t
power[5]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高来高-Z
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[7]
WE低到
高-Z
[6, 7]
6
字节使能，以结束写的
8
6
6
0
0
6
4
0
3
4
7
0
6
10
7
7
0
0
7
5
0
3
5
8
0
8
4
0
6
12
8
8
0
0
8
6
0
3
6
10
3
4
0
10
5
0
6
15
10
10
0
0
10
7
0
3
7
10
0
4
3
5
0
12
6
0
7
20
10
10
0
0
10
8
0
3
8
3
8
4
0
5
3
6
0
15
7
0
8
1
8
8
3
10
5
0
6
3
7
0
20
8
1
10
10
3
12
6
0
7
3
8
1
12
12
3
15
7
0
8
1
15
15
3
20
8
1
20
20
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
-10
马克斯。
-12
分钟。
马克斯。
-15
分钟。
马克斯。
-20
分钟。
马克斯。
单位
MIN 。 MAX 。 MIN 。
写周期
[8, 9]
阴影区域包含预览。
注意事项：
4.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
5. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，和过渡
这两种信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05134牧师* D
第11 4
CY7C1041CV33
交流测试负载和波形
[10]
8- ，10- ns的设备
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
12-， 15-， 20 -NS设备
Z = 50
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
(a)
(b)
高阻抗特性
R 317
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
地址
[12, 13]
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IISB
SB
IICC
CC
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
10. AC特性（除了高Z ）的所有8纳秒和10毫微秒的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用的测试
在图中所示的戴维南负载（ b）所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
11.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 38-05134牧师* D
第11个5
CY7C1041CV33
256K ×16静态RAM
特点
引脚相当于CY7C1041BV33
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- 324毫瓦（最大）
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚上的数据
（ I / O
8
-I / O
15
）被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
–A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
- I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
-I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作过程中
（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1041CV33可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）引脚，以及
为48球精细间距球栅阵列（ FBGA ）封装。
功能说明
[1]
该CY7C1041CV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
-I / O
7
） ，被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
–A
17
） 。如果字节
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K × 16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
选购指南
-8
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
广告
产业
商用/
产业
8
100
110
10
-10
10
90
100
10
-12
12
85
95
10
-15
15
80
90
10
-20
20
75
85
10
单位
ns
mA
mA
mA
阴影区域包含预览。
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05134牧师* D
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年10月18日
CY7C1041CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
直流输入电压
[2]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC电气特性
在整个工作范围
-8
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL[2]
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
测试条件
输出高电压V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大值，女= F
最大
= Comm'l
1/t
RC
梧桐。
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Comm'l
梧桐。
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.4
0.4
-10
2.4
0.4
-12
2.4
0.4
-15
2.4
0.4
-20
2.4
0.4
V
V
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
2.0 V
CC
2.0 V
CC
2.0 V
CC
2.0 V
CC
2.0 V
CC
V
+ 0.3
+ 0.3
+ 0.3
+ 0.3
+ 0.3
–0.3 0.8 –0.3 0.8 –0.3 0.8 –0.3 0.8 –0.3 0.8
–1
–1
+1
+1
100
110
40
–1
–1
+1
+1
90
100
40
–1
–1
+1
+1
85
95
40
–1
–1
+1
+1
80
90
40
–1
–1
+1
+1
75
85
40
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
10
10
10
10
10
mA
阴影区域包含预览。
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
2.最小电压为 - 2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05134牧师* D
第11 3
CY7C1041CV33
AC开关特性
[4]
在整个工作范围
-8
参数
读周期
t
power[5]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高来高-Z
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[7]
WE低到
高-Z
[6, 7]
6
字节使能，以结束写的
8
6
6
0
0
6
4
0
3
4
7
0
6
10
7
7
0
0
7
5
0
3
5
8
0
8
4
0
6
12
8
8
0
0
8
6
0
3
6
10
3
4
0
10
5
0
6
15
10
10
0
0
10
7
0
3
7
10
0
4
3
5
0
12
6
0
7
20
10
10
0
0
10
8
0
3
8
3
8
4
0
5
3
6
0
15
7
0
8
1
8
8
3
10
5
0
6
3
7
0
20
8
1
10
10
3
12
6
0
7
3
8
1
12
12
3
15
7
0
8
1
15
15
3
20
8
1
20
20
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
-10
马克斯。
-12
分钟。
马克斯。
-15
分钟。
马克斯。
-20
分钟。
马克斯。
单位
MIN 。 MAX 。 MIN 。
写周期
[8, 9]
阴影区域包含预览。
注意事项：
4.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
5. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，和过渡
这两种信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05134牧师* D
第11 4
CY7C1041CV33
交流测试负载和波形
[10]
8- ，10- ns的设备
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
12-， 15-， 20 -NS设备
Z = 50
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
(a)
(b)
高阻抗特性
R 317
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
地址
[12, 13]
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IISB
SB
IICC
CC
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
10. AC特性（除了高Z ）的所有8纳秒和10毫微秒的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用的测试
在图中所示的戴维南负载（ b）所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
11.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 38-05134牧师* D
第11个5
CY7C1041CV33
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
引脚相当于CY7C1041BV33
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- 324毫瓦（最大）
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
提供无铅和无无铅44引脚400 MIL-
SOJ ， 44引脚TSOP II和48球FBGA封装
功能说明
[1]
该CY7C1041CV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
-I / O
7
） ，被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
–A
17
） 。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚上的数据
（ I / O
8
-I / O
15
）被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
–A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
- I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
-I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作过程中
（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1041CV33可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）引脚，以及
为48球精细间距球栅阵列（ FBGA ）封装。
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ /
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K × 16
ARRAY
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
注意事项：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05134牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年9月1日
[+ ]反馈
CY7C1041CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............. ............................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
汽车-E
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
3.3V ± 0.3V
DC电气特性
在整个工作范围
-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL[2]
I
IX
描述
测试条件
分钟。马克斯。
2.4
0.4
2.0
–0.3
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
Com'l / Ind'l
自动-A
自动-E
I
OZ
输出漏
当前
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
， Com'l / Ind'l
输出禁用
自动-A
自动-E
I
CC
V
CC
操作
电源电流
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l
Ind'l
自动-A
自动-E
I
SB1
最大。 V
CC
,
自动CE
Com'l / Ind'l
掉电电流CE > V
IH
自动-A
-TTL输入
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
自动-E
最大。 V
CC
,
自动CE
Com'l / Ind'l
掉电电流CE > V
CC
– 0.3V,
自动-A
-CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
< 0.3V ， F = 0自动-E
40
40
10
10
10
10
40
40
90
100
100
85
95
80
90
–1
–1
+1
+1
–1
+1
–1
+1
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
2.0
–0.3
–1
输出高电压V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
2.0
–0.3
–1
-12
分钟。
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
2.0
–0.3
–1
–1
–20
–1
–1
–20
-15
分钟。
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
+20
+1
+1
+20
75
85
85
90
40
40
45
10
10
15
-20
分钟。
MAX 。 UNIT
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB2
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05134牧师* H
第12页4
[+ ]反馈
CY7C1041CV33
热阻
[3]
参数
描述
测试条件
TSOP -II
42.96
10.75
FBGA
38.15
9.15
SOJ
25.99
18.8
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻（结到环境） ，测试条件遵循标准
热阻（结点到外壳）的测试方法和程序
测量热阻抗，
按照EIA / JESD51 。
交流测试负载和波形
[4]
10 ns的设备
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
Z = 50
12-， 15-， 20 -NS设备
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
高阻抗特性
R 317
(a)
所有的输入脉冲
(b)
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
3.0V
90%
GND
10%
90%
10%
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
AC开关特性
[5]
在整个工作范围
-10
参数
读周期
t
power[6]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[7, 8]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
0
6
0
10
5
0
6
3
5
0
12
6
0
7
0
5
3
6
0
15
7
0
8
3
10
5
0
6
3
7
0
20
8
100
10
10
3
12
6
0
7
3
8
100
12
12
3
15
7
0
8
100
15
15
3
20
8
100
20
20
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-12
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
注意事项：
4. AC特性（除了高Z ）为10毫微秒的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用戴维宁负载测试
（b）如图所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
5.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
6. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±500
毫伏从稳态电压
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，和过渡
这两种信号可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿并因此终止了
写。
文件编号： 38-05134牧师* H
第12页5
[+ ]反馈
QQ：2880707522 复制
